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数据闪存
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2013-12-12 (多图) 基于DMA的高速数据闪存阵列的设计方案
NAND FLASH的写操作比较特殊,在存储数据时要先写入存储命令和存储地址,编程时不能对其执行任何操作。传统的由单片机作为核心的采集采用查询的方式对NAND FLASH进行编程,不仅操作复杂,而且减慢了存储速度。
2006-12-19 中芯国际采用SAIFUN嵌入式NROM技术和设计生产先进工艺8GB闪存
中芯国际和SAIFUN半导体日前共同宣布将采用中芯先进工艺技术合作生产8GB数据闪存,这一基于SUNFUN嵌入式NROM技术和设计而成的独特产品,将有望于2008年进入市场。
2004-11-03 ST的串行程序及数据闪存新增1兆位和2兆位产品
意法半导体推出两个新的数据和程序存储器件,这两个器件属于ST的高速低压串行闪存产品系列,新的M45PE10 和 M45PE20将用于大量的快速变化的参数数据应用,例如应答机、寻呼机、视频游戏和电子玩具。
2003-11-19 瑞萨科技推出R8C/12和 R8C/13两组带片内数据闪存的微控制器尾服[英]
Renesas Technology Corp announced six second-phase models in the R8C/Tiny low-pin-count, small-package, 16-bit flash microcontroller series, comprising three basic R8C/12 Group models and three functionally enhanced R8C/13 Group models. These new two groups incorporate on-chip flash memory usable for data storage (data flash) in addition to the initial-phase R8C/10 Group and R8C/11 Group.Sample shipments of both groups will begin in December 2003 in Japan.
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