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CMOS工艺
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共搜索到162篇文章
2015-09-06 高速和大功率是无线射频的发展方向
笙科是一家台湾专业的RF芯片设计公司。该公司专注于研发CMOS工艺的射频芯片,为客户提供高性能、低成本、高集成度的射频前端IC。
2015-08-27 IIC参展商预告(七):Kilopass为物联网提供最好的非易失性存储器技术
Kilopass是嵌入式非易失性存储器(NVM)IP的领导厂商,它的在OTP NVM方案有着强大的能力,以升级到更先进的CMOS工艺。晶圆代工和IDM厂商可以更灵活地采用这些IP解决方案,同时也还更好的满足更高集成度、更高密度、更低成功与功耗、更长电池续航和更安全的要求。
2015-07-15 一种1~3 GHz无电感型宽带低噪声放大器设计
基于电阻负反馈结构,结合理论推导,利用SMIC 0.18 μm RF CMOS 工艺,设计了一种1 ~ 3 GHz 的无电感型宽带低噪声放大器。仿真结果表明,宽带低噪声放大器在频带为1 ~ 3 GHz 时,S11 <- 15 dB,增益>14 dB,并在整个频带范围内的平坦度较好,增益波动<2.6 dB,噪声系数<3.6 dB。
2015-02-06 一种宽频低功耗低相位噪声的CMOS压控振荡器设计
基于SMIC0.18umCOMS工艺,设计一种宽频低功耗低相位噪声的CMOS压控振荡器,电路采用差分LC振荡器,同时采用积累型MOS可变电容、缓冲电路及经改良的开关电容阵列,以降低功耗和相位噪声,由仿真结果可知,电路频率调谐范围为2.5G~3.1G,频偏为1MHz时相位噪声分布在-118dBc/Hz~-122dBc/Hz,工作电流小于10mA,满足设计要求,可应用于DRM/DAB接收机。
2014-11-10 CMOS射频前端解决GaAs器件产能和成本问题
硅是上帝送给人类的礼物。电路板中绝大多数器件都采用体硅CMOS工艺(硅的原材料是沙子)制造,但有一个部分却难以实现,那就是射频前端。目前射频前端主要采用GaAs或SiGe工艺制造,但由于材料的稀缺性和工艺的复杂性,射频前端芯片(RFeIC)良率不高,成本太贵。这阻碍了物联网(IoT)传感器节点(单价应低于1美元)的普及。
2014-07-24 (多图) 一种新型无运放CMOS带隙基准电路
介绍了带隙基准原理和常规的带隙基准电路,设计了一种新型无运放带隙基准电路。该电路利用MOS电流镜和负反馈箝位技术,避免了运放的使用,从而消除了运放带隙基准电路中运放的失调电压和电源抑制比等对基准源精度的影响。该新型电路比传统无运放带隙基准电路具 有更高的精度和电源抑制比。基于0.18μm 标准CMOS工艺,在Cadence Spectre环境下仿真。采用2.5V电源电压,在-40℃~125℃温度范围的温度系数为6.73×10-6/℃ ,电源抑制比为54.8dB,功耗仅有0.25mW。
2014-06-24 (多图) 一种16位高速数模转换器(DAC)的设计与实现
基于Mixed-Signal CMOS工艺,本文设计了一种采用分段式电流舵结构的高速高精度DAC。同时在该DAC的内部电路中采用了一种新的电流校准技术,既保证了DAC电路的高精度,又减小了梯度误差的影响。电路流片后的实际测试结果表明,该16位DAC在400MSPS转换速率下仍具有良好的性能。
2013-09-17 (多图) 标准CMOS工艺集成肖特基二极管设计与实现
为了使串联电阻有效降低,特别在肖特基版图中采用交织的方法。通过对实测所设计的肖特基二极管,以所测得的C-V、I-V及S参数对肖特基二极管的势垒电压、饱和电流及反向击穿电压继续计算,最后给出能够用于SPICE仿真的模型设计。
2013-07-24 Avago于28nm CMOS工艺达成32Gbps的SerDes性能
Avago Technologies于28nm CMOS工艺达成32Gbps的SerDes性能,最新里程碑再一次延伸Avago于ASIC和ASSP应用SerDes IP的产业领先地位.
2013-05-15 业界首款基于CMOS工艺的隔离式栅极驱动器
Silicon Labs数字隔离解决方案提升电机控制的长期可靠性,Si826x隔离式栅极驱动器基于CMOS工艺,可直接替换工业电力系统中的光电耦合驱动器。
2013-01-23 中科院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心将展示多项集成工艺方案
致力于CMOS前沿工艺及其它硅基集成电路相关技术研究——中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心,将在IIC China 2013上展示多项集成工艺方案,包括:0.5 ?m CMOS 集成工艺方案、22 nm CMOS HKMG集成工艺方案、MEMs器件集成工艺方案、特种分立器件的工艺方案等。
2012-12-03 安森美制造出突破性的天文图像传感器
安森美半导体先进的CMOS工艺专知和技术制造出突破性的天文图像传感器,与Teledyne Imaging Sensors合作, 缔结出用于天文研究的下一代红外传感器.
2012-07-04 看好2.5G和3G手机市场 展讯推进平台化策略
会议现场展示了包括EDGE/Wi-Fi版的1GHz低成本智能手机芯片SC6820和基于40nm CMOS工艺的2.5G基带芯片SC6530的多款手机终端。
2012-06-13 X-FAB完成贵金属MEMS设施与內部金属加工
前几周在美国的传感器博览会展示和会议上,X-FAB Silicon Foundries宣布两大MEMS里程碑:其MEMS和后CMOS工艺专用的贵金属设施竣工- 和完成发运十亿颗MEMS器件。
2012-05-18 RFaxis推出业界首款专纯CMOS双模Wi-Fi/蓝牙射频前端集成电路
专注于为无线连接和蜂窝移动市场提供创新型新一代射频解决方案的无晶圆半导体公司RFaxis今天宣布,其纯CMOS工艺RFX8420射频前端集成电路(RFeICTM)正在供应样品。
2012-04-27 展讯发布首款40纳米2.5G基带芯片SC6530
展讯通信有限公司 ( Spreadtrum Communications),今日宣布业界首款基于40纳米CMOS工艺的2.5G基带芯片SC6530开始供货。
2012-02-27 USB2.0高速端口的ESD保护
如今的电子系统中越来越多地采用以CMOS工艺制造的低功率逻辑芯片。这些芯片如果遭遇足够高的静电放电(ESD)电压,芯片内部的电介质上就会产生电弧,并在门氧化物层烧出显微镜可见的孔洞,造成芯片的永久损坏。
2012-01-04 (多图) CMOS探测器在射线检测中的应用
以CMOS探测器为记录介质的数字化射线检测技术,检测精度高、温度适应性好、结构适应性强.CMOS射线扫描探测器探测单元排成线阵列,需要在检测时进行相对扫描运动,逐线采集并拼成完整的透照投影图像.介绍了检测工装设计,完成了探测器的固定、位置调节及实现与检测工件的相对运动.介绍了检测应用中的探测器配置与校准、透照方式选取、运动速度控制、检测参数优化、缺陷定量分析和图像存档管理等.应用结果表明,经过工艺优化,CMOS探测器能够实现大多数产品零部件的射线检测.最后分析了应用中存在的问题及后续研究方向.
2011-11-17 (多图) 一种低温漂的CMOS带隙基准电压源的研究
为了满足深亚微米级集成电路对低温漂、低功耗电源电压的需求,提出了一种在0.25μm N阱CMOS工艺下,采用一阶温度补偿技术设计的CMOS带隙基准电压源电路。电路核心部分由双极晶体管构成,实现了VBE和VT的线性叠加,获得近似零温度系数的输出电压。T—SPICE软件仿真表明,在3.3 V电源电压下,当温度在-20~70℃之间变化时,该电路输出电压的温度系数为10x10-6/℃,输出电压的标准偏差为1 mV,室温时电路的功耗为5.283 1 mW,属于低温漂、低功耗的基准电压源。
2011-11-10 CMOS电容式麦克风设计详解
本文针对CMOS微机电麦克风的设计与制造进行介绍,并比较纯MEMS与CMOS工艺微导入麦克风的差异。
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