EDN China首页 > 高级搜索 > 8Mb/1.8V

8Mb/1.8V 8Mb/1.8V 搜索结果

8Mb/1.8V
本专题为EDN China电子技术设计网的8Mb/1.8V专题,内容全部来自电子技术设计网精心选择与8Mb/1.8V相关的资讯。EDN China 是第一家关注中国电子设计领域的媒体。在过去的20年,针对中国设计经理人和工程师的不同需要,不断提供最先进和有深度的设计技术和应用。
  • 文章
    (10)
  • 论坛
    (0)
  • 博客
    (0)
共搜索到10篇文章
2015-02-13 Microchip推出4 Mb和8 Mb 1.8V低功耗存储器
Microchip推出4 Mb和8 Mb 1.8V低功耗存储器,扩展Serial Quad I/O SuperFlash系列存储器件。新款SuperFlash存储器工作电压范围低至1.65-1.95V。
2012-08-08 Microchip推出业内容量最大、速度最快器件
Microchip推出首款5V工作、1 Mb容量和80 Mbps速度的业内容量最大、速度最快器件,扩展串行SRAM产品组合,同时推出成本显著低于其他任何非易失性SRAM、FRAM或并行SRAM的8引脚封装电池备份非易失性串行SRAM。
2010-02-28 台商新品
旺宏电子(MXIC)推出超高速1.8V低电压四I/O MXSMIO (Serial Multi I/O)串行快闪内存:MX25U系列产品,容量为8Mb~64Mb,可于四个I/O模式操作,每个I/O速度达104MHz。
2009-11-15 恒忆M58LT(1.8V 安全闪存)
恒忆M58LT 系列提供128Mb至256Mb 非易失性安全快闪解决方案。
2008-09-19 爱特梅尔针对低功耗设计推出1.8V电压的8Mb Serial Flash
爱特梅尔公司宣布业界首款能够在1.8V电压下运作的8Mb Serial Flash 器件 AT25DF081,经已准备投产。
2008-07-22 IDT 推出针对工控、医疗成像和通信等应用的下一代双口RAM
从工业控制到医疗成像和通信,新的 9Mb 和 4Mb 双端口器件可实现高达 200MHz 的性能,以满足苛刻的存储器缓冲要求。这两款器件采用 1.8V 内核电压,比现有解决方案的功耗更低。
2006-11-13 全球首款183兆赫双数据速率同步移动RAM
奇梦达股份公司宣布推出全球首款183兆赫双数据速率同步移动RAM(DDR366)。这款全新的存储器件采用60球细密球型网数组封装(FBGA封装),存储容量为512Mb, 工作电压为1.8V,符合JEDEC DDR标准。
2006-11-13 奇梦达推出首款183兆赫双数据速率同步移动RAM
奇梦达股份公司宣布推出全球首款183兆赫双数据速率同步移动RAM(DDR366)。这款全新的存储器件采用60球细密球型网数组封装(FBGA封装),存储容量为512Mb, 工作电压为1.8V,符合JEDEC DDR标准。
2003-08-12 存储器
支持先进蓝牙应用方案的8Mb 1.8V闪存芯片;装入单个封装中的2GB NAND闪存器;64Mb 3V闪存芯片;用于图象处理及高速网络的GDDR3内存;1GB的DDR400内存;能同时读写的PBGA闪速;高存储密度的2.5寸移动硬盘驱动器;缩短系统开发时间的高密度DDR400元件
2003-07-01 AMD推出可支持先进蓝牙应用方案的8Mb/1.8V闪存芯片
AMD推出一款型号为 Am29SL800D 的 8 Mb 闪存。这是该公司 Am29SL 闪存系列的最高性能的型号,可支持先进的蓝牙 (Bluetooth) 及全球定位系统 (GPS) 模块。
今日焦点
说说TD-SCDMA的经验和教训

说说TD-SCDMA的经验和教训

2000亿元永远收不回的投资,换来一张五年就停止发展的TD-SCDMA网,而所谓自主知识产权比例饱受争议。蛮力改写科技产业路线,失败作结。[详细]


打开微信“扫一扫”,打开网页后点击屏幕右上角分享按钮

1.扫描左侧二维码
2.点击右上角的分享按钮
3.选择分享给朋友
数据手册相关热门搜索

每月定期向您递送电子元器件规格书网中的最新元器件数据手册下载、库存信息及技术参数更新。请点击订阅:

《微波及射频》

5G网络在提供1Gbps至10Gbps吞吐量方面具有很好的前途, 并且功耗要求比今天的网络和手机都要低,同时还能为关键应用提供严格的延时性能。
热门小组
有问题请反馈