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(多图) 简易实用模拟温控电路设计

/?? 2014年09月10日 ?? 收藏4

3.3 超温保护电路验证

图4中左上方A2差分放大器LM324与C4,R16,R15,R18。组成比例积分电路,该电路对放大后的温度信号进行积分。图中一6 V电压经过W3、R20、R21。分压在R21上产生压降,通过电位器W3调节使R21上压降为-3.12 V,该电压通过图中左下方跟随器LM324输出与温度放大信号进行比较,将比较结果送至后端移相触发电路。

图4中Q2,R22,R26及D1组成超温保护电路,如果加热炉温度超过820℃,则图3温度信号经过放大后ICL7650输出电压>3.29 V,此时稳压二极管D1被反向击穿,流经R26的电流因Q2基极电位升高使Q2导通,Q2集电极电位降至O.3~O.5 V,移相触发停止工作,继电器不输出加热电压,此时起到超温保护作用。

Q1,C5,R24,继电器和加热装置等其它器件组成移相触发、交流输出及升温部分。移相触发电路核心元件为Q1单结晶体管,其结构、等效电路如图5所示,伏安特性如图6所示。

图5 单结晶体管结构及等效电路图
图5 单结晶体管结构及等效电路图

图6 单结晶体管伏安特性图
图6 单结晶体管伏安特性图

e为发射极,b1、 b2分别为第一基极和第二基极。图4中Q1与C5、R26、R24、R23利用晶体管Q1负阻特性构成震荡电路。负阻特性就是当晶体管发射极电流增加时,发射极电压VE反而减小。工作状态通电时 ,电容C5上的电压为零,BT35管子截止,+12 V电源通过电阻R26对C5充电,随时间增长电容C5,上电压逐渐增大;当增大至Ueb1峰点电压Up后,管子进入负阻区,输入端等效电阻迅速减小,此时C5迅速放电,电流Ie随之减小,当Ueb1减小到谷点电压Uv后,管子截止;电容C5又开始充电。上述过程循环产生振荡。电容上电压的测试波形如图7所示。

图7 电容C5输出波形图
图7 电容C5输出波形图

图7所示BT35输出为周期性锯齿波,该锯齿波加至固态继电器直流输入端可控制交流输出电压大小。

实际应用中,可以通过改变电压比较电路中比较电压大小控制震荡电路输出波形导通角,图8所示为测试波形示意图。

图8震荡电路输出波形图
图8震荡电路输出波形图

通过控制震荡电路周期T内输出导通角,可以达到控制电源输出功率大小的目的,从而改变加热装置加热功率。图4电压比较电路中,调节电位器W3可改变A2 LM324输出比较电压大小。

3.4 温控效果实验验证

通过调节图4温度控制模块比较电压大小设定控制温度分别为260℃、340℃、460℃、580℃、670℃、750℃。测试系统温度控制精度。测试时间为7天,每隔24小时从系统显示读取。将实测温度值与设定温度进行比较,从测试结果看,系统温度控制精度为±3℃。

图9温控测试试验结果图
图9温控测试试验结果图

4 结束语

该设计实际应用效果良好,温度控制在750℃下,控制精度可达±3℃。与单片机温控系统相比,该温控电路最大特点是设计简便,调试过程也易于实现,工作状态稳定可靠,实用性强。可应用于工业、农业生产及实验室等需要进行温度控制的场所。


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模拟温度控制电路? 运算放大器? 单结晶体管? 可控硅?

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