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共搜索到18篇文章
2015-07-22 ROHM量产采用沟槽结构的SiC-MOSFET,导通电阻大大降低
ROHM开始量产采用沟槽结构的SiC-MOSFET,导通电阻大大降低,有助于工业设备等大功率设备的小型化与低功耗化.
2015-07-15 采用沟槽结构的SiC-MOSFET,导通电阻大大降低
ROHM开始量产采用沟槽结构的SiC-MOSFET,导通电阻大大降低,有助于工业设备等大功率设备的小型化与低功耗化。
2015-07-15 昔日的特斯拉线圈与今日的无线充电
ROHM开始量产采用沟槽结构的SiC-MOSFET,导通电阻大大降低,有助于工业设备等大功率设备的小型化与低功耗化。
2013-12-30 飞兆推出系列1200 V沟槽型场截止IGBT
飞兆半导体的1200 V 沟槽型场截止IGBT,提供更快速的开关性能和改进的可靠性.高压IGBT可降低高功率太阳能逆变器、UPS和电焊机中的总功耗、电路板尺寸和整体系统成本.
2013-12-17 飞兆推出一系列1200 V沟槽型场截止IGBT
飞兆半导体的1200 V 沟槽型场截止IGBT提供更快速的开关性能和改进的可靠性,高压IGBT可降低高功率太阳能逆变器、UPS和电焊机中的总功耗、电路板尺寸和整体系统成本.
2012-11-09 180奈米200V MOS独立沟槽电介质SOI工艺
X-FAB发表首创的200V SOI工艺,XT018在单一芯片上提供多重的高压区块.
2012-10-25 安森美扩充高性能沟槽型场截止IGBT阵容
安森美半导体扩充用于电机控制、太阳能及不断间电源应用的 高性能沟槽型场截止IGBT阵容,新的场截止沟槽型技术器件扩大额定电流,提供高速开关能力,用于要求严格的电源应用
2011-12-14 安森美半导体推出沟槽型低正向压降肖特基整流器新系列
应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor)推出新系列的100伏(V)沟槽型低正向压降肖特基整流器(LVFR),用于笔记本适配器或平板显示器的开关电源、反向电池保护电路及高频直流-直流(DC-DC)转换器等应用。
2011-11-16 罗姆与APEI联合开发出高速大电流的SiC沟槽MOS模块
日本知名半导体制造商罗姆株式会社日前面向EV、HEV车(电动汽车、混合动力车)及工业设备,与拥有电力系统和电源封装技术的Arkansas Power Electronics International(APEI)公司联合开发出搭载了SiC沟槽MOS的高速、大电流模块“APEI HT2000”。该模块一改传统的Si模块的设计,由于最大限度地利用了SiC器件的特点,从而大幅改善了电气特性、机械特性,同时实现了超小型化、轻量化、高效化,在SiC模块的普及上迈出了巨大的一步。
2011-07-29 如何在PCB板上创建沟槽?
在AD6.3版本及后续版本中可以创建沟槽和非圆孔的焊盘,添加沟槽和正方形的焊盘挖孔。详细的钻孔类型可以从生产制造步骤中看到,在你的PCB板上放置特殊串符号,并且添加输出说明在上面,放置图例串符号在DrillDrawing层。
2011-03-31 华润微电子1200V Trench NPT IGBT工艺平台开发成功
华润微电子有限公司(后简称“华润微电子”)宣布其附属公司华润上华科技有限公司(后简称“华润上华”)已开发完成1200V Trench NPT IGBT(沟槽非穿通型绝缘栅双极晶体管)工艺平台,各项参数均达到设计要求,成功进入Trench IGBT代工市场。
2010-08-26 应用材料为先进微芯片设计提供突破性的流体CVD技术
应用材料公司以Eterna FCVD系统延续了十年来在沟槽填充技术领域的领导地位,为客户应对多个新芯片世代的挑战提供了独特、简化和具有成本效益的解决方案。
2010-01-25 采用PowerFill外延硅工艺的电源器件
ASM International推出了其PowerFill的外延硅(Epi Si)沟槽填充工艺。新工艺可使带有掺杂物的外延硅深沟无缝隙填充。 PowerFill是一个精湛的工艺技术,因为它是同类流程速度的3倍,降低制造成本,创造了为电源设备设计在设计程度上新的级别。
2009-10-28 安森美半导体推出新的高密度沟槽MOSFET
安森美半导体(ON Semiconductor)推出24款新的30伏(V)、N沟道沟槽(Trench)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这些MOSFET采用DPAK、SO-8FL、?8FL及SOIC-8封装, 为计算机和游戏机应用中的同步降压转换器提供更高的开关性能。
2008-09-16 罗门哈斯推出减少缺陷和研磨液用量的化学机械研磨垫表面沟槽设计
罗门哈斯电子材料公司旗下的研磨技术事业部宣布,其新型化学机械研磨垫表面沟槽设计能够减少缺陷和研磨液的用量,现已迅速得到全球各地市场的认可。
2005-06-01 内置IGBT与FRD三相全桥的单片转换器IC
东芝公司开发出采用高耐压SOI沟槽隔离工艺制造有单芯片转换器IC TPD4113K和TPD4113AK(500V/1A)。新产品通过与正弦波控制IC相配合,可实现DC无刷马达的正弦波驱动,适合用于空调风扇马达、换气扇、空气清净机和水泵等。
2005-04-22 东芝单片转换器IC内置IGBT与FRD构成的三相全桥
东芝公司开发出采用其独特高耐压SOI沟槽隔离工艺制造有单芯片转换器IC——TPD4113K和TPD4113AK(500V/1A)。
2004-04-06 IR推出全新30V DirectFET同步MOSFET
新型DirectFET沟槽MOSFET以更小电路面积,提供低导通电阻和低封装电感,满足中央处理器电源需求。
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说说TD-SCDMA的经验和教训

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2000亿元永远收不回的投资,换来一张五年就停止发展的TD-SCDMA网,而所谓自主知识产权比例饱受争议。蛮力改写科技产业路线,失败作结。[详细]


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