EDN China首页 > 高级搜索 > 光刻

光刻 光刻 搜索结果

光刻
本专题为EDN China电子技术设计网的光刻专题,内容全部来自电子技术设计网精心选择与光刻相关的资讯。EDN China 是第一家关注中国电子设计领域的媒体。在过去的20年,针对中国设计经理人和工程师的不同需要,不断提供最先进和有深度的设计技术和应用。
共搜索到49篇文章
2015-11-23 在蚀刻步骤改善CDU的新方法
当前用于改善临界尺寸一致性(CDU)的控制方法通常依赖于通过工厂自动化或扫描机配方,使用逐视场曝光校正法进行。此类CDU控制方法的使用仅限于光刻步骤,不能延展到蚀刻步骤。
2013-12-02 基于模型的建议:光刻友好设计成功的导航
如今对于一些技术节点,设计人员需要在晶圆代工厂流片和验收之前进行光刻友好设计(Litho Friendly Design) 检查。由于先进节点的解析度增进技术(RET) 限制,即使在符合设计规则检查 (DRC) 的设计中,我们仍看到了更多的制造问题。本文将介绍明导的基于模型的建议在光刻友好设计中的导航作用。
2013-07-19 联华电子28纳米节点采用Cadence物理和电学制造性设计签收
联华电子 (UMC) 28纳米节点采用Cadence物理和电学制造性设计签收解决方案.Cadence加速联华电子客户在可制造性设计流程中的光刻、CMP和LDE分析.
2013-07-11 Cadence助力20纳米SoC测试芯片成功流片
Cadence解决方案助力创意电子20纳米SoC测试芯片成功流片,Cadence Encounter数字实现系统与Cadence光刻物理分析器可降低风险并缩短设计周期.
2013-03-29 欧盟资助SYNAPTIC项目研发设计合成工具流
由欧盟第7框架计划资助的企业学术联盟宣布一项三年期项目圆满结束,并发布了设计合成工具流以及相关的光刻友好单元库和评估工具。
2012-02-06 京瓷研发出AT切割水晶振动子CX1612SB
京瓷株式会社的全资子公司--京瓷金石株式会社(以下简称“京瓷金石”)是专门从事水晶元器件开发生产的公司。该公司运用光刻加工技术(以下简称“光刻加工”)成功研发出AT切割水晶振动子“CX1612SB”,将表示水晶振动子振荡时阻抗程度的CI值(晶体阻抗、串联电阻)降至60Ω。
2011-04-01 微捷码推出一款完整的代工厂分析框架
微捷码(Magma)设计自动化有限公司日前宣布推出一款完整的代工厂分析框架——Excalibur-Litho,支持先进光刻解决方案的开发和监控。Excalibur-Litho是首款集成了设计数据和缺陷、度量和工具历史等半导体制造车间作业实时数据的系统,实现了无与伦比的数据分析、监控和流程控制水平。
2011-03-31 2010年全球半导体制造用设备厂商销售业绩排行榜
VLSI Research市调公司近日公布了2010年全球芯片厂用设备制造厂商排行榜,应用材料公司仍然稳居老大位置,而近年来相当活跃的光刻设备厂商荷兰ASML则排名超过东电电子公司(TEL)上升到了第二位,东电电子则在排行榜上位居第三。
2011-03-07 微捷码与应用材料公司携手集成CAD和检测系统
芯片设计解决方案供应商微捷码(Magma)设计自动化有限公司日前宣布,微捷码携手应用材料公司(Applied Materials, Inc)将微捷码基于CAD(计算机辅助设计)的导航和良率分析软件与应用材料公司先进检测系统相集成。这种设计与制造工具的独特组合已为多家客户的先进技术节点开发和生产提供了加速的光刻质量检验和改善的芯片良率。
2010-06-18 32nm制程用沉浸光刻设备客户需求量剧增
据荷兰ASML公司高管透露,由于最近半导体厂商对沉浸式光刻设备的需求量剧增,著名光刻厂商ASML公司最近重新召回了先前辞退的700名员工,同时还招聘了数百名新员工,这名高管表示ASML公司还需要再增加300名员工,同时还预计公司将可保证各个客户对光刻设备的订单需求。
2010-04-14 基于PC的IC工具降低MEMS设计门槛
鉴于MEMS工艺源自光刻微电子工艺,所以人们很自然会考虑用IC设计工具来创建MEMS器件的掩膜。然而,IC设计与MEMS设计之间存在着根本的区别,从版图特性、验证或仿真类型,到最重要的构造问题。
2010-03-22 Intel 22nm光刻工艺背后的故事
去年九月底的旧金山秋季IDF 2009论坛上,Intel第一次向世人展示了22nm工艺晶圆,并宣布将在2011年下半年发布相关产品。
2010-02-26 英特尔认为浸入式光刻能延伸到11纳米
英特尔的先进光刻和制造部的Yan Borodovsky表明,英特尔希望EUV或者无掩模电子束光刻能作为193纳米浸入式光刻在11纳米的后补者,并声称11纳米可能发生在2015年。
2010-02-20 光刻模拟软件迎接EUV和DPL挑战
?KLA-Tencor 公司推出了他们最新一代的 PROLITH光刻模拟软件。PROLITH X3.1 让处于前沿领先地位的芯片厂商、研发机构及设备制造商能够迅速且极具成本效益地解决EUV和两次图像合成光刻 (DPL) 制程中的挑战性问题,包括线边粗糙度 (LER) 和图形成像问题。
2010-01-26 450mm晶圆,EUV光刻、TSV三项投入应用将推迟
半导体技术市场权威分析公司ICInsights近日发布的报告显示,按照他们的估计,450mm技术以及极紫外光刻技术(EUV)投入实用的时间点将再度后延。
2010-01-22 ST将参加CEA-Leti的多电子束曝光开发项目
意法半导体与法国CEA-Leti宣布,意法半导体将参加CEA-Leti推进的无掩模光刻共同技术开发项目“IMAGINE”。该项目为期3年,旨在确立可实现采用了多光束方式电子束(EB)曝光设备“MAPPER”的LSI量产用光刻技术。台积电(TSMC)已经参加了该项目。
2009-12-04 IMEC采用机械叠层方式制造出GaAs/Ge多结太阳能电池
IMEC已经成功的采用机械叠层的方法在锗电池上集成了GaAs电池,朝转化效率高于40%的三结太阳能电池迈进了一步。与单光刻多结电池不同,机械叠层结构无需进行电流匹配和晶格匹配。
2009-12-04 IMEC采用机械叠层方式制造出GaAs/Ge多结太阳能电池
IMEC已经成功的采用机械叠层的方法在锗电池上集成了GaAs电池,朝转化效率高于40%的三结太阳能电池迈进了一步。与单光刻多结电池不同,机械叠层结构无需进行电流匹配和晶格匹配。
2009-11-20 恒忆M系列(适于高端移动设备)
针对高端移动设备的 恒忆M系列处于世界NOR闪存产品的领先地位。第六代65nm 光刻多层存储单元(MLC) 技术帮助蜂窝技术开发者实现更多的价值及更强的性能,并且使更可靠、更高效益的蜂窝解决方案成为可能。
2009-10-21 中芯国际采用Cadence DFM解决方案
Cadence 设计系统公司日前宣布,中芯国际集成电路制造有限公司(以下简称“中芯国际”)采用了 Cadence(R) Litho Physical Analyzer 与 Cadence Litho Electrical Analyzer,从而能够更准确地预测压力和光刻差异对65和45纳米半导体设计性能的影响。
今日焦点
说说TD-SCDMA的经验和教训

说说TD-SCDMA的经验和教训

2000亿元永远收不回的投资,换来一张五年就停止发展的TD-SCDMA网,而所谓自主知识产权比例饱受争议。蛮力改写科技产业路线,失败作结。[详细]


打开微信“扫一扫”,打开网页后点击屏幕右上角分享按钮

1.扫描左侧二维码
2.点击右上角的分享按钮
3.选择分享给朋友
数据手册相关热门搜索

每月定期向您递送电子元器件规格书网中的最新元器件数据手册下载、库存信息及技术参数更新。请点击订阅:

《微波及射频》

5G网络在提供1Gbps至10Gbps吞吐量方面具有很好的前途, 并且功耗要求比今天的网络和手机都要低,同时还能为关键应用提供严格的延时性能。
热门小组
有问题请反馈