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沟道
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2016-02-18 凌力尔特推出四输出多相降压型 DC/DC 控制器,输出电流可高达260A
凌力尔特公司推出一款四输出多相同步降压型 DC/DC 控制器 LTC7851 / LTC7851-1,该控制器可与 DrMOS 和电源模块 (power block) 等外部功率链路器件以及分立型 N 沟道 MOSFET 和相关的栅极驱动器一起工作,从而实现了灵活的设计配置。
2014-12-19 Vishay发布首颗用于软开关拓扑的双片600V快速体二极管N沟道MOSFET
2014年12月4日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,发布600V EF系列快速体二极管N沟道功率MOSFET的两款器件。Vishay Siliconix SiHx28N60EF和SiHx33N60EF具有低向恢复电荷和导通电阻,能够在工业、电信、计算和可再生能源应用中提高可靠性,节约能源。
2014-11-19 IR推出新一代绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 技术平台
IR推出1200V Gen8 IGBT系列,提升工业应用的基准效率和耐用性.国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出新一代绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 技术平台。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT平台适用于符合行业标准的TO-247封装,并采用IR新一代沟道栅极场截止技术,为工业及节能应用提供卓越性能。
2014-08-27 Vishay新款3A同步降压稳压器简化设计并节省空间
2014年8月26日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用650kHz固定开关频率和4.5V~15V宽输入电压的新款3A器件---SiP12116,扩充其microBUCK系列集成式同步降压稳压器。Vishay Siliconix SiP12116组合了高边和低边N沟道MOSFET,采用电流模式恒定导通时间(CM-COT)控制,节省空间的3mm x 3mm DFN10封装带有热焊盘,使设计者能在100mm2面积内实现一个完整的降压稳压器。
2014-08-27 凌力尔特推出超低静态电流热插拔控制器LTC4231
4μA IQ 热插拔控制器保护电池免受电压和电流故障损坏,2014 年 8 月 25 日 – 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出超低静态电流 (IQ) Hot SwapTM (热插拔) 控制器LTC4231,该器件允许电路板或电池安全地从 2.7V 至 36V 系统中插入和拔出。LTC4231 控制一个外部 N 沟道 MOSFET,以平缓地给电路板电容器加电,从而避免瞬态放电、连接器损坏和系统干扰.
2014-08-19 具数字接口的双输出DC/DC控制器
2014 年8月14日 – 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出具串行数字接口的双输出多相同步降压型 DC/DC 控制器 LTC3882。该器件采用前沿调制电压模式控制以实现超卓的瞬态响应,并采用具非常低 DCR (0.25mΩ) 的电感器工作,从而实现了较高的效率和每输出相位高达 40A 的电流。兼容的功率链器件包括 DrMOS、电源模块或分立式 FET 驱动器以及相关联的 N 沟道 MOSFET。具数字接口的双输出 DC/DC 控制器,采用 0.25mΩ 检测电阻工作.
2014-07-25 凌力尔特推出同步升压型DC/DC控制器LTC3769
2014 年 7 月 23 日 – 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出同步升压型 DC/DC 控制器 LTC3769,该器件采用了高效率 N 沟道 MOSFET 取代升压型二极管,从而提高了效率并最大限度地增强输出电流能力。这款控制器以高达 98% 的效率从 12V 输入在高达 5A 输出时提供 24V 电压,非常适合汽车、工业及医疗应用,在这类应用中,升压型 DC/DC 转换器必须提供尺寸很小的解决方案,并产生很少的热量。60V 同步升压型控制器可减少热应力并具有高达 98% 的效率.
2014-02-14 (多图) 用于车载USB供电的非同步BUCK控制器
不少整车厂对USB电源有着非常严苛的要求,6V电池电压下要保证5V输出,考虑到输入端的反极性保护及线损,USB电源的输入端电压会更低。这对车载USB电源的设计是个挑战。常用的BUCK电路,出于成本考虑,会选用N沟道MOSFET。但是在车载USB电源的应用中,成本较高的P沟道MOSFET却更有优势。
2014-01-24 具有业内最低RDS(on)的P沟道MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET---Si7157DP,扩充其TrenchFET? P沟道Gen III功率MOSFET。
2013-12-06 Vishay推出业内最小-20V P沟道Gen III MOSFET
又是一年高交会电子展,各大厂商分别展出了自己的最新技术。然而,与往年不同的是,东芝半导体&存储产品公司展台吸引了络绎不绝的观众来此参观——这是东芝公司首次参加高交会,带来的产品也颇具特点。
2013-12-03 Vishay P沟道Gen III MOSFET具有业内最低导通电阻
Vishay P沟道Gen III MOSFET具有业内最低导通电阻,-12V和-20V器件采用PowerPAK ChipFET和PowerPAK 1212-8S封装,3.0mm x 1.9mm x 3.3mm的占位体积。
2013-10-14 高端、高频率N沟道MOSFET栅极驱动器
高端、高频率 MOSFET 栅极驱动器,具 -55oC 至 150oC 工作结温范围.
2013-09-09 超小外形尺寸的TrenchFET Gen III P沟道功率MOSFET
Vishay的新款超小外形尺寸的TrenchFET Gen III P沟道功率MOSFET具有极低导通电阻.器件采用2mm x 2mm PowerPAK SC-70封装.
2013-07-19 (多图) 理想二极管和热插拔控制器实现电源冗余并隔离故障
LTC4225、4227和4228通过控制外部N沟道MOSFET,为两个电源轨实现了理想二极管和热插拔功能。这些器件提供快速反向断开、平滑电源切换、有源电流限制以及状态和故障报告功能;具有严格的5%电路断路器门限准确度和快速响应电流限制,可保护电源免受过流故障影响。
2013-07-17 Vishay利用新-40V和-30V MOSFET扩充Gen III P沟道产品
Vishay利用PowerPAK封装的新款-40V和-30V MOSFET扩充Gen III P沟道产品,首款40V P沟道Gen III器件,首款PowerPAK 1212-8S封装的30V MOSFET.
2013-07-17 澜起高清解码器芯片M88VS3001实现量产
Vishay利用PowerPAK封装的新款-40V和-30V MOSFET扩充Gen III P沟道产品,首款40V P沟道Gen III器件,首款PowerPAK 1212-8S封装的30V MOSFET.
2013-06-05 Vishay大幅扩充650V N沟道功率MOSFET家族
新的E系列器件采用Vishay Siliconix超级结技术,导通电阻低至30m?、电流达6A~105A,在8种封装中实现低FOM和高功率密度.
2013-05-08 Vishay新款P沟道高边负载开关
Vishay发布采用小尺寸WCSP6封装的新款斜率控制的P沟道高边负载开关,器件可在1.5V~5.5V电压范围内工作,具有低至20m?的导通电阻、低静态电流,导通电压上升斜率为3ms.
2013-05-07 (多图) 第2代FS SA T IGBT可显着减少单端谐振逆变器总损耗
本文将介绍飞兆半导体的第2代1400V场截止Shorted Anode沟道(FS-SA T)IGBT(具有不同于一般IGBT的固有体二极管)在感应加热(IH)系统中的应用,并注重介绍它在单端(SE)谐振逆变器中的效率等特性。
2013-04-26 Vishay新MOSFET可提供18m欧姆导通电阻
Vishay Siliconix 扩展ThunderFET的电压范围,150 V N沟道TrenchFET功率MOSFET为DC/DC应用提供18m?导通电阻.
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2000亿元永远收不回的投资,换来一张五年就停止发展的TD-SCDMA网,而所谓自主知识产权比例饱受争议。蛮力改写科技产业路线,失败作结。[详细]


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