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2016-06-02 深度解析ST高性能6轴加速度计和陀螺仪双芯片LSM6DS3工艺
STMicroelectronics(简称ST)公司成功开发了iNEMO Ultra产品-始终开启(Always-On)、高性能6轴加速度计和陀螺仪双芯片LSM6DS3,该芯片提供业界领先的杂讯性能,下面就为大家带来LSM6DS3的工艺解析摘要。
2016-05-31 拆解:Misfit Shine 2及其电源管理技术
在圣克拉拉市举行的DesignCon 2016展会上,Misfit Shine 2运动+睡眠监测手环成为了我们的拆解对象,它体现了目前最新的低功耗技术、工艺和电源管理技术。
2016-04-21 东芝推出基于ARM? Cortex?-M3的微控制器,适用于电机控制和消费设备
东芝公司旗下半导体与存储产品公司今日宣布推出TXZ?系列的第一组产品—基于ARM? Cortex?-M3内核的“M3H族”微控制器,这一新系列产品采用基于65纳米逻辑工艺的嵌入式闪存工艺制造。
2016-04-01 “多足机器人”爆火YouTube后,波士顿动力仍被谷歌放弃其实是因为。。。
集成无源器件(IPD)像是专为解决这一状况而生,该技术能在硅基板上利用晶圆代工厂的工艺,采用光刻技术蚀刻出不同图形,从而实现各种无源元件如电阻、电容、电感、滤波器、耦合器等的高密度集成。
2016-04-01 EDA领域大者恒大,但芯禾驾驶着飞速的马车
集成无源器件(IPD)像是专为解决这一状况而生,该技术能在硅基板上利用晶圆代工厂的工艺,采用光刻技术蚀刻出不同图形,从而实现各种无源元件如电阻、电容、电感、滤波器、耦合器等的高密度集成。
2016-03-01 英特尔14nm工艺技术超前,那晶体管的实际性能如何?
多年以来,英特尔从未放弃过任何吹嘘自己的芯片技术,只是在台积电和三星上位之后收敛了很多。而且,难能可贵的是英特尔竟然没有过度宣传自家的第二代 FinFET 工艺,毕竟其余竞争对手在其 14 纳米问世时,均处于第一代 FinFET 工艺水平。
2016-02-26 28nm工艺即将跌下神坛,14nm LPP工艺密度翻倍
这几天AMD市场营销总监在推特上隐晦证实了某个Polaris核心会拥有86亿晶体管,再结合之前曝光的核心面积,算起来14nm LPP工艺的晶体管密度相比目前的28nm工艺至少翻倍。
2016-01-20 2015最受欢迎技术文章排行榜:FPGA TOP 11
高端设计工具为少有甚是没有硬件设计技术的工程师和科学家提供现场可编程门阵列(FPGA)。无论你使用图形化设计程序,ANSI C语言还是VHDL语言,如此复杂的合成工艺会不禁让人去想FPGA真实的运作情况。在这个芯片中的程序在这些可设置硅片间到底是如何工作的。
2016-01-07 自研架构成本太高 高通考虑骁龙830重新使用公版架构
未来的骁龙830等型号处理器还将在制程工艺等方面有所进步,但说到自主架构,高通似乎并不打算再走骁龙820的老路了,骁龙830很有可能会放弃自研架构。
2016-01-05 美研究者将光子元件融入微处理器 首次实现用光线与外部通信
这一处理器采用简化指令组计算机(RISC-V)架构,包含超过7000万个晶体管和850个光子元件,而且是在一座现有芯片工厂内制作,显示出相关工艺与现有生产程序可以兼容。
2015-12-25 超低功耗DDC工艺技术帮助中国IC设计业撬动IoT巨大商机
重组一年多的富士通旗下半导体制造、测试服务公司——三重富士通半导体(MIE Fujitsu Semiconductor),以及整合了富士通和松下电器在图像、网络等应用领域LSI丰富经验和技术优势的索喜科技(Socionext)携手亮相本届ICCAD,向新老合作伙伴展示特色超低功耗工艺和嵌入式系统代工技术优势。
2015-12-07 摩尔定律要终结?台积电2017年将上7nm
台积电将于2017年试产7nm,而且5nm也在研发当中。再加上此前其已经明确表示10nm工艺会在明年下半年完成量产,这家台湾晶圆厂的工艺已超越英特尔和三星。摩尔定律还是要继续延续下去了!
2015-11-30 在别人谈先进工艺时,用成熟工艺抢得物联网先机?!
先进工艺 or 成熟工艺?想想中国半导体在先进工艺节点上的差距,面向物联网时代的需求,是投资先进工艺还是改造成熟工艺?EDN建议您或许可以听听来自工艺管控与良率管理专家的意见。
2015-11-18 高通台积电彻底傻眼 三星大秀10nm工艺
三星抢先秀出自家10nm工艺意味深长。要知道三星在14nm上已具备极强统治力,不光自家Galaxy S6上使用了,就连苹果也首次采用双供应商模式(台积电+三星)一同生产A9处理器。
2015-11-13 新突破!中国成功流片28nm MTK芯片
今年8月,中芯国际宣布采用其28nm工艺制程的骁龙410芯片开始用于主流智能手机,可谓开创了先进手机芯片制造落地中国的新纪元。
2015-11-02 氮化镓渐入佳境
你用过任何GaN功率器件吗?你有可能寻找使用它们吗?你对用非硅工艺进行器件设计或将它们列入你的材料清单是热心、冷淡还是害怕呢?
2015-10-27 5G基站架构:潜在的半导体解决方案
本文讨论了5G发展道路上可能出现的情况,介绍了各方的观点。当然,这些公司对路线图的规划是非常小心谨慎的,但从他们的表述中可以看到许多精辟的见解。从分立半导体解决方案开始讨论,然后介绍本人对架构、接口和工艺方面的预测,最后讨论来自这个行业中的半导体领先公司有关IC解决方案可能性和挑战的反馈, 得出更复杂的IC解决方案,并以时钟问题结束。
2015-10-19 技术派分析:16nm工艺为什么好过三星14nm?
2015年9月22日 – 贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开始分销Texas Instruments (TI)的C2000 Delfino F28377S LaunchPad评估板。 此新型TI LaunchPad为TI C2000 Delfino F2837xS系列单片机的简单易用型快速原型开发套件,具有200 MHz的32位浮点运算能力、新集成的加速器,以及高度完整的模拟和控制外设。LaunchPad套件与TI BoosterPack插件模块兼容 — 包括 数字电源BoosterPack — 并提供多种软件支持以进一步简化开发。
2015-10-13 苹果A9处理器工艺:台积电16nm PK 三星14nm
最近在亚洲果迷们最沸沸扬扬的议题,非“iPhone6s台积电与三星A9处理器的效能与续航力效能差异莫属。 网友针对台积电与三星代工的A9处理器做测试 , 在效能的跑分或是手机的续航力表现,16纳米的台积电A9处理器明显赢过14纳米的Samsung A9处理器(测试状况详见这里 ),虽然苹果官方已表示不同代工厂出货的A9芯片都符合Apple标准,根据官方测试实际电池续航力,两者差异仅在2-3%之间,不过似乎无法平息亚洲地区果迷们的疑虑,香港果粉甚至已酝酿换机或退机风潮。
2015-09-22 Globalfoundries性能跑分告诉你:采用FD SoI的重要性
FD SoI一直宣称能提供FinFET工艺级别的性能及功耗,但制造成本却降低一个级别。在目前已有的三家代工厂中,与另外两家(ST和三星)不同的是,Globalfoundries公司缺少兄弟IC设计公司——只能接外部定单,且该公司是跳过28nm,首个推出22nm FD-SOI工艺的代工厂。那么,您是否知道22FDX到底有哪些好?
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2000亿元永远收不回的投资,换来一张五年就停止发展的TD-SCDMA网,而所谓自主知识产权比例饱受争议。蛮力改写科技产业路线,失败作结。[详细]


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