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2016-02-18 拆解华为Mate 8:布局精致,但也有“大煞风景”的排线
这次拆解的Mate 8的月光银色低配版,采用6英寸1080p显示屏,搭载麒麟950处理器,内置3GB内存和32GB机身存储空间,提供一颗800万像素前置摄像头和一颗1600万像素后置摄像头,电池容量4000mAh。
2015-11-12 IP68 级防水旗舰——索尼 XPERIA Z5拆解
在拆解了 Nexus 6P、iPhone 6s Plus 等热门旗舰后,知名拆解狂魔组织 iFixit 终于把魔爪伸向了 XPERIA Z5。借此机会,我们也好一睹 IP68 级防水旗舰的内部是如何的。
2014-02-14 (多图) 用于车载USB供电的非同步BUCK控制器
不少整车厂对USB电源有着非常严苛的要求,6V电池电压下要保证5V输出,考虑到输入端的反极性保护及线损,USB电源的输入端电压会更低。这对车载USB电源的设计是个挑战。常用的BUCK电路,出于成本考虑,会选用N沟道MOSFET。但是在车载USB电源的应用中,成本较高的P沟道MOSFET却更有优势。
2012-05-02 Diodes新型MOSFET离板高度减半
Diodes Incorporated 推出一系列采用薄型DFN2020-6封装的高效率N通道及P通道MOSFET。DFN2020H4封装的DMP2039UFDE4,离板高度只有0.4毫米,占板面积只有四平方毫米...
2012-02-17 Vishay Siliconix推出新款P沟道30V芯片级MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,引入两款在尺寸和导通电阻上设立了新的行业基准的p沟道30V器件---Si8497DB和Si8487DB,扩充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。新的Si8497DB是业内首款采用小巧的1mm x 1.5mm外形尺寸的30V芯片级MOSFET,是目前市场上尺寸最小的此类器件;而Si8487DB在1.6mm x 1.6mm外形尺寸的30V芯片级器件中具有最低的导通电阻。
2011-12-14 Aptina宣布为高清视频成像应用推出原装1080pSoC解决方案
面向全球最受欢迎的消费电子制造商提供CMOS成像解决方案的领先提供商Aptina日前宣布推出AS0260 SoC(片上系统)成像解决方案。这一200万像素的原装1080p SoC可提供出色的性能并能满足以视频为中心的消费电子市场中超薄全高清视频应用严格的尺寸要求(z-高度不超过3.5mm)。新SoC的光学格式为1/6英寸,并拥有新型1.4微米像素,采用了Aptina A-Pix技术来提供出色的弱光性能。新SoC提供1080p/30fps或720p/60fps的高清视频,其强大的图像处理能力对逼真而清晰的视频捕捉来说至关重要。
2011-08-17 Vishay推出新款P沟道TrenchFET功率MOSFET:SiB437EDKT
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,发布占位面积为1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P沟道TrenchFET功率MOSFET---SiB437EDKT。
2011-08-04 ANADIGICS公布2011年第二季度财报
<p> 驰骋于宽带无线及有线通信市场的半导体解决方案领先供应商 ANADIGICS, Inc.) 宣布其2011年第二季度的净销售额为3560万美元,环比下跌18.1%,较2010年同期下跌31.1%。截至2011年7月2日的6个月,净销售额为7900万美元,较去年同期下跌17.0%。
2011-03-14 Vishay Siliconix发布TrenchFET功率MOSFET
采用0.6mm超低外形的热增强Thin PowerPAK SC-70封装的新款30V N沟道---SiA444DJT和20V P沟道TrenchFET功率MOSFET---SiA429DJT。在2mm x 2mm的占位面积内,新的SiA444DJT实现了N沟道MOSFET当中业内最低的外形,而高度不到0.8mm的SiA429DJT具有P沟道器件中最低的导通电阻。 2010-09-17 首款计算机系统芯片 重塑笔记本电脑市场
NuSmart2816是世界首款集成了2GHz双核ARM Cortex-A9 处理器、多核2D/3D图形处理器、64位DDR2/3-1066存储控制器、1080p多格式视频引擎、SATA2控制器、USB2、Ethernet和通用I/O控制器的芯片。通过利用多次层混合总线互联技术、多级多模式功耗管理技术以及先进的40纳米芯片制造工艺,NuSmart2816芯片实现了低功耗设计需求,运行在1.6GHz时功耗不到2瓦 2010-08-27 轨至轨SiGe运算放大器提供无与伦比的速度-电源效率
<p>LTC6255/6/7 提供 6.5MHz 增益带宽积和 1.8V/us 转换率,仅消耗 65uA 电源电流。这些器件与之前推出的 180MHz 增益带宽积 1mA 电源电流的 LTC6246/7/8 结合,就提供了一个适合于多种应用的高效率运放系列。 2010-08-11 内置模拟比较器和运放的8位微控制器
<p>富士通半导体宣布推出6款MB95430H系列产品,使其F2MC-8FX家族产品阵容进一步扩大。新产品增加了内置比较器和运算放大器。MB95430H系列是F2MC-8FX家族通用产品之一,是内置闪存的高性能8位微控制器。样片已开始接受申请,并预计10月开始量产出货。 2010-08-05 具有低导通电阻的汽车用MOSFET系列
新的 MOSFET 系列器件系列在 55V 的电压下可提供低达 2.6 mΩ 的导通电阻,可以承受 40V 至100V 的电压,并涵盖了此前推出的 75V 产品。当中一些具有更高电压的器件非常适用于 24V 卡车系统,采用 D2Pak-7P 和 D2Pak 封装的新器件的最大额定电流分别为 240A 和 195 A。 2010-05-25 低功耗?P监控电路 具有极高的可靠性
Maxim推出采用1mm x 1mm晶片级封装的微处理器(?P)监控电路MAX16072–MAX16074。该系列低功耗器件省去了多个外部电阻以及监测1.8V至3.6V标称系统电压所需的调整电路,具有极高的可靠性和极低成本。 2010-01-05 14.6百万像素1080P/60帧高清CMOS影像解决方案
OmniVision Technologies, Inc.推出了14.6百万像素图像传感器,能够提供高分辨率的静止摄影和在每秒60帧完整的1080p高清晰度的动态影像。 2010-01-04 12V P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET
Vishay Intertechnology宣布,推出新款12V P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET --- SiB455EDK。该器件采用热增强的PowerPAK SC-75封装,占位面积为1.6mm x 1.6mm,具有业内P沟道器件最低的导通电阻。 2009-12-11 全新6通道集成视频滤波器支持1080p高清(HD)标准
日前,飞兆半导体 (Fairchild Semiconductor) 为高清 (HD) 液晶电视、蓝光DVD播放器和 HD 机顶盒设计人员提供业界首款具有1080p高清能力的6通道集成视频滤波器。 2009-09-10 Vishay推出突破性P沟道功率MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.日前宣布,推出一款业界最低导通电阻的新型20V P沟道功率MOSFET --- SiB457EDK,这是以往1.6mm×1.6mm占位面积的P沟道器件所不曾实现的。 2009-07-01 Vishay推出业界首款采用SO-8占位面积的30V P沟道功率MOSFET器件
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出业界首款采用SO-8占位面积的30V P沟道功率MOSFET器件 --- Si7145DP,将10V、4.5V栅极驱动下的最大导通电阻降至2.6mΩ和3.75mΩ。 2009-05-18 NCP345EVB:NCP345 6.85 V Overvoltage Protection IC Evaluation Board
?The NCP345 over voltage protection circuit protects sensitive electronic circuitry from over voltage transients and power supply faults when used in conjunction with an external P-channel FET. The device is designed to sense an over voltage condition and quickly disconnect the input voltage supply from the load before any damage can occur. The OVP consists of a precise voltage reference, a comparator with hysteresis, control logic, and a MOSFET gate driver.
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