EDN China首页 > 高级搜索 > RF

RF RF 搜索结果

RF
本专题为EDN China电子技术设计网的RF专题,内容全部来自电子技术设计网精心选择与RF相关的资讯。EDN China 是第一家关注中国电子设计领域的媒体。在过去的20年,针对中国设计经理人和工程师的不同需要,不断提供最先进和有深度的设计技术和应用。
共搜索到962篇文章
2016-06-14 RF器件跨越通信,在军事、医疗与工业领域也大放异彩
上个月底我在凤凰城拜访了NXP RF部门——事实上,这是前飞思卡尔的RF部门,NXP为了不触碰反垄断红线,一年前收购飞思卡尔的时候,将自己RF部门卖给了中国建广资本,而保留了飞思卡尔的RF部门,那时有人就打趣:亲生儿子都卖了。
2016-05-20 RF-SOI技术:加强5G网络和智能物联网应用
今天的智能手机和平板电脑内均装有射频(RF)前端模块(FEM),一般包括功率放大器(PA)、开关、可调谐电容器和过滤器。射频绝缘体上硅(RF SOI)等技术可支持移动设备调整和获取蜂窝信号——在更广泛的区域为无线设备提供持续强劲且清晰的网络连接。
2016-05-18 RF Cooking,这个能烤肉的射频器件能否颠覆烤箱?
做饭的人都知道,微波炉不能烤东西(带烧烤功能的微波炉是用加热管烤的,而非微波),在NXP FTF16上,EDN记者发现了RF Cooking这个新概念。RF这么高端的东西怎么和做饭联系起来的?
2016-04-05 如何利用开关稳压器为GSPS ADC 供电
ADC 制造商建议采用低噪声LDO(低压差)稳压器为GSPS(或RF 采样)ADC 供电,以便达到最高性能。然而,这种方式的输电网络 (PDN) 效率不高。设计人员对于使用开关稳压器直接为GSPS ADC 供电且不会大幅降低 ADC 性能的方法呼声渐高。
2016-02-17 高通RF由CMOS转向砷化镓之后,都影响了谁?
高通成功的低成本射频元件方案“RF360”,是采用半导体CMOS制程的PA,与其他PA制造商Skyworks、Avago、RFMD等PA供应商采用砷化镓(GaAs)制程不同。但据EDN之前的报道,该产品并非标准CMOS制程,而是绝缘层覆硅(SOI)CMOS,该技术想要整合到AB或BP,存在一定的技术挑战。
2015-12-28 软件将示波器变身VSA
Teledyne LeCroy的VectorLinQ软件,使该公司高端示波器得以“变身”矢量信号分析仪(VSA)。该软件针对需要开发数字调制系统的射频、光学和信号完整度工程师设计,可以分析RF调制信号和基带IQ信号,从而看到眼图和星座图等参数。
2015-11-05 CMOS PA机会来了?
功率放大器(Power Amplifier)能增加讯号的输出功率,可放大行动通讯如2G、3G、4G甚至射频(RF)讯号,在行动通讯装置电路设计中扮演重要角色。现今,主流功率放大器是以砷化镓(GaA)制程为主,不过,随着行动装置对电子组件微小化与低成本的要求日益高涨,也让标准互补式金属氧化物半导体(CMOS)制程的功率放大器,有机入进入2G以外的市场。
2015-11-04 GaN FET与硅FET的比较
RF GaN是一项已大批量生产的经验证技术,由于其相对于硅材料所具有的优势,这项技术用于蜂窝基站和数款军用/航空航天系统中的功率放大器。在文中,我们将比较GaN FET与硅FET二者的退化机制,并设计出波形监视方案。
2015-11-02 谁敢忽视女性在微波、RF和无线领域的贡献?
今年4月,本文作者在硅谷参加了WIE(Women in Engineering)领导大会。不仅99%的技术女观众让人震惊,主题演讲的豪华女演讲人阵容更让人惊叹——AMD首席执行官Lisa Su、Xerox的CTO Sophie Vanderbroek、思科的CIO Rebecca Jacoby、英特尔副总裁Patty Hatter等等。
2015-10-23 改善RF信号质量的电源线噪声对策
本文以改善RF的信号质量(频带外的不必要辐射)为目的,介绍使用了片状铁氧体磁珠和片状电感器的移动终端的PA电源线的噪声对策方法。
2015-09-06 高速和大功率是无线射频的发展方向
笙科是一家台湾专业的RF芯片设计公司。该公司专注于研发CMOS工艺的射频芯片,为客户提供高性能、低成本、高集成度的射频前端IC。
2015-08-24 IDT全新电压可变衰减器可提供比砷化镓产品高达1,000倍的线性度改进
IDT公司全新电压可变衰减器可提供比砷化镓产品高达1,000倍的线性度改进,低插入损耗、高线性度的全新RF电压可变衰减器支持1MHz 到6GHz,扩展了IDT公司的频率覆盖范围.
2015-08-06 “4G+”来了: RF前端设计,灵活性、快速交付如何权衡
随着中国电信、中国移动相继宣布推出“4G+”网络,“4G+”终端顺其自然的进入我们的视野。LTE-A、双卡、全模等需求的提出均对手机支持频段和无线性能提出了更高的要求,其技术实现也更为复杂。从LTE到LTE-A演进过程中,载波聚合的重要性也逐渐凸显。对于全模、LTE-A终端的射频前端设计与技术实现方案成为各方焦点,此外,手机等终端类产品的快速上市、尺寸减小等设计问题依然存在。Qorvo公司就以上问题进行了深入探讨。
2015-08-06 笙科推出可高速6Mbps的射频收发芯片A7196
笙科电子,于2015年8月推出6Mbps高速传输2.4GHz芯片A7196。A7196操作方式完全兼容于A7130与A7190,最大PA可至19.5dBm,A7196是一颗可高速6Mbps的射频收发芯片,支持FSK与GFSK调变, MCU透过SPI接口即可驱动A7196,包含RF操作模式以及存取内建的512 Bytes TXFIFO 与RXFIFO。
2015-07-15 一种1~3 GHz无电感型宽带低噪声放大器设计
基于电阻负反馈结构,结合理论推导,利用SMIC 0.18 μm RF CMOS 工艺,设计了一种1 ~ 3 GHz 的无电感型宽带低噪声放大器。仿真结果表明,宽带低噪声放大器在频带为1 ~ 3 GHz 时,S11 <- 15 dB,增益>14 dB,并在整个频带范围内的平坦度较好,增益波动<2.6 dB,噪声系数<3.6 dB。
2015-07-15 业内首个22nm FD-SOI工艺平台
格罗方德半导体推出业内首个22nm FD-SOI工艺平台,22FDX可为物联网、主流移动设备、RF连接和网络市场提供最佳的性能、功耗和成本组合.
2015-06-12 RF四分天下,Qorvo能否异军突起?
今年年初,RFMD与TriQuint宣布完成对等合并,成立了了全新的射频解决方案公司Qorvo。日前,Qorvo首次公开面对媒体,介绍了新公司的概况,以及射频领域的趋势、挑战和机遇。
2015-06-04 半导体业掀并购热潮,TI、ADI或遭收购
半导体业掀起购并热潮,砷化镓 RF 元件供应商安华高等纷纷出手,不少分析师认为,这波买气还没结束,点名德州仪器、类比 IC 厂Analog Devices 可能遭并。
2015-05-28 ADI推出SPDT开关为测试测量应用提供快速建立时间
Analog Devices, Inc.(ADI)日前推出了一款专门用于9 KHz至13 GHz频段的吸收式单刀双掷(SPDT)开关HMC1118LP3DE,它具有48dB的高隔离度,在8 GHz条件下运行时仅有0.6dB的低插入损耗。 HMC1118LP3DE是ADI公司的新型RF和微波控制产品组合中的第一款产品,展现了硅工艺技术的固有优势,与传统的GaAs(砷化镓)RF 开关相比具有重大明显优势。
2015-05-07 (多图)电路笔记:RF至位解决方案可提供6 GHz信号的精密相位和幅度数据
电路可精确地将400 MHz至6 GHz RF输入信号转换为相应的数字幅度和数字相位。该信号链可实现0°到360°相位测量,900 MHz时精度为1°。该电路采用一个高性能正交解调器、一个双通道差分放大器以及一个双通道、差分、16位、1 MSPS逐次逼近型模数转换器(SAR ADC)。
今日焦点
说说TD-SCDMA的经验和教训

说说TD-SCDMA的经验和教训

2000亿元永远收不回的投资,换来一张五年就停止发展的TD-SCDMA网,而所谓自主知识产权比例饱受争议。蛮力改写科技产业路线,失败作结。[详细]


打开微信“扫一扫”,打开网页后点击屏幕右上角分享按钮

1.扫描左侧二维码
2.点击右上角的分享按钮
3.选择分享给朋友
数据手册相关热门搜索

每月定期向您递送电子元器件规格书网中的最新元器件数据手册下载、库存信息及技术参数更新。请点击订阅:

《微波及射频》

5G网络在提供1Gbps至10Gbps吞吐量方面具有很好的前途, 并且功耗要求比今天的网络和手机都要低,同时还能为关键应用提供严格的延时性能。
热门小组
有问题请反馈