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4兆位
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共搜索到8篇文章
2009-02-10 RAMTRON宣布为4兆并口非易失性F-RAM存储器提供FBGA封装选择
Ramtron International Corporation宣布提供采用最新FBGA 封装的4兆 (Mb) F-RAM存储器。
2008-08-04 其阳科技选择Ramtron的4兆F-RAM存储器用于游戏机解决方案
其阳科技选择Ramtron的4兆 F-RAM存储器用于先进的以工业PC为基础的游戏机解决方案,F-RAM替代电池供电的SRAM,确保数据的完整性并减少元器件数量。
2008-03-28 Ramtron的4兆F-RAM存储器获《今日电子》年度产品奖
Ramtron之FM22L16荣获《今日电子》杂志颁发年度产品奖殊荣。FM22L16作为半导体业界首个4兆 (Mb) 非易失性F-RAM存储器,能够从百多项产品中脱颖而出,在于成功达到针对设计创新性、性价比与技术先进水平的评选标准。
2007-11-27 RAMTRON的4兆非易失性F-RAM存储器荣获EDN CHINA创新奖
Ramtron宣布荣获业界知名的《电子设计技术》杂志EDN China颁发2007年度创新奖之优秀产品奖。
2007-08-07 4兆非易失性FRAM存储器
4Mb非易失性? FRAM存储器FM22L16是高容量的FRAM产品,其容量是原有最大FRAM存储器容量的四倍。FM22L16采用44脚薄型小尺寸塑封 (TSOP) 封装,工作电压为3V,具有高访问速度、几乎无限的读/写次数和低功耗等特点。FM22L16与异步静态 RAM (SRAM) 在管脚上兼容,并适用于工业控制系统如机器人、网络和数据存储应用、多功能打印机、自动导航系统,以及许多以SRAM为基础的系统设计。
2007-05-09 4兆FRAM采用130nm工艺生产
铁电存储器 (FRAM)具有RAM级别的写入速度,能实现无限次数的擦写,还可以采用低电压进行写入。Ramtron公司推出4兆 (MB) 130纳米FRAM存储器。
2007-03-29 Ramtron推出首个4兆非易失性FRAM存储器
Ramtron International Corporation宣布推出半导体业界首个4兆 (Mb) FRAM存储器,这是目前最高容量的FRAM产品,其容量是原有最大FRAM存储器容量的四倍。
2004-03-01 意法半导体推出总线频率达50MHz的16和32兆串行闪存
意法半导体在其现有串行闪存家族中又增加了两个密度更高的新成员:16兆位的 M25P16 和32兆位的 M25P32。新闪存工作频率高达50MHz。此外,ST还将512千位、1兆位、2兆4兆位和8兆位器件的工作频率从25MHz提高到40MHz。
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