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双高压
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2009-07-13 (多图) 正激变换器软开关拓扑的分析与评价
双正激变换器广泛应用于中、大功率场合,为了提高变换器的功率密度和效率,必须提高开关频率并减少开关损耗,这就要求开关管工作在软开关方式。本文系统的分析了双正激变换器软开关拓扑的主要工作原理、优缺点和应用场合,并选取一种新型的正激软开关组合变换器拓扑作为高压直流输入航空静止变流器的DC/DC级拓扑,成功研制了一台4KW的原理样机,并给出了实验结果。
2009-05-08 Diodes推出高压SBR整流器系列的第一款器件
近日,Diodes公司推出高压超势垒整流器 (Super Barrier Rectifier,简称SBR)系列的第一款器件SBR10U200P5。该系列采用热效率和紧凑的专有PowerDI5封装,具有卓越的超低热阻,使SBR10U200P5能以减少40%的占位面积,实现倍的功率密度。
2009-04-24 IR推出适用于动力系统及电池管理应用的新型200V IC
国际整流器公司推出AUIRS4427S低侧驱动IC,适用于低、中、高压汽车应用,包括通用电机驱动器、汽车DC-DC转换器及混合动力系统驱动器
2008-10-31 九洲电气1.5MW馈风电变流器满功率并网
近日,哈尔滨九洲电气股份有限公司自行研发具有自主知识产权的1.5MW馈风力发电机组用变流器在公司高压变流试验站实现满功率并网。该试验平台采用德国VEM1.5MW原装双馈发电机,以2MW异步电机拖动,实现了满功率并网发电运行,各项性能指标达到设计要求。
2008-10-20 Maxim推出业内尺寸最小的便携式媒体播放器电源管理方案
Maxim推出8通道/4通道高压多路复用器MAX14752/MAX14753。这些器件具有极低的漏电流(最大值为20nA)、低导通电阻(典型值为60Ω)和低导通电阻平坦度(典型值为0.03Ω),极大地减小了开关输入端串联限流电阻引入的电压误差。
2008-04-25 芯片雄同时遭遇瓶颈 AMD酝酿"绝地反击"
英特尔和AMD,芯片雄长达40年的对抗仍在继续,只是本周更加惨烈。英特尔财报称,净利同比下滑12%;而AMD的裁员消息,也在业界着实掀起了一阵波澜。在英特尔高压下生存并不容易,而AMD从“追随者”变成了“挑战者”,更屡屡成为创新的“领跑者”。
2007-08-31 Fairchild推出首款安全数据双端口多路复用器
飞兆半导体的 FSSD06 是首款多路复用器,同时支持高压压安全数字 (SD)/安全数字 I/O (SDIO)/多媒体卡 (MMC),并具有扩展 ASIC 和基带处理器 SDIO 端口的能力。
2006-09-28 NS34V高保真度音频运算放大器可将失真率降低至0.00003%
美国国家半导体公司最新推出的高保真度组装音频运算放大器只有 0.00003% 的总谐波失真及噪声。换言之,这款型号为 LM4562 的运算放大器几乎完全没有失真,是一系列全新的高性能音频芯片产品,与新推出的LM4702 高压立体声驱动器均属于同一系列的全新音频产品。
2006-06-29 ST推出新一代谐振半桥拓扑专用高压集成电路
意法半导体推出一个先进的专门为串联谐振半桥拓扑设计的终接控制器芯片。
2006-03-07 具有低正向压降的高压肖特基势垒整流器
Vishay推出业界基于 Trench MOS 技术的肖特基势垒整流器。这五款新型 TMBS 器件可在开关模式电源中作为整流电路或 OR-ing 二极管,或可替代同步整流解决方案,它们在同类型封装的肖特基二极管中具有最低的正向压降。
2006-01-19 Vishay具有0.375V最低正向压降的高压肖特基势垒整流器
Vishay宣布推出业界首款基于 Trench MOS 技术的肖特基势垒整流器。这五款新型 TMBS? 器件可在开关模式电源中作为整流电路或 OR-ing 二极管,或可替代同步整流解决方案,它们在同类型封装的肖特基二极管中具有最低的正向压降。
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2000亿元永远收不回的投资,换来一张五年就停止发展的TD-SCDMA网,而所谓自主知识产权比例饱受争议。蛮力改写科技产业路线,失败作结。[详细]


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