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三栅极
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2014-09-12 旺宏存储器涵盖全系列规格,在汽车电子有很大提升空间
日前,在IIC-China 2014展会上,旺宏(香港)有限公司总经理谢浩纬于汽车电子论坛指出,在非易失性存储器(NVM)技术中,浮置栅极技术在演进到3xnm、2xnm时会遇到物理极限,这就需要新的技术来替代。旺宏目前在研发的用于未来NVM的技术有种:垂直栅极(VG) 3D NAND、PCM(相变存储器)和ReRAM(可变电阻式存储器)。
2014-05-08 Stratix 10 FPGA和SoC客户设计的内核性能提高两倍
Altera客户树立业界里程碑——采用Stratix 10 FPGA和SoC,内核性能提高了两倍.HyperFlex新体系结构以及Intel 14 nm栅极工艺技术前所未有的提高了性能.
2014-04-25 Altera展示基于Intel 14 nm栅极工艺的FPGA技术
Altera树立业界里程碑:展示基于Intel 14 nm栅极工艺的FPGA技术,14 nm FPGA测试芯片确认了在使用业界最先进的工艺技术时Altera获得的性能、功耗和密度优势.
2014-04-21 栅极技术给FPGA带来突破性优势
本文考察了半导体制造业中晶体管设计从传统平面向3D结构转化的影响,以及其对可编程逻辑器件性能的显著提升。
2013-10-31 Altera发布有史以来最先进产品Stratix 10 SoC
Altera日前宣布采用Intel 14nm栅极工艺制造的Stratix 10 SoC器件,它率先在FPGA平台上采用高性能四核64位ARM Cortex-A53处理器系统,被Altera称为该公司有史以来最先进的产品。
2013-02-27 Altera采用Intel 14 nm栅极技术开发下一代高性能FPGA
Altera公司和Intel公司今天宣布,双方已经达成协议,未来将采用Intel的14 nm栅极晶体管技术制造Altera FPGA.
2012-02-20 基于ADS平台不对称Doherty功率放大器的仿真设计
为在高线性的前提下提高WCDMA基站系统中功率放大器的效率,仿真设计了一款工作于2.14 GHz频段不对称功率驱动的Deherty功率放大器。基于ADS平台,采用MRF6S21140H LDMOS晶体管,通过优化载波放大器和峰值放大器的栅极偏置电压改善阶互调失真(IMD3),同时通过调节输入功率分配比例改善由于峰值放大器对载波放大器牵引不足导致的失配问题,从而改善不对称Doberty功率放大器的输出性能。
2011-10-24 英特尔3-D栅极晶体管设计被评为2011年科技创新奖
《华尔街日报》近日公布2011年“科技创新奖”,英特尔的3-D栅极晶体管设计获得半导体类别创新大奖。英特尔的3-D三栅极晶体管结构代表着从2-D平面晶体管结构的根本性转变。
2009-11-27 MOS管驱动基础和时间功耗计算
MOSFET 驱动器的功耗包含部分:1. 由于MOSFET栅极电容充电和放电产生的功耗。2. 由于MOSFET 驱动器吸收静态电流而产生的功耗。3. MOSFET 驱动器交越导通(穿通)电流产生的功耗。
2007-08-01 65nm工艺的Virtex-5 FPGA平台
Virtex-5 LXT平台提供了内建PCI Express端点模块和三重模式以太网媒体访问控制器(MAC)模块。基于65 nm Virtex-5平台和ExpressFabric技术、成熟的ASMBL架构和低功耗栅极氧化层技术,与前一代90nm FPGA相比,该平台整体性能平均提高30%,容量提高65%,动态功耗降低35%。
2006-06-08 选一的信号开关
本设计实例使用一个单刀瞬时接触开关,通过滚动三个输出态选择三个信号源中的一个。图1中的电路包括常用的CD4000 CMOS逻辑系列器件,以及一只通用NPN晶体管。所有元件的总成本不超过1美元。在任何一个时点上,电路的个输出CH1、CH2或CH3都只有一个为低,可以用这些输出控制模拟开关、继电器或JFET开关的栅极。只要电路加电,选定的输出就不会变化,因而该电路很适合于需要非易失性操作的应用。在25℃室温下的平均静态电流消耗只有约15mA,这对电池供电的应用也是个微不足道的值。
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