EDN China首页 > 高级搜索 > Fab

Fab Fab 搜索结果

Fab
本专题为EDN China电子技术设计网的Fab专题,内容全部来自电子技术设计网精心选择与Fab相关的资讯。EDN China 是第一家关注中国电子设计领域的媒体。在过去的20年,针对中国设计经理人和工程师的不同需要,不断提供最先进和有深度的设计技术和应用。
共搜索到58篇文章
2013-07-01 X-FAB针对可携式模拟应用提供180nm优化的工艺
X-FAB针对可携式模拟应用提供180nm优化的工艺,XP018增强后的核心减少了5V组件的光罩层数,提供低导通电阻的5V与12V组件的新选择以降低芯片成本
2013-07-01 瑞萨电子亮相2013北京国际工业智能及自动化展览会
X-FAB针对可携式模拟应用提供180nm优化的工艺,XP018增强后的核心减少了5V组件的光罩层数,提供低导通电阻的5V与12V组件的新选择以降低芯片成本
2012-11-23 华大九天FAB搭起芯片设计与制造的EDA桥梁
器件采用模塑外壳,其功率高达36W,阻值低至100μΩ,采用8515封装尺寸
2012-11-09 180奈米200V MOS独立沟槽电介质SOI工艺
X-FAB发表首创的200V SOI工艺,XT018在单一芯片上提供多重的高压区块.
2012-11-05 X-FAB收购MFI大部分股份
X-FAB收购MFI大部分股份,MFI更名为 X-FAB MEMS Foundry Itzehoe
2012-10-12 X-FAB投5000万美金于MEMS运营
X-FAB Silicon Foundries,今日宣布为了MEMS的营运将在未来的三年投资5000万美金以上在无尘室、新设备、研发与人员,这些投资也反映X-FAB意义深远地聚焦在MEMS以因应预期中MEMS的成长。
2012-09-24 X-FAB进入3D 开启MEMS产业新世代
今日又再次发表业界首个为微机电系统(MEMS)三轴惯性传感器(3D inertial sensor)提供的开放性平台,一个可以直接从代工厂量产的工艺。
2012-06-13 X-FAB完成贵金属MEMS设施与內部金属加工
前几周在美国的传感器博览会展示和会议上,X-FAB Silicon Foundries宣布两大MEMS里程碑:其MEMS和后CMOS工艺专用的贵金属设施竣工- 和完成发运十亿颗MEMS器件。
2012-04-27 GLOBALFOUNDRIES Fab 8添置工具以实现20nm及更尖端工艺的3D芯片堆叠
GLOBALFOUNDRIES今天宣布,在为新一代移动和消费电子应用实现3D芯片堆叠的道路上,公司达到了一个重要的里程碑。
2011-11-18 2012年芯片设计主流技术正式迈入28nm
随着半导体新厂建造成本由2005年约20亿~30亿美元攀升至2010年的30亿~40亿美元水准后,预估至2015年更将一举超越50亿美元大关。基于持续攀升的新厂成本早已超出整合元件制造厂正常资本支出能够支应范围,因此,部分IDM选择将晶圆制造订单部分委外至晶圆代工(Foundry)业者,同时保留既有产线专注核心产品线生产,形成轻晶圆厂(Fab-Lite)营运模式。
2011-11-16 TI 加大C2000实时控制微控制器设计与生产投资
近日,德州仪器 (TI) 宣布其在高性能实时控制 TMS320C2000 系列MCU设计与生产上的投资取得明显进展,从而能够显著缩短交货周期,更加及时有效地满足中国客户开发需求。与此同时,TI C2000 MCU 全球出货超过一亿颗,极大地推动了诸如节能电机控制、可再生能源、数字电源和照明等应用的技术创新。在过去的几个月中,TI 通过增加新的FAB厂,增加新的产能以及新的客户支持团队等一系列措施来提升C2000 MCU生产和支持能力,从而极大的提升了交货速度和客户支持能力。
2011-10-13 eSilicon与MIPS宣布28纳米下1.5GHz处理器集群
独立半导体价值链制造者 (value chain producer,VCP) eSilicon 公司,以及业界标准处理器架构与内核的领导厂商 MIPS 科技公司共同宣布,已采用 GLOBALFOUNDRIES 的先进低功率 28 纳米 SLP 制程技术,在 GLOBALFOUNDRIES 位于德勒斯登 (Dresden) 的 Fab 1 进行高性能、三路微处理器集群的流片,预计明年初正式出货。
2011-10-11 X-FAB认证Cadence物理验证系统用于所有工艺节点
Cadence 设计系统公司,日前宣布顶尖的模拟/混合信号半导体应用晶圆厂X-FAB,已认证Cadence物理验证系统用于其大多数工艺技术。
2011-07-13 东芝与Sandisk共庆NAND闪存工厂Fab 5正式投产
?东芝株式会社 与SanDisk公司日前共同庆祝位于日本三重县四日市东芝生产基地的第三家300mm晶圆NAND生产工厂Fab 5正式投产。
2011-05-05 GF用MEMS深挖200mm生产线潜能
对于300毫米晶圆来说,在过去的5-8年中已有越来越多的IDM开始进行外包生产,交给Foundry厂来进行晶圆制造,即便是像TI这样一个IDM大厂,也已经开始其生产外包,即采取fab-lite策略。
2011-04-11 SEMI预测:2011年全球LED用晶圆处理能力将提高50%
国际半导体制造装置材料协会(SEMI)发布了最新的“Opto/LED Fab Forecast”。公布了今后全球LED量产线新建数量、制造装置的设备投资额及晶圆处理能力等预测。
2011-04-08 SEMI:LED制造厂投资积极 推动2011年设备支出增长40%
随着LED技术在LCD背光领域的广泛接受及在通用照明领域的快速增长,SEMI最新报告SEMI OptoLED Fab Forecast显示,LED制造商已经做好准备来满足巨大需求。LED产业已经吸引了大量资本投入到产业链中,从设备、材料、外延及封装部分。
2011-03-07 SEMI:2011年晶圆厂资本支出将增长22% 创历史新高
根据SEMI World Fab Forecast的报告,2011年全球晶圆厂项目支出,包括建设、设施、设备,将较2010年增长22%,其中设备支出(包括新设备和二手设备)将增长28%。该分析报告基于近期所宣布的资本支出计划,主要来自代工厂商和存储芯片厂商。
2010-09-06 GlobalFoundries完成首颗28nm ARM Cortex-A9处理器
GF透露,这次TQV是今年八月份在位于德国德累斯顿的Fab 1晶圆厂内完成的,使用了一整套优化的ARM Cortex-A9物理IP,能从每一个方面模拟真正的SoC产品,从而实现最大程度的频率分析、缩短产品设计周期的时间,还有完整的可测性设计(DFT)。
2010-07-24 X-FAB推出100V高电压0.35微米晶圆制程
X-FAB发表第一套100V高电压0.35微米晶圆制程。 当运用在电池管理方面,可实现更上层楼的可靠性、高效能电池管理与保护系统,也最适合于电源管理应用与运用压电驱动器的超音波影像处理和喷墨打印头应用。
今日焦点
说说TD-SCDMA的经验和教训

说说TD-SCDMA的经验和教训

2000亿元永远收不回的投资,换来一张五年就停止发展的TD-SCDMA网,而所谓自主知识产权比例饱受争议。蛮力改写科技产业路线,失败作结。[详细]


打开微信“扫一扫”,打开网页后点击屏幕右上角分享按钮

1.扫描左侧二维码
2.点击右上角的分享按钮
3.选择分享给朋友
数据手册相关热门搜索

每月定期向您递送电子元器件规格书网中的最新元器件数据手册下载、库存信息及技术参数更新。请点击订阅:

《微波及射频》

5G网络在提供1Gbps至10Gbps吞吐量方面具有很好的前途, 并且功耗要求比今天的网络和手机都要低,同时还能为关键应用提供严格的延时性能。
热门小组
有问题请反馈