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5nm
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共搜索到93篇文章
2016-04-29 脱发工程师自救:650nm 5mW软激光增发 能成么?
现在脱发的人越来越多,特别是男性——小编身边就有好几个朋友才二三十岁就开始掉发,使用了各种方法但却效果不大。脱发会使人感到自卑,最终形成心理疾病。
2016-02-23 研华推出第5代远程管理平台,图形显示性能增强两倍
研华于日前推出了全系列嵌入式计算平台,基于英特尔14nm制造工艺的全新英特尔?赛扬?/奔腾处理器SoCs 将英特尔的创新技术和处理器植入嵌入式计算系统,大幅提升效率,并且增强两倍的图形显示性能,同时延长9%的电池寿命。
2016-02-02 首批16nm高端FinFET FPGA正式发售 较28nm性能功耗比提升2-5
丰富的UltraScale+产品组合充分发挥赛灵思在28nm、20nm和现在16nm技术节点上的领先优势,相对于28nm 器件能将系统级性能功耗比提升2-5倍。
2015-12-07 摩尔定律要终结?台积电2017年将上7nm
台积电将于2017年试产7nm,而且5nm也在研发当中。再加上此前其已经明确表示10nm工艺会在明年下半年完成量产,这家台湾晶圆厂的工艺已超越英特尔和三星。摩尔定律还是要继续延续下去了!
2015-10-15 首款5nm测试芯片成功流片,半导体技术终将迈进5nm?
2015年10月14日,比利时微电子研究中心imec与全球电子设计创新领先企业Cadence设计系统公司(NASDAQ: CDNS) 今天共同宣布,使用极紫外光(EUV)及193浸式(193i)光刻技术,两家公司携手完成对5纳米测试芯片的第一次成功流片。
2015-10-08 业界首款16nm All Programmable MPSoC提前发货
Xilinx宣布业界首款 16nm All Programmable MPSoC提前发货,Zynq UltraScale+ MPSoC可为新一代系统提供 5 倍的系统级性能功耗比,以及兼具保密性与安全性的任意互连功能.
2015-07-06 Xilinx投片业界首款All Programmable多处理器SoC
Xilinx 宣布投片业界首款All Programmable多处理器SoC,采用TSMC 16nm FF+工艺并瞄准嵌入式视觉、ADAS、I-IoT以及5G系统开发.系统级性能功耗比提升5倍,支持任意连接,并提供新一代高度灵活的标准平台所需要的安全性与保密性.
2015-03-02 台积电预计2017年量产10nm
而台积电首度表示,今年预期将会有半导体产业界最大规模的资本支出,其目标是巩固其晶圆代工市场领导地位,以对抗英特尔、三星(Samsung)与Global Foundries等竞争者。台积电将 2015年资本支出预算提高至115亿美元至120亿美元,较 2014年成长11.5~20%,主要原因是对市场的先进制程需求深具信心。
2015-03-02 三星称5nm工艺芯片制造完全没问题
近日,中国大陆平板显示配套产业取得了两大突破:一是深圳市清溢光电8.5代TFT掩模版成功下线,打破了国外企业在大尺寸TFT掩模版这一领域的技术垄断;二是东旭光电将斥资30亿元投建3条第五代TFT-LCD用彩色滤光片(CF)生产线,顺利切入面板产业上游关键原材料的彩色滤光片领域。
2014-10-13 选择合适的转换器:JESD204B与LVDS对比
JESD204B接口是一个串行解串器链路规范,允许12.5Gbps的最大数据速率传输。使用高级工艺(例如65nm或更小)的转换器支持该最大数据速率,还可提高电源效率。系统设计人员可充分利用该技术相对于低压差分信号 (LVDS) DDR的优点。
2014-07-25 7nm5nm时代或真的到来
7nm5nm现在都处于理论研究阶段,具体如何去做还远未定案,而且随着硅半导体技术复杂度的大幅提高,相信实现它们的代价也会高得多,即便是Intel这样的巨头也会感到很棘手,不过Paul Otellini向大家保证说,这两种新工艺“正在按时向目标迈进”。新材料和新晶体管结构有可能把摩尔定律延伸至1.5nm,因此IC制造商有非常大的可能性使芯片的制造工艺达到10nm,但是要进入7nm及以下将会面临许多挑战。最大的问题是至今没有达到7nm,能不能达到5nm更是问题,至于3nm那是不可预知的。
2014-03-24 升特发布用于先进通信系统的超高速ADC和DAC
升特发布用于先进通信系统的超高速ADC和DAC,升特公司利用IBM 先进的32nm SOI 技术开发出5.8 有效位数的64GSPS ADC 和DAC核.
2013-08-29 首款ASIC级UltraScale架构FPGA支持新一代智能系统更高性能要求
继在28nm取得瞩目成绩后,赛灵思在20nm工艺节点上继续领先,投产业界首款20nm All programmable器件,并发布行业第一个ASIC级可编程架构UltraScale。这一创新的架构从布线、时钟、功耗管理等多个方面各个击破,并通过Vivado设计套件进行协同优化,可比同类竞争产品提前一年实现1.5倍~2倍的系统级性能和可编程集成度。
2013-07-11 Xilinx投片首个ASIC级可编程架构的行业首款20nm器件
Xilinx投片首个ASIC级可编程架构的行业首款20nm器件,20nm UltraScale器件相对竞争产品,提前一年实现1.5至2倍的系统级性能和可编程系统集成度.
2013-07-01 X-FAB针对可携式模拟应用提供180nm优化的工艺
X-FAB针对可携式模拟应用提供180nm优化的工艺,XP018增强后的核心减少了5V组件的光罩层数,提供低导通电阻的5V与12V组件的新选择以降低芯片成本
2013-07-01 瑞萨电子亮相2013北京国际工业智能及自动化展览会
X-FAB针对可携式模拟应用提供180nm优化的工艺,XP018增强后的核心减少了5V组件的光罩层数,提供低导通电阻的5V与12V组件的新选择以降低芯片成本
2013-03-15 白牌平板仅200元 盈方微多核战略成推手
盈方微此次发布的是双核处理器iMAPx15,号称“单核的真正颠覆者”。据盈方微总裁李兴仁介绍,该处理器起价仅5.8美元/颗,采用台积电40 nm LP 低功耗工艺,集成了高性能双核ARM Cortex -A5MP (1.2×2 GHz )以及单核Mali -400 3D图形处理器。
2013-01-23 中科院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心将展示多项集成工艺方案
致力于CMOS前沿工艺及其它硅基集成电路相关技术研究——中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心,将在IIC China 2013上展示多项集成工艺方案,包括:0.5 ?m CMOS 集成工艺方案、22 nm CMOS HKMG集成工艺方案、MEMs器件集成工艺方案、特种分立器件的工艺方案等。
2012-07-04 看好2.5G和3G手机市场 展讯推进平台化策略
会议现场展示了包括EDGE/Wi-Fi版的1GHz低成本智能手机芯片SC6820和基于40nm CMOS工艺的2.5G基带芯片SC6530的多款手机终端。
2012-06-27 中芯国际和新思科技扩展40nm低功耗Reference Flow 5.0
新思科技公司(Synopsys)与中芯国际集成电路制造有限公司(SMIC)今日宣布:从即日起推出其40纳米RTL-to-GDSII参考设计流程的5.0版本。
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说说TD-SCDMA的经验和教训

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2000亿元永远收不回的投资,换来一张五年就停止发展的TD-SCDMA网,而所谓自主知识产权比例饱受争议。蛮力改写科技产业路线,失败作结。[详细]


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