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硅功率
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共搜索到18篇文章
2016-06-14 MACOM引入全新300W塑封氮化镓功率晶体管
MACOM日前宣布推出其针对大规模固态射频能量商业应用而优化的全新塑封300W硅基氮化镓功率晶体管产品MAGe-102425-300。MAGe-102425-300相比LDMOS产品,能够在效率和功率密度大幅度提高的情况下确保氮化镓性能和成本结构。
2016-05-20 RF-SOI技术:加强5G网络和智能物联网应用
今天的智能手机和平板电脑内均装有射频(RF)前端模块(FEM),一般包括功率放大器(PA)、开关、可调谐电容器和过滤器。射频绝缘体上(RF SOI)等技术可支持移动设备调整和获取蜂窝信号——在更广泛的区域为无线设备提供持续强劲且清晰的网络连接。
2016-04-05 Navitas: 业界首款氮化镓驱动与功率集成芯片(GaN Power IC)
AllGaN 单片集成了650V氮化镓开关管,驱动电路和逻辑电路,其开关速度是类开关管的10倍至100倍,以达到更高系统功率密度,更高效率和更低成本。
2015-11-04 GaN FET与FET的比较
RF GaN是一项已大批量生产的经验证技术,由于其相对于硅材料所具有的优势,这项技术用于蜂窝基站和数款军用/航空航天系统中的功率放大器。在文中,我们将比较GaN FET与FET二者的退化机制,并设计出波形监视方案。
2014-06-27 宜普电源转换公司的氮化镓技术荣获电子技术设计杂志十周年创新技术优秀奖
作为MOSFET器件的替代技术,宜普电源转换公司的增强型氮化镓(eGaN)功率晶体管技术荣获业界著名杂志颁发创新技术优秀奖.
2011-08-18 安森美半导体推出带开关控制器的电流镜:CAT2300
应用于高能效电子产品的首要高性能方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor)推出带开关控制器的电流镜CAT2300,将这器件与安森美半导体的NTMFS4833NS或NTMFS4854NS SENSEFET功率MOSFET器件结合使用,能提供紧凑、高能效的电流监控方案。
2011-07-31 提供低损耗大功率的MOSFET
功率二极管的PN结通常有大约1.2V的压降。这个压降使得功率二极管上消耗了相当的能量,从而造成电源效率的损失。对于一个有120W电源和24V标称电压的太阳能板,一个防止回流的二极管可能产生6W功率损失,或相当于受控能量的5%。此外,为二极管散热而开发一个冷却系统的成本也可能产生问题。
2010-09-29 (多图) 功率MOSFET在电源转换领域的发展已经走到尽头了吗?
在过去三十多年中,随着我们日常生活对电能需求的不断增加,功率MOSFET结构、技术和电路拓扑也紧跟着不断创新,电源管理效率和成本随之得到了稳步改善。然而在最近几年,随着功率MOSFET逐渐接近其理论极限,这种改善速度在不断减缓。
2010-09-29 EPC的eGaN要替代MOSFET和IGBT
EPC称,其率先推出的商用增强型(enhancement-mode)硅基板氮化镓(GaN-on-Silicon)功率晶体管器件,产品性能高于传统功率MOSFET数倍,可适用于服务器、基站、笔记本电脑、手机、LCD显示器、D类功率放大器等。
2010-07-28 高性能、小尺寸功率SMD LED器件系列
VLMR51、VLMK51、VLMY51和VLMW51器件采用高发光效率的InGan和AllnGaP上技术,具有8.5lm~30.6lm的光通量和2850mcd~9750mcd的发光强度。这些LED具有低至100k/W的极低结至环境热阻,功率耗散高达738mW,从而使驱动电流高达200mA。
2009-09-24 (多图) 基于SG3525的DC/DC直流变换器的研究
随着电能变换技术的发展,功率MOSFET在开关变换器中开始广泛使用。为此,美国通用半导体公司推出了SG3525,以用于驱动N沟道功率MOSFET。
2008-04-09 Avago 高功率黄色光和红色光LED产品
安华高科技宣布,面向各种建筑、庭园和装饰照明应用,推出第一款1 W高功率Moonstone LED系列产品。Avago的ASMT-Mx00是一款采用抗高温和抗紫外线树脂复合物封装,具备高稳定度和长效寿命的高电源效率LED产品,这款相当具有价格竞争力的LED提供有黄色光和红色光输出选择,为固态照明应用设计工程师带来具备宽广视角发光模式和卓越散热能力,并且使用容易的功率LED产品。Avago是为通信、工业和消费类等应用领域提供模拟接口零组件的领导厂商。
2006-12-04 28V InGaP/GaAs HBT功放提供出色线性度和高效率
长期以来,制造功率放大器的主要工艺技术一直是LDMOS,但采用硅LDMOS制造工艺的功率放大器,往往不能满足在达到出色的线性度的情况下又具有很高的效率。
2006-08-16 锁闭电流吸收器可响应窄的触发脉冲
晶闸管或控整流器(SCR)为把功率传给负载提供了一种方便的锁闭(Latching)机制。然而,一旦晶闸管导通,它就不能控制电流,这时只能由外部元件来限制电流。
2006-03-28 摩尔定律让位于创新
摩耳定律的经济性——即在每平方毫米的片上排列越来越多的晶体管——可以持续地按照比例降低成本。但是,目前晶体管的特性是以分隔它们的原子数目来衡量的,功率已成为制约摩尔定律的一大因素。
2006-03-12 多输出DC/DC电源模块使系统设计与操作更加简单
设计工程人员面临许多挑战,其中之一就是为不断发展的中等功率(每板100W)桌面、数据通讯及电信系统提供低电压配电架构。最新产品的工作电压正逐渐步入1.0V~2.5V的范围。在计算机与电信系统中,每个电路板上都必须实现 dc 电源总线隔离,而其中的典型电源解决方案主要由昂贵的多种系列单输出隔离式 dc/dc 电源模块组成。
2005-01-17 鼎芯半导体推出DECT和PHS手机终端射频IC功放
鼎芯半导体 (英文Comlent), 一家总部设在上海张江高科技园区的无晶圆工厂(fabless)射频集成电路 (RFIC)芯片设计企业, 今天宣布开始提供中国第一颗基于BiCMOS工艺,用于1.9GHz 的射频集成电路功率放大器(PA)工程样片。
2003-11-12 Artesyn Technologies设计出高功率负载点DC/DC转换器
Artesyn Technologies公司目前扩充了其负载点转换器范围,现在无需改变体积或面积即能增加三个之一的功率。用最高20 或40A 的电流,提供了一个可为今天使用的几乎所有低压进行调整的单输出,"C-class"非绝缘式DC/DC 转换器专为开放式单板结构的重要应用系统而优化设计。
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说说TD-SCDMA的经验和教训

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2000亿元永远收不回的投资,换来一张五年就停止发展的TD-SCDMA网,而所谓自主知识产权比例饱受争议。蛮力改写科技产业路线,失败作结。[详细]


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