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金属栅
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2012-06-04 GLOBALFOUNDRIES硅晶验证28纳米AMS 生产设计
在下周于加利福尼亚州旧金山举办的设计自动化会议上,GLOBALFOUNDRIES 拟利用前栅极高K金属级技术展示其28纳米超级功耗技术改进的硅晶验证设计流程。
2012-03-22 GlobalFoundries德累斯顿工厂出货超25万枚32nm HKMG晶圆
GLOBALFOUNDRIES今日宣布,其在德国德累斯顿的Fab1工厂已经出货了超过25万个基于32纳米高K金属制程技术的半导体晶圆。
2012-03-15 ARM发布首款针对GLOBALFOUNDRIES 28nm的Cortex-A9优化包
ARM近日发布了ARM Cortex-A9 MPCore处理器优化包(POP),将应用于GLOBALFOUNDRIES 28纳米超低功耗高K金属(HKMG)制程技术。
2012-03-15 德州仪器推出面向小型蜂窝基站及宏基站的多标准 SoC
ARM近日发布了ARM Cortex-A9 MPCore处理器优化包(POP),将应用于GLOBALFOUNDRIES 28纳米超低功耗高K金属(HKMG)制程技术。
2009-11-18 IR推出采用焊前金属的汽车级绝缘双极晶体管
日前,国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出采用焊前金属 (Solderable Front Metal,SFM) 的 1200V 绝缘双极晶体管 (IGBT) AUIRG7CH80K6B-M,适用于电动汽车 (EV) 、混合电动汽车 (HEV) 和中功率驱动器中的高电流、高电压汽车逆变器模块。?
2008-12-24 45纳米技术的选择
随着45nm技术的临近,与之对应的一些技术却正被延迟,如用于金属的高k介质、和3D结构等。而此工业所赖以生存的,用以增强迁移率和驱动电流的应变工程技术如期而至。
2008-09-24 中国功率器件市场增速放缓MOSFET是亮点
在中国功率器件市场中,电源|稳压器管理IC仍旧占据市场首要位置,MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)位于第二位,大功率晶体管位于第三位,此三大产品销售额占整体市场的80%以上。IGBT(绝缘双极晶体管)销售额虽然不大,但随着其在工业控制、消费电子领域中应用的不断增多,其市场销售额保持着较快的增长,是中国功率器件市场中的新兴产品。
2008-08-14 (多图) 探索未来半导体制造的新材料:工艺的革命
通过不断的比较材料特性,来寻找适合ALD和CVD使用的高k和金属材料前驱物。对于32nm技术节点来讲,材料的挥发性,输运方式以及纯度等问题变得至关重要。
2007-08-03 新兴终端用户驱动分立功率半导体市场增长
金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)和绝缘双极晶体管(IGBT)领域的革新,多少弥补了这个成熟产品领域缺乏技术创新的现状。这些革新有益于促使将分立功率半导体引入新应用,并且探索新的终端用户市场机会。
2003-09-12 新一代晶体管技术提高速度近三成
AMD向业界介绍了采用全耗尽绝缘硅 (FDSOI) 技术的晶体管,AMD 的研发人员放弃业界普遍采用的多晶硅作为晶体管的材料,改用另一种称为硅化镍的材料,为晶体管装设"金属栅"。
2003-08-18 安捷伦科技推出高速MOSFET/IGBT门驱动光电耦合器
北京-安捷伦科技宣布推出一款2 Amp的高速门驱动光电耦合器,特别适合IGBT (绝缘双极晶体管)和功率MOSFET (金属氧化场效应晶体管)。
2003-05-31 日本:NEC开发成功1亿门单元基LSI
NEC电子设备部开发成功CB-90系列单元基LSI。最小特征尺寸是0.09μm,采用长0.06μm的CMOS方法和铜金属连线技术制造。准备制造的三种单元基LSI是:高速型CB-90H、高集成度型CB-90M和低功耗型CB-90L。它们的内部工作频率分别为500MHz~1GHz。最高频率为500MHz、最低为150MHz。
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