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硅工艺
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2015-11-02 氮化镓渐入佳境
你用过任何GaN功率器件吗?你有可能寻找使用它们吗?你对用非工艺进行器件设计或将它们列入你的材料清单是热心、冷淡还是害怕呢?
2014-11-10 CMOS射频前端解决GaAs器件产能和成本问题
硅是上帝送给人类的礼物。电路板中绝大多数器件都采用体CMOS工艺(硅的原材料是沙子)制造,但有一个部分却难以实现,那就是射频前端。目前射频前端主要采用GaAs或SiGe工艺制造,但由于材料的稀缺性和工艺的复杂性,射频前端芯片(RFeIC)良率不高,成本太贵。这阻碍了物联网(IoT)传感器节点(单价应低于1美元)的普及。
2014-09-03 赛普拉斯和华力微电子展示可工作的采用55纳米嵌入式闪存IP的光电池
赛普拉斯和华力微电子展示可工作的采用55纳米嵌入式闪存IP的光电池,高性价比的SONOS嵌入式非易失性存储器为下一代智能卡和物联网应用带来高良率和具有可扩展性的工艺.
2014-05-08 Synopsys全新IP将USB PHY的实现面积缩小达50%
Synopsys全新已流片DesignWare USB 3.0和USB 2.0 femtoPHY IP将面积缩小高达50%.采用14/16nm FinFET和28nm工艺的小片芯占用面积PHY降低了消费类、移动、存储及网络应用的成本.
2014-04-16 利用高级单片机的新低功耗模式
随着当今的高级MCU转向更高级的工艺,一些新的低功耗模式正在增加,以提高MCU的灵活性。我们将通过观察当今高级MCU中某些新型低功耗模式在各种应用中的使用来对其进行探究。
2013-09-16 东芝推出亚瓦型白光LED产品
东芝公司今天宣布推出采用上氮化镓(GaN-on-Si)工艺打造的白光LED产品。
2013-05-30 (多图) 、氮化镓、碳化硅如何为功率设计寻找最佳的工艺和供应商
鉴于功率元件领域的竞争不断加剧,到2013年中期将有6个左右的GaN、Si和SiC供应商会披露有关工艺改进、新型架构,以及会给行业带来新选择和新工具的最新能力。本文将探讨一些这样的公司和技术。
2011-12-15 (多图) 基于MEMS的LED芯片封装光学特性分析
本文提出了一种基于MEMS工艺的LED芯片封装技术,利用Tracepro软件仿真分析了反射腔的结构参数对LED光强的影响,通过分析指出。利用各向异性腐蚀形成的角度作为反射腔的反射角,可以改善LED芯片的反光性能和发光效率。仿真结果显示反射腔的深度越大,则反射效率越高,腔的开口越小,反射效率越高。
2011-04-28 敏芯微电子成功研发MEMS制程SENSA工艺
在苏州敏芯微电子成功研发面向 MEMS 微硅传感器制成的 SENSA 工艺。敏芯目前已经将此工艺应用于公司生产的微压力传感芯片 MSP 系列产品中。
2011-04-28 敏芯微电子成功研发MEMS制程SENSA工艺
苏州敏芯微电子成功研发面向 MEMS 微硅传感器制程的 SENSA 工艺。敏芯目前已经将此工艺应用于公司生产的微压力传感芯片 MSP 系列产品中。此项关键核心技术的突破,将为国内以至全球的微硅压力传感器行业带来深刻变革。
2011-02-21 从成本和技术角度看高通28nm产品HKMG工艺
下一代移动微处理器krait产品系列,这款新产品由于较早地采用了28nm制程,因此引起了 各方的注意。不过,与大家的期望相反,不久前高通曾经在IDEM大会上表示其大部分28nm制程的产品并不会采用当今最先进的HKMG(金属栅极+高介电 常数绝缘层(High-k)栅结构)工艺制作,而是仍采用较为传统的多晶硅栅+氮氧化绝缘层(poly/SiON)的栅极结构。
2010-11-29 GaN能否替代传统功率器件?
EPC公司首席执行官Alex Lidow认为,GaN可以实现在相同性能下比硅或碳化硅技术更小的尺寸,是未来更具成本效益的技术,且随着市场规模变大,综合成本也会比工艺更低。
2010-09-29 工艺单芯片射频发射器大幅降低无线链路的成本和复杂度(多图)
全新的Si4010系统单芯片射频发射器能让开发人员最佳化遥控门锁、车库门开启器、遥控器、楼宇自动化系统和安防装置的设计,以最低的系统成本达到最高的性能,同时还能确保完整的单向链路。
2010-08-19 美光和英特尔推出25纳米工艺NAND闪存
由双方合资组建的 NAND 闪存公司IM Flash Technologies(简称 IMFT) 所开发的这项 64Gb(或8GB)25nm 光刻技术,可提供每单位3比特的信息容量,而传统技术只能提供1比特(单层存储单元)或2比特(多层存储单元)。业内也将3bpc称为三层存储单元(triple-level cell, 简称 TLC)。
2010-06-23 IBM确认瞄准10nm以下工艺
美国IBM T.J.华生研究中心(IBM T.J. Watson Research Center)在半导体制造技术相关国际会议“2010 Symposium on VLSI Technology”上宣布,试制出了采用最小直径为3nm的纳米线FET的25级CMOS环形振荡器,并实际确认了工作情况(论文编号:2.3)。
2010-06-08 (多图) 晶体硅太阳能电池的丝网印刷技术
生产晶体硅太阳能电池最关键的步骤之一是在硅片的正面和背面制造非常精细的电路,将光生电子导出电池。这个金属镀膜工艺通常由丝网印刷技术来完成——将含有金属的导电浆料透过丝网网孔压印在片上形成电路或电极。典型的晶体硅太阳能电池从头到尾整个生产工艺流程中需要进行多次丝网印刷步骤。通常,有两种不同的工艺分别用于电池正面(接触线和母线)和背面(电极/钝化和母线)的丝网印刷。
2010-02-20 IC在后摩尔时代的挑战和机遇
随着工艺线宽进入几十纳米的原子量级,反映工艺发展规律的摩尔定律">摩尔定律最终将难以为继。于是,在后摩尔时代,充分利用成熟的半导体工艺技术,在单个芯片上实现更多功能与技术的集成已成为IC技术最重要的关注点,系统芯片(SoC)的出现意味着IC已经从当初的电路和规模集成,发展到信息时代的知识集成。这种转变将产生多方面的深远影响。
2010-02-09 IC在后摩尔时代的挑战和机遇
随着工艺线宽进入几十纳米的原子量级,反映工艺发展规律的摩尔定律">摩尔定律最终将难以为继。于是,在后摩尔时代,充分利用成熟的半导体工艺技术,在单个芯片上实现更多功能与技术的集成已成为IC技术最重要的关注点,系统芯片(SoC)的出现意味着IC已经从当初的电路和规模集成,发展到信息时代的知识集成。这种转变将产生多方面的深远影响。
2010-01-25 采用PowerFill外延工艺的电源器件
ASM International推出了其PowerFill的外延(Epi Si)沟槽填充工艺。新工艺可使带有掺杂物的外延硅深沟无缝隙填充。 PowerFill是一个精湛的工艺技术,因为它是同类流程速度的3倍,降低制造成本,创造了为电源设备设计在设计程度上新的级别。
2010-01-22 针对应用选择正确的MOSFET驱动器
目前,现有的MOSFET技术和工艺种类繁多,这使得选择合适的MOSFET驱动器成了一个富有挑战性的过程。
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说说TD-SCDMA的经验和教训

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2000亿元永远收不回的投资,换来一张五年就停止发展的TD-SCDMA网,而所谓自主知识产权比例饱受争议。蛮力改写科技产业路线,失败作结。[详细]


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