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电流镜
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2014-07-24 (多图) 一种新型无运放CMOS带隙基准电路
介绍了带隙基准原理和常规的带隙基准电路,设计了一种新型无运放带隙基准电路。该电路利用MOS电流镜和负反馈箝位技术,避免了运放的使用,从而消除了运放带隙基准电路中运放的失调电压和电源抑制比等对基准源精度的影响。该新型电路比传统无运放带隙基准电路具 有更高的精度和电源抑制比。基于0.18μm 标准CMOS工艺,在Cadence Spectre环境下仿真。采用2.5V电源电压,在-40℃~125℃温度范围的温度系数为6.73×10-6/℃ ,电源抑制比为54.8dB,功耗仅有0.25mW。
2011-08-18 安森美半导体推出带开关控制器的电流镜:CAT2300
应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor)推出带开关控制器的电流镜CAT2300,将这器件与安森美半导体的NTMFS4833NS或NTMFS4854NS SENSEFET功率MOSFET器件结合使用,能提供紧凑、高能效的电流监控方案。
2010-03-26 76V APD偏置输出级和电流监测IC
Maxim推出76V APD (雪崩光电二极管)偏置输出级和电流监测IC DS1842A。器件采用Maxim业内领先的CMOS工艺,集成高压电流源、多个用于APD电流监测的电流镜和一个FET开关,该FET开关配合外部DC-DC控制器使用,可构建DC-DC升压转换器。
2009-12-29 (多图) 一种大电流高输出阻抗电流镜的设计
这里在分析了基本电流镜和DMCM(Dy-namic Matching Current Mirror)电流镜的基础上提出一种高输出阻抗、高匹配精度的电流镜,其性能比传统电流镜更加理想,输出电流能够满足高输出电流的要求。
2009-06-04 (多图) 一种低温漂低功耗的带隙基准源的设计
设计一种以共源共栅电流镜为负载的低温漂高电源抑制比CMOS带隙基准电压源,利用新型核心电路和NMOS为输入管的套筒式共源共栅运算放大器使得带隙基准的输出温度系数远小于传统带隙基准的温度系数。
2008-12-26 (多图) LDO线性稳压器中高性能误差放大器设计
本文设计的误差放大器为带共源共栅电流镜负载的共源共栅差分运算跨导放大器。它应用在一款超低功耗的LDO线性稳压器中,采用共源共栅差分结构,提高了 PSRR,低频达到119dB。同时,该放大器具有高共模抑制比(CMRR),低频达到106dB,静态电流不超过0.62μA。
2008-09-01 (多图) 基于SOC应用的运算放大器IP核设计
基于SOC应用,采用TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计实现了一个低电压、高增益的恒跨导轨到轨运算放大器IP核。该运放采用了一倍电流镜跨导恒定方式和新型的共栅频率补偿技术,比传统结构更加简单高效。用Hspice对整个电路进行仿真,在1.8V电源电压、10pF负载电容条件下,其直流开环增益达到103.5dB,相位裕度为60.5度,输入级跨导最大偏差低于3%。
2007-06-21 改善PWM稳压器性能的电流镜
需要高性能隔离反馈的电源设计通常要采用一个误差放大器,如图1中所示,它依赖于放大器IC1B来提供使光耦IC2保持对地基准所需的反相。
2004-11-30 仿真电流镜输入偏置电流的方法
仿真电流镜的输出偏置电流是很简单的。您只需加上输入电流和测量输出电流,再计算它们的差就行了。然而,输出偏置电流不等于输入偏置电流,尤其当电路不是 1:1 电流镜时。高度精确地仿真输入偏置电流是比较复杂的。
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