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热计算
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2015-01-09 (多图) 透过IGBT计算来优化电源设计
本文将阐释怎样量测两个组件的功率耗散,使用IGBT及二极管的θ值计算平均结温及峰值结温。
2011-07-08 (多图) 高精度、低功耗芯片TDC-GP21在超声波热量表中的应用
以使用较多的时差法超声波能量表为例,通过分别测量超声波在流体中顺流和逆流的传播时间,利用流体流速与超声波顺流逆流传播时间差的线性关系计算出流体的实时流速,进而得到对应的流量值。再分别测出进出水的温度,通过求得差值获得温度系数。将流量值和温度系数带入公式即可获得单位热量。
2011-06-21 (多图) 集成材料和工艺模拟与仿真平台
在科技高速发展的时代,科研人员开发出各式各样的材料动力学数据库,通过选择合适的数据库,就可以计算得到需要的材料设计信息。在集成材料和工艺仿真中,仅有热力学信息是不够的,体系的动力学信息也非常的重要。常见的典型问题包括相变、固化、界面反应以及微结构演化等复杂物理过程,这些物理问题都涉及到复杂的热力学和动力学过程。
2011-01-06 估算热插拔MOSFET的瞬态温升—第2部分
在本《电源设计小贴士》中,我们将最终对一种估算热插拔 MOSFET 温升的简单方法进行研究。在《电源设计小贴士28》中,我们讨论了如何设计温升问题的电路类似方法。我们把源建模成了电流源。根据系统组件的物理属性,计算得到热阻和热容。
2011-01-01 苹果iPad卖 平板电脑市场风起云涌
iPad终于在2010年揭开面纱,这种平板电脑是否会成为苹果推出的又一款改变游戏规则的产品?iSuppli表示,iPad具有改变计算、无线和消费领域游戏规则的潜力,而且它已经改变了许多电子产品目前及将来的设计规则。
2010-12-30 基于高压变频器单元热仿真计算
大型电力电子设备,如大功率高压变频器往往要求有极高的可靠性,影响电力电子设备失效的主要形式是失效,据统计,50%以上的电子热失效主要是由于温度超过额定值引起的。随着温度的增加,失效率也增加,因此大功率高压变频器功率器件的热设计直接关系到设备的可靠性与稳定性。
2010-12-27 电子设计热效应分析工具增加Bn及Sc分析功能(多图)
Mentor Graphics(明导)公司近日发布针对电子散热应用的下一代三维计算流体力学(CFD)软件FloTHERM,增加了对散热障碍(Bn)和散热捷径(Sc)区域的分析能力,使工程师能迅速发现电子设计中流阻碍,以及出现热流故障的原因;同时还能确定解决散热设计问题最快最有效的散热捷径。
2010-08-29 (多图) 混合动力汽车功率模块的稳定性
汽车用功率半导体模块的的使用寿命取决于其工作环境和基于运行工况对其提出的稳定性要求。为了评估用于混合动力汽车(HEV)功率半导体模块所具备的热循环、功率循环能力,使用了汽车行驶工况循环曲线来计算模块的可靠性要求。这种计算是基于模块损耗、热仿真模型和模块寿命模型。本文通过将功率模块连接至不同的冷却系统,探讨了主动/被动热应力条件下,诸如IGBT芯片焊接或绑定线连接等键合点。
2010-06-29 (多图) 一种基于铂电阻的风速传感器的设计
本文阐述了铂风速传感器的数学模型、电路原理。并且通过对实验数据的具体测量、分析、计算得出本实验风速传感器误差。本实验设计的风速传感器由于具有电路简单,成本低廉,功耗小,较高的精度等特点而具有很强的实用性。
2009-12-28 国内十几家云计算中心即将或已经投入运行
选2009年互联网技术词,“云计算”一定入选。云计算通过虚拟化技术,支持动态响应对计算资源的需求,实现“云”与数据中心(服务器、存储、网络)中硬件资源分割,从而实现电脑计算能力的按需调度。
2009-05-15 (多图) 一种POL终端匹配电源的热模拟研究
介绍了一种广泛应用于存储器、CPU等高速信号端口的POL终端匹配电源的工作原理。根据电源各元器件的功耗,建立该电源的热模型,并利用ICEPAK软件对其进行热模拟仿真。通过仿真结果与实际测试结果的对比,确认模型和计算方法的准确性。此模拟仿真方法可广泛用于同类电源的热评估。
2008-07-01 IC封装的特性
IC封装的热特性对于IC应用的性能和可靠性来说是非常关键的。本文描述了标准封装的热特性:热阻(用“theta”或Θ表示),ΘJA、ΘJC、ΘCA,并提供了计算、热参考等热管理技术的详细信息。
2003-10-12 集成有基于硬件的数据加密引擎的低功耗处理器利于笔记本电脑升级
总部设在台湾省的威盛电子股份有限公司(VIA Technologies)推出的VIA Antaur移动处理器,功耗小,密度也低,适合下一代普及性计算设备应用。
2003-02-01 (多图) 包含热模型的新型MOSFET PSPICE模型
功率转换器的功率密度越来越高,发热问题越来越严重,这种功率转换器的设计对现代大功率半导体技术提出了新的挑战。因而问题的优化设计和验证变得比大功率器件的电模型更加重要,本文提出一种新的Pspice模型,可以利用它计算MOSFET芯片在瞬变过程中的温度。本文提出的模型中所需要的热阻可以从制造商提供的产品使用说明书得到。本文介绍MOSFET的一种新的PSPICE 等效热模型,这个模型提供发热和电气参数之间的动态关系。
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