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P沟道
| 本专题为EDN China电子技术设计网的P沟道专题，内容全部来自电子技术设计网精心选择与P沟道相关的资讯。EDN China 是第一家关注中国电子设计领域的媒体。在过去的20年，针对中国设计经理人和工程师的不同需要，不断提供最先进和有深度的设计技术和应用。 |
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| 2014-02-14 | (多图) 用于车载USB供电的非同步BUCK控制器 不少整车厂对USB电源有着非常严苛的要求，6V电池电压下要保证5V输出，考虑到输入端的反极性保护及线损，USB电源的输入端电压会更低。这对车载USB电源的设计是个挑战。常用的BUCK电路，出于成本考虑，会选用N沟道MOSFET。但是在车载USB电源的应用中，成本较高的P沟道MOSFET却更有优势。 |
| 2014-01-24 | 具有业内最低RDS(on)的P沟道MOSFET 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET---Si7157DP，扩充其TrenchFET? P沟道Gen III功率MOSFET。 |
| 2013-12-06 | Vishay推出业内最小-20V P沟道Gen III MOSFET 又是一年高交会电子展，各大厂商分别展出了自己的最新技术。然而，与往年不同的是，东芝半导体&存储产品公司展台吸引了络绎不绝的观众来此参观——这是东芝公司首次参加高交会，带来的产品也颇具特点。 |
| 2013-12-03 | Vishay P沟道Gen III MOSFET具有业内最低导通电阻 Vishay P沟道Gen III MOSFET具有业内最低导通电阻,-12V和-20V器件采用PowerPAK ChipFET和PowerPAK 1212-8S封装，3.0mm x 1.9mm x 3.3mm的占位体积。 |
| 2013-09-09 | 超小外形尺寸的TrenchFET Gen III P沟道功率MOSFET Vishay的新款超小外形尺寸的TrenchFET Gen III P沟道功率MOSFET具有极低导通电阻.器件采用2mm x 2mm PowerPAK SC-70封装. |
| 2013-07-17 | Vishay利用新-40V和-30V MOSFET扩充Gen III P沟道产品 Vishay利用PowerPAK封装的新款-40V和-30V MOSFET扩充Gen III P沟道产品,首款40V P沟道Gen III器件，首款PowerPAK 1212-8S封装的30V MOSFET. |
| 2013-07-17 | 澜起高清解码器芯片M88VS3001实现量产 Vishay利用PowerPAK封装的新款-40V和-30V MOSFET扩充Gen III P沟道产品,首款40V P沟道Gen III器件，首款PowerPAK 1212-8S封装的30V MOSFET. |
| 2013-05-08 | Vishay新款P沟道高边负载开关 Vishay发布采用小尺寸WCSP6封装的新款斜率控制的P沟道高边负载开关,器件可在1.5V～5.5V电压范围内工作，具有低至20m?的导通电阻、低静态电流,导通电压上升斜率为3ms. |
| 2012-11-29 | Vishay发布新款采用20V P沟道MOSFET 器件采用3.3mm平面封装并在4.5V栅极驱动下具有4.8m?低导通电阻 |
| 2012-10-09 | Vishay扩充P沟道功率MOSFET Vishay Siliconix采用P沟道TrenchFET Gen III技术的12V和30V MOSFET具有业界最低导通电阻 |
| 2012-05-16 | 飞兆半导体P沟道PowerTrench WL-CSP MOSFET最大限度减小便携线路板空间 便携设备的设计人员面临着在终端应用中节省空间、提高效率和应对散热问题的挑战。为了顺应这一趋势，飞兆半导体开发了FDZ661PZ和FDZ663P P沟道、1.5V规格的PowerTrench薄型0.8mm x 0.8mm WL-CSP MOSFET器件。 |
| 2012-02-17 | Vishay Siliconix推出新款P沟道30V芯片级MOSFET 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，引入两款在尺寸和导通电阻上设立了新的行业基准的p沟道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，扩充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。新的Si8497DB是业内首款采用小巧的1mm x 1.5mm外形尺寸的30V芯片级MOSFET，是目前市场上尺寸最小的此类器件；而Si8487DB在1.6mm x 1.6mm外形尺寸的30V芯片级器件中具有最低的导通电阻。 |
| 2011-12-30 | 用自供电的运放建立一个低泄漏整流器 用一只精心挑选的运放、一个低阈值的P沟道MOSFET，以及两只反馈电阻，就可以做出一个正向压降小于二极管的整流电路。整流后的输出电压为有源电路供电，因此不需要额外的电源。电路的静态电流低于大多数肖特基二极管的反向泄漏电流。 |
| 2011-10-20 | Vishay推出最小N沟道和P沟道功率MOSFET:Si8802DB和Si8805EDB 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出业内采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片级封装的N沟道和P沟道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。 |
| 2011-09-13 | 英飞凌推出单P沟道40V汽车电源MOSFET产品:OptiMOS P2 英飞凌科技股份公司近日宣布推出采用先进沟道工艺制造的全新单P沟道40V汽车电源MOSFET产品系列。 |
| 2011-08-17 | Vishay推出新款P沟道TrenchFET功率MOSFET:SiB437EDKT 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，发布占位面积为1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P沟道TrenchFET功率MOSFET---SiB437EDKT。 |
| 2011-03-14 | Vishay Siliconix发布TrenchFET功率MOSFET 采用0.6mm超低外形的热增强Thin PowerPAK SC-70封装的新款30V N沟道---SiA444DJT和20V P沟道TrenchFET功率MOSFET---SiA429DJT。在2mm x 2mm的占位面积内，新的SiA444DJT实现了N沟道MOSFET当中业内最低的外形，而高度不到0.8mm的SiA429DJT具有P沟道器件中最低的导通电阻。 |
| 2011-03-03 | Vishay Siliconix推出新款双芯片P沟道器件 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款双芯片20V P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK SC-70封装，具有8V栅源电压和迄今为止双芯片P沟道器件所能达到的最低导通电阻。 |
| 2011-02-11 | IR 推出坚固可靠的车用平面 MOSFET系列 新器件系列采用了 IR 经过验证的平面技术，包括 55V 和 150V 标准栅极驱动 N 沟道 MOSFET，以及适用于高侧开关应用的 -55 V 和 -100 V 标准栅极驱动 P 沟道 MOSFET ，这些技术不需要额外的栅极驱动电荷泵。 |
| 2011-01-25 | Vishay推出新款8V P沟道TrenchFET功率MOSFET Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V P沟道TrenchFET 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK SC-70封装，具有迄今为止P沟道器件所能达到的最低导通电阻。 |
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