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1兆位
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2010-12-03 Ramtron串行1兆F-RAM存储器荣获最佳产品奖
汽车电子委员会(AEC)集成电路应力测试资格(Automotive Electronic Council’s Stress Test Qualification for Integrated Circuits)确定了严格的汽车级资格认证。Ramtron公司专门针对汽车市场的苛刻要求,扩大了符合AEC-Q100要求的存储器阵容至15款产品。Grade-3资格认证可以确保器件工作在-40 ℃到+85℃的汽车温度范围内。
2010-06-09 1兆串行F-RAM提升至满足汽车标准要求
Ramtron International Corporation 宣布其1兆 (Mb)、2.0V-3.6V 串行F-RAM存储器 FM25V10-G,业已通过AEC-Q100 Grade 3标准认证,这一严格的汽车等级认证,是汽车电子设备委员会 (Automotive Electronic Council) 针对集成电路而制定的应力测试认证。
2008-09-18 Ramtron推出高速和功率灵活的1兆串行F-RAM存储器
Ramtron推出高速和功率灵活的1兆串行F-RAM存储器,Ramtron全新串行和并行高速F-RAM器件系列的首款产品。
2007-08-03 采用SO8窄封装的SPI串口EEPROM存储器芯片
意法半导体今天推出一款采用外壳宽度仅为150-mil (3.8mm)的微型SO8N封装、支持SPI(串行外设接口)总线的1兆串口EEPROM存储器芯片。
2005-08-25 FM20L08 1兆的铁电存储器
可替代SRAM的1兆铁电存储器 (FRAM) FM20L08是Ramtron 国际公司推出1兆位的铁电存储器产品,其操作电压为3-volt、32-pin TSOP (thin small outline plastic) 封装,是 Ramtron 目前生产的容量最大的铁电存储器,可以进行无限次的读写操作。
2005-08-02 可替代SRAM的1兆铁电存储器
Ramtron 国际公司宣布推出1兆的铁电存储器产品 FM20L08。此型号的操作电压为3V、32引脚TSOP 封装。FM20L08 是 Ramtron 目前生产的容量最大的铁电存储器,可以对其进行无限次的读写操作。该型号是专门设计用来替换标准异步静态随机存储器的。
2005-06-15 Ramtron发布可替代SRAM的1兆铁电存储器
Ramtron 国际公司宣布推出1兆的铁电存储器产品 ---- FM20L08。此型号的操作电压为3-volt、32-pin TSOP (thin small outline plastic) 封装。
2004-11-03 ST的串行程序及数据闪存新增1兆和2兆位产品
意法半导体推出两个新的数据和程序存储器件,这两个器件属于ST的高速低压串行闪存产品系列,新的M45PE10 和 M45PE20将用于大量的快速变化的参数数据应用,例如应答机、寻呼机、视频游戏和电子玩具。
2004-03-01 意法半导体推出总线频率达50MHz的16和32兆串行闪存
意法半导体在其现有串行闪存家族中又增加了两个密度更高的新成员:16兆位的 M25P16 和32兆位的 M25P32。新闪存工作频率高达50MHz。此外,ST还将512千1兆位、2兆位、4兆位和8兆位器件的工作频率从25MHz提高到40MHz。
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