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共搜索到55篇文章
2016-06-14 揭秘氮化镓(GaN)在无线基站中的应用(下)
上节中,我们对于LDMOS,GaN/SiC 以及MACOM的GaN三者之间的技术相对优劣性进行了密切关注,评估了它们之间的优缺点以及从它们的性能属性到生态系统的供应链成本之间进行权衡比对。 现在我们继续来剖析在上文无线基站中所介绍的这些技术。
2016-04-28 RECOM专为碳化硅MOSFETS设计的DC/DC转换器
为了符合下一代MOSFET的严苛要求,RECOM近日推出了两款特别针对碳化硅(SiC) MOSFET的2W DC/DC转换器。由于SiC MOSFET在高频率及高压切换,因此要使其驱动是一个挑战。
2015-07-22 ROHM量产采用沟槽结构的SiC-MOSFET,导通电阻大大降低
ROHM开始量产采用沟槽结构的SiC-MOSFET,导通电阻大大降低,有助于工业设备等大功率设备的小型化与低功耗化.
2015-07-20 SiC会一统天下吗?
SiC功率器件作为可显著减少功率转换损耗的关键器件而得到业界的广泛关注,其供应商以美国Cree、日本ROHM等公司为典型代表。2010年,ROHM率先宣布量产SiC MOSFET产品,开始了这一产品的市场化进程。近年来,ROHM不断推进SiC领域的创新研究,在进一步降低功率损耗方面寻求不断突破。
2015-07-15 采用沟槽结构的SiC-MOSFET,导通电阻大大降低
ROHM开始量产采用沟槽结构的SiC-MOSFET,导通电阻大大降低,有助于工业设备等大功率设备的小型化与低功耗化。
2015-07-15 昔日的特斯拉线圈与今日的无线充电
ROHM开始量产采用沟槽结构的SiC-MOSFET,导通电阻大大降低,有助于工业设备等大功率设备的小型化与低功耗化。
2015-04-14 ROHM开发出SiC驱动用AC/DC转换器控制IC
ROHM开发出SiC驱动用AC/DC转换器控制IC,最大限度地发挥SiC-MOSFET的性能,有助于工业设备进一步实现节电化与小型化。
2014-09-23 (多图) 日益壮大的ROHM最新功率元器件产品阵容
全球知名半导体制造商ROHM利用多年来在消费电子领域积累的技术优势,正在积极推进面向工业设备领域的产品阵容扩充。在支撑“节能、创能、蓄能”技术的半导体功率元器件领域,ROHM实现了具有硅半导体无法得到的突破性特性的碳化硅半导体(SiC半导体)的量产。另外,在传统的硅半导体功率元器件领域,实现了从分立式半导体到IC全覆盖的融合了ROHM综合实力的复合型产品群。下面介绍这些产品中的一部分。
2014-07-16 在光伏逆变器中使用SiC
新一代功率半导体的冲击力,在光伏逆变器中使用SiC.随着光伏发电需求的增加,光伏逆变器的销量越来越大。量产效果应该有助于降低功率半导体的成本”,日本田渊电机公司常务执行董事、统管功率电子业务的坂本幸隆这样说道。
2014-06-04 美高森美推出全新碳化硅MOSFET产品系列
美高森美发布用于高压工业应用的创新SiC MOSFET系列,继续保持在碳化硅解决方案领域的领导地位.新的碳化硅 (SiC) MOSFET器件与SiC功率模块相辅相成,显着提升高压应用的系统效率,并提供最大功效,帮助客户开发更轻、更小、更可靠的系统设计.
2014-01-09 新一代SiC和GaN功率半导体竞争激烈
与现在的Si功率半导体相比,SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加,同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。
2013-11-27 新日本无线推出粗铜线丝焊类型的音频SiC-SBD
新日本无线新推出粗铜线丝焊类型的音频SiC-SBD,MUSES音频系列"MUSES7001"
2013-10-12 美高森美推出新型750W RF晶体管
美高森美750W GaN on SiC RF功率晶体管为航空应用提供无与伦比的高功率性能,新器件适用于商用和军事、地面和机载、二次监视雷达,以及防撞空中交通管制设备。
2013-07-12 GT Advanced Technologies推出碳化硅炉新产品线
GT Advanced Technologies今天推出其新型SiClone(TM) 100碳化硅(SiC)生产炉。 SiClone100采用升华生长技术,能生产出高品质的半导体SiC晶体块,可最终制成最大直径为100毫米的芯片。
2013-05-30 (多图) 硅、氮化镓、碳化硅如何为功率设计寻找最佳的工艺和供应商
鉴于功率元件领域的竞争不断加剧,到2013年中期将有6个左右的GaN、Si和SiC供应商会披露有关工艺改进、新型架构,以及会给行业带来新选择和新工具的最新能力。本文将探讨一些这样的公司和技术。
2013-05-15 Avago推出业内最快速1A和2.5A门驱动光电耦合器
Avago Technologies面向高开关频率应用推出新门驱动光电耦合器产品,业内最快速1A和2.5A门驱动光电耦合器支持高速SiC MOSFET.
2013-03-15 SiC为核心 罗姆强化功率器件产品线
有关调研报告显示,2015年会是SiC发展的一个拐点,SiC在功率器件上的应用会起到主导作用。未来的十年,这一市场份额将增长20倍。
2013-03-08 TI推出35 V单通道输出级电源管理栅极驱动器
德州仪器栅极驱动器旨在满足 IGBT 与 SiC FET 设计需求,单通道 2.5A/5A 栅极驱动器支持再生能源与工业应用,进一步壮大 TI IGBT 及宽带隙驱动器产品系列.
2013-01-25 SiC解决方案为功率转换系统提供高效率、高可靠性
在飞兆半导体SiC组合中首次发布的一批产品是先进的Si C双极结型晶体管(BJT)系列,该系列产品可实现较高的效率、电流密度和可靠性,并且能够顺利地进行高温工作。
2013-01-25 最新电源管理产品600V CoolMOS P6和第五代thin Q!提升能源使用效率
英飞凌也推出了其第五代的thin Q!SiC肖特基势垒二极管,改进了热特性,优值系数(Qc×Vf)较前代SiC二极管降低了大约30%,可使PFC电路达到最高效率水平,并具有更高的击穿电压,达650V(第二代和第三代都为600V)。
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