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三晶体管
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2014-08-27 晶体管电流源覆盖宽范围
本设计实例是一个2线式电流调节器,它在性能和器件数目之间达到了很好的平衡。通过使用晶体管、三个电阻和一个LED灯,可实现很好的调节效果(在大部分电压范围内准确度好于1%)、较低的工作电压(通常为1.2V),以及比复杂度相同的其他电路更理想的温度系数(0.07%/K)。
2014-04-21 栅极技术给FPGA带来突破性优势
本文考察了半导体制造业中晶体管设计从传统平面向3D结构转化的影响,以及其对可编程逻辑器件性能的显著提升。
2013-02-27 Altera采用Intel 14 nm栅极技术开发下一代高性能FPGA
Altera公司和Intel公司今天宣布,双方已经达成协议,未来将采用Intel的14 nm栅极晶体管技术制造Altera FPGA.
2012-04-13 低电压,高电流延时电路设计
本电路由LM339四个电压比较器用来产生时间延迟和控制在低电压高电流输出。 比较器的个平行的有线驾驶中型功率PNP晶体管(2N2905或类似)这反过来又驱动高电流NPN晶体管(TIP35或类似)。
2012-03-20 集成电路的个差异化发展趋势
从1958年第一颗集成电路发明到现在,IC已经走过了50多年的历史,随着半导体工艺的技术的飞速发展,在一颗集成电路上集成数十亿个晶体管已经不是难事,对于设计师来说,难的是如何让自己的IC差异化...
2012-03-15 个IC设计差异化的技术趋势分析
从1958年第一颗集成电路发明到现在,IC已经走过了50多年的历史,随着半导体工艺的技术的飞速发展,在一颗集成电路上集成数十亿个晶体管已经不是难事,对于设计师来说,难的是如何让自己的IC差异化,能给系统厂商带来更多的好处。
2012-03-05 支分立晶体管构建一个运放
用三支分立晶体管就可以搭一个开环增益大于100万的运放。输出偏置在电源电压的一半左右,方法是将齐纳二极管D1、输入晶体管Q1的基射电压,以及1MΩ反馈电阻R2上的1V压降结合起来。
2012-02-20 基于ADS平台不对称Doherty功率放大器的仿真设计
为在高线性的前提下提高WCDMA基站系统中功率放大器的效率,仿真设计了一款工作于2.14 GHz频段不对称功率驱动的Deherty功率放大器。基于ADS平台,采用MRF6S21140H LDMOS晶体管,通过优化载波放大器和峰值放大器的栅极偏置电压改善阶互调失真(IMD3),同时通过调节输入功率分配比例改善由于峰值放大器对载波放大器牵引不足导致的失配问题,从而改善不对称Doberty功率放大器的输出性能。
2011-12-15 (多图) 一种基于动态阈值NMOS的1.2V CMOS模拟乘法器
分析了以动态阈值NMOS晶体管作为输入信号的输入晶体管,利用4个动态阈值NMOS和2个有源电阻设计和实现的一种1.2 V低功耗CMOS模拟乘法器电路。该电路具有节省输入晶体管数目、偏置晶体管和偏置电路,以及性能指标优良的特点。其主要参数指标达到:一、次谐波差值40 dB,输出信号频带宽度375 MHz,平均电源电流约30μA,动态功耗约36μW。可直接应用于低功耗通信集成电路设计。
2011-10-24 英特尔3-D栅极晶体管设计被评为2011年科技创新奖
《华尔街日报》近日公布2011年“科技创新奖”,英特尔的3-D栅极晶体管设计获得半导体类别创新大奖。英特尔的3-D三栅极晶体管结构代表着从2-D平面晶体管结构的根本性转变。
2011-05-30 判别端子的晶体管测试仪
简单晶体管测试仪可以判断出晶体管的类型,并且能帮助检测出晶体管的发射极、集电极和基极。其方法是检查被测晶体管个端子T1、T2和T3之间流过的各种可能电流方向的组合。
2010-12-27 基于GaN晶体管技术的EMC测试放大器
新产品放大器采用了第三代宽带隙GaN晶体管技术,与现有的来自IFI、TESEQ、AR、PRANA和BONN的放大器相比,在同一封装内,功率可比上一代Si LDMOS、GaAs技术高10倍?20倍,可靠性提高20倍,寿命达到100万小时;采用CSA拓扑结构的该放大器具有250W、400W及750W 种不同的P1dB输出功率,可用在3U、7U和15U机箱中,并支持从250W到750W的升级。
2010-06-30 扫描控制频率的晶体管调制器-放大器电路
很多应用都需要一种完成脉冲调制和电压放大工作的电路,用一串脉冲来驱动一个负载。一个典型应用就是驱动机器人中的一个压电发电机。
2010-06-22 台积电:14nm制程节点将用垂直型晶体管结构
据参加了比利时微纳米电子技术研究机构IMEC召开的技术论坛的消息来源透露,与会的各家半导体厂商目前已经列出了从平面型晶体管转型为垂直型晶体管(以Intel的栅晶体管和IBM的FinFET为代表)的计划。
2009-11-10 SoC设计中的片上通信体系结构研究
自20世纪70年代以来的大多数时间内,超大规模集成电路器件的特征尺寸以每年70 9/6的速度缩小,从而使得数目越来越多的晶体管可以集成在同一颗半导体芯片上制造。由于具有速度、价格、面积、功耗和上市时间上的优势,基于IP核复用技术的SoC设计逐渐成为超大规模集成电路设计的一个重要领域,特别是SoC给无线通信、多媒体和消费类电子领域的设计提供了一个性价比更好的集成解决方案。
2009-08-31 IGBT模块集成温度测量和驱动元件
英飞凌(Infineon)日前推出IGBT(绝缘栅双极晶体管)MIPAQ base模块。该模块为IGBT三相逆变桥,内部集成电流取样电阻,适用55kW的工业驱动和伺服装置,满足低杂散电感的系统设计要求。此次推出的MIPAQ系列包括大产品:MIPAQ base模块(已开始量产);MIPAQ sense模块(集成全数字化电流测量功能,提供电流隔离输出信号);MIPAQ serve模块(集成驱动/温度检测元件)。其中,MIPAQ base已开始批量生产,MIPAQ sense和MIPAQ serve模块已开始提供样品,英飞凌将于2009年第三季度批量生产。
2009-02-01 晶体管、刚性智能卡、二极管”加工贸易单耗标准起草工作启动
工信部文《关于下达晶体管等产品单耗标准制定计划的通知》:经海关总署及国家发改委审定,晶体管、刚性智能卡、两极管个产品的加工贸易单耗标准列为2008年度加工贸易单耗标准制定计划,并要求由上海市集成电路行业协会组织有关企业开展起草上述三个单耗标准工作。
2008-11-28 (多图) 晶体管线性直流电源,可控硅直流稳压电源和开关电源原理简介
关于稳压电源电路结构,究竟是晶体管线性直流电源,可控硅直流稳压电源和是开关电源,要根据具体场合,合理采用。这种电路,国际国内都大量使用,各有各的特点。可控硅直流稳压电源,以其强大的输出功率,晶体管线性直流电源和开关电源无法取代。晶体管线性直流电源以其精度高,性能优越而被广泛应用。
2008-09-24 中国功率器件市场增速放缓MOSFET是亮点
在中国功率器件市场中,电源|稳压器管理IC仍旧占据市场首要位置,MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)位于第二位,大功率晶体管位于第三位,此大产品销售额占整体市场的80%以上。IGBT(绝缘栅双极晶体管)销售额虽然不大,但随着其在工业控制、消费电子领域中应用的不断增多,其市场销售额保持着较快的增长,是中国功率器件市场中的新兴产品。
2008-05-12 三星电子推世界最高亮度液晶面板 称是液晶电视

 当地时间本周三,韩国三星电子宣布,它将开始制造46英寸薄膜晶体管液晶“高亮度”数字标牌面板。三星电子声称新产品是“全球亮度最高的液晶面板”。能够使用于运输中心、 公共汽车候车亭、博物馆、大型购物中心和零售场所的销售点,高亮度面板将取代广告海报。在通常情况下,照明条件影响显示器的显示效果,新设计的面板为客户在更大范围内提供了选择。

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