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2011-11-16 罗姆与APEI联合开发出高速大电流的SiC沟槽MOS模块
日本知名半导体制造商罗姆株式会社日前面向EV、HEV车(电动汽车、混合动力车)及工业设备,与拥有电力系统和电源封装技术的Arkansas Power Electronics International(APEI)公司联合开发出搭载了SiC沟槽MOS的高速、大电流模块“APEI HT2000”。该模块一改传统的Si模块的设计,由于最大限度地利用了SiC器件的特点,从而大幅改善了电气特性、机械特性,同时实现了超小型化、轻量化、高效化,在SiC模块的普及上迈出了巨大的一步。
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