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双N沟道
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2014-12-19 Vishay发布首颗用于软开关拓扑的片600V快速体二极管N沟道MOSFET
2014年12月4日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,发布600V EF系列快速体二极管N沟道功率MOSFET的两款器件。Vishay Siliconix SiHx28N60EF和SiHx33N60EF具有低向恢复电荷和导通电阻,能够在工业、电信、计算和可再生能源应用中提高可靠性,节约能源。
2012-05-10 飞兆半导体推出高功率芯片非对称N沟道模块 FDPC8011S
随着功率需求增加以便为高密度嵌入式DC-DC电源提供更多的功能,电源工程师面临着在较小的线路板空间提供更高功率密度和更高效率的挑战。
2011-03-15 凌力尔特推出理想二极管及热插拔控制器
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出紧凑型、理想二极管和热插拔 (Hot SwapTM) 控制器? LTC4227,可提供电源通路 (PowerPathTM) 及浪涌电流控制以用于在 2.9V 至 18V 电压范围内工作的冗余电源。LTC4227 调节两个外部 N 沟道 MOSFET 两端的正向压降,以在二极管“或”应用中确保电源之间的电流平滑转换。
2009-03-19 飞兆半导体的MicroFET? MOSFET有效延长电池寿命
飞兆半导体推出FDMA1024NZ和FDMA410NZ N沟道和单N沟道MOSFET器件,可为手机、电动牙刷和须刨等应用延长电池寿命
2008-06-12 100V 高端/低端 N 沟道高速 MOSFET 驱动器
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高频、高输入电源电压 (100V) MOSFET 驱动器 LTC4446,用来驱动晶体管正激式转换器中的高端和低端 N 沟道功率 MOSFET。
2005-05-04 后稳压、N沟道MOSFET驱动器
安森美半导体(ON Semiconductor)推出NCP4330后稳压、N沟道MOSFET驱动器,能提高常用于ATX和高功率开关电源(SMPS)的正激转换器效率。
2005-05-04 MOSFET驱动器提高ATX电源效率至80%
安森美半导体推出一款后稳压、N沟道MOSFET驱动器NCP4330,该器件能提高常用于ATX和高功率开关电源的正激转换器的效率,可帮助设计工程师满足ATX电源中越来越严格的效率要求。
2005-03-15 安森美半导体将推出后稳压、N沟道MOSFET驱动器
安森美半导体(ON Semiconductor)今日宣布,将推出NCP4330--后稳压、N沟道MOSFET驱动器,能提高常用于ATX和高功率开关电源(SMPS)的正激转换器的效率。
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