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奈米制程
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共搜索到24篇文章
2014-11-03 28nm发威 联电Q4继续成长
晶圆代工二哥联电昨(29)日召开法说会,执行长颜博文表示,28奈米制程良率持续提升,将明显带动第4季28奈米的出货,而联电近期在日本及大陆的全球布局,将可巩固长期成长动能。由于晶圆代工接单淡季不淡,太阳能电池出货回复成长动能,法人预估第4季营收将略优于第3季。
2014-10-20 4大阵营军备战火 烧到3D NAND
NAND Flash由平面2D制程走向3D制程的军备竞赛,随着三星10月9日正式宣布量产32奈米32层的128Gb 3D V-NAND晶片后,正式揭开序幕,包括东芝/新帝、SK海力士、美光/英特尔等均将在2015年开始投产3D NAND。业者指出,3D NAND单颗晶片容量快速拉高且价格便宜,明年NAND Flash价格跌势难止。
2014-09-17 台积电奈米制程创新高
台积电宣布业界最低功耗、最佳成本效益的28奈米高效能精简型制程(HPC)进入量产,且已取得展讯、晨星、全志、海思等10家客户下单,预计年底前将完成约70项设计定案。此举也显示台积将全力抢攻第二波28奈米制程的转换潮,后进者中芯(SMIC)、联电(2303)想突围恐更难。外资德意志即看好,台积32/28奈米制程2014/2015年市占可望达78%/74%,优于前一世代45/40奈米制程同期市占的62%/55%。
2013-07-01 联电携手新思加速14nm FinFET制程的认证
联电(2303-TW)(UMC-US)与新思科技(Synopsys)(SNPS-US)共同宣布,两家公司的合作已获得成果,采用新思科技DesignWare逻辑库的IP组合,和Galaxy实作平台的一部分寄生StarRC萃取方案,成功完成联电第一个14奈米FinFET制程验证工具的设计定案。
2013-06-14 赛灵思2014 16nm量产,Altera明年投产14nm
Altera的14奈米(nm)三闸极电晶体(Tri-gate Transistor)制程可望于明年启动量产。
2013-05-23 三星超台积电夺全球28-32nm制程龙头地位
三星电子(SamsungElectronicsCo.)在28-32奈米制程的晶圆代工领域夺得全球龙头地位,显示该公司正在快速拓展非记忆体晶片与晶圆代工业务。
2013-05-14 20nm不会成主流 28nm后直接跳14nm?
联电8日召开法说会,关于外界关注的先进制程进度,即使28奈米之路仍颠簸,而老大哥台积电20奈米制程量产在即,但联电执行长颜博文仍表示,他认为28奈米制程会是一个"强劲、且生命周期长"(strong, and long-life node)的制程,至于20奈米制程则不会成为主流制程(weak node)。
2012-09-24 Altera发表20奈米SoC FPGA技术蓝图
Altera公开其下一代20奈米(nm)制程现场可编程闸阵列(FPGA)技术蓝图。继台积电表示2013年可望量产20奈米产品后,Altera旋即对外发表其20奈米系统单晶片(SoC)FPGA的产品,将透过三维(3D)封装技术进行开发,可较前一代产品降低60%功耗。
2012-09-06 下一代手机芯片 采用22nm制程和三闸极电晶体技术
英特尔(Intel)下一代手机晶片平台竞争力将更甚以往。挟制程领先优势,英特尔计划于2013年发表新一代行动装置晶片平台--Silvermont,将采用现今最先进的22奈米和三闸极(Tri-Gate)电晶体技术。
2011-11-21 NFC芯片启动微型布局 实现行动付款/兼顾轻薄设计
随着ISIS联盟与Google两大阵营于北美地区力推行动付款机制,带动手机导入近距离无线通讯(NFC)功能呼声四起;包括恩智浦(NXP)、英飞凌(Infineon)及意法半导体(ST)等晶片商均已采用65奈米(nm)制程开发单颗NFC晶片,积极卡位先期市场。
2011-08-09 晶圆代工、封测守稳资本支出动能
第3季半导体旺季不旺,甚至旺季变淡趋势渐确立,但在全年资本支出方面,半导体大厂似乎没有太大变化,包括联电、日月光和矽品等仍维持不变的决定,即使台积电调降资本支出约5%,降幅也不大,主要系小幅减少65奈米扩充部分;至于联电拟强化28/40奈米先进制程竞争力;日月光和矽品则持续布局铜打线封装制程,资金需求动能仍在。
2010-05-11 下世代内存大战起 国际大厂攻势凌厉
期相变化内存(PCMorPRAM)市场战况火热,继三星电子(SamsungElectronics) 宣布将相变化内存用在智能型手机(Smartphone)用的MCP(Multi-ChipPackage)芯片问世后,恒忆(Numonyx)也宣布推出针对PC、消费性电子和通讯市场使用的相变化内存新品牌Omneo,采用90奈米制程,容量达128Mb,随着国际大厂接连发动攻势,让原本冷门的相变化内存市场一夕之间热了起来!
2010-04-20 互操作性iPDK
2009年7月21日,TSMC宣布,业界首创的具相互操作性制程设计套件(iPDK)开始供货。这个套件通过TSMC的65奈米(nm)MS/RF制程的完整验证,而且各大EDA供货商也宣布提供支持,包括Cadence、Ciranova、Magma、Mentor、SpringSoft、Synopsys等等。2010年3月24日,TSMC加入为会员的具相互操作性PDK链接库(InteroperablePDKLibraries,IPL)联盟发表IPL1.0标准,让整个业界都能够享用TSMCiPDK的重要技术。
2010-02-21 绘图芯片缺货难解 超微NVIDIA扼腕
绘图芯片市场缺货问题依旧存在,绘图卡业者透露,由于40奈米制程良率仍不及6成,严重影响超微(AMD)、NVIDIA出货计划,加上台积电产能挤爆,使得绘图芯片旧品亦难以纾解新品缺货问题,不仅无法满足绘图卡市场需求,甚至影响部分笔记型计算机(NB)业者出货时程。
2009-11-30 DRAM拼增产抢回市占率 惟制程进度仍落后
经历上一波DRAM产业不景气,台系DRAM厂伤得很重,好不容易等到价格反弹到现金成本之上,开始全力扩产找回过去失落的市占率,惟即使目前台系DRAM厂再努力,也只能用落后的制程来追赶,传出三星电子 (Samsung Electronics)采用40奈米制程的DDR3芯片已开始大量投产,领先台厂2个世代之多,台系DRAM厂在追赶的进度上,再度显得相当吃力。
2009-11-25 DRAM厂募资能力差异造就未来发展强弱分明
DRAM厂2009年脱离财务危机,营运开始累积现金后,募资能力也是强弱分明,攸关未来长期竞争力,其中南亚科以私募、现金增资和联贷合计募资超过新台币400亿元,是2009年最佳的抢钱王,以目前制程微缩的进度来看,南亚科和华亚科2010年是最快进入50奈米制程的台系DRAM厂,成本结构将最具竞争力。
2009-09-28 台积电与AMCC结盟 取得嵌入式微处理器订单
台积电日前宣布与AMCC(应用微电路;Applied Micro Circuits Corporation;AMCC-US)结盟,AMCC的Power Architecture嵌入式微处理器将以台积电90奈米CMOS制程生产,未来将进一步推进到65奈米及40奈米制程。
2009-04-30 台湾晶圆厂选择ASM的Pulsar原子层沉积技术工具
ASM International N.V. 宣布一家台湾晶圆厂为其28 奈米节点high-k 闸极介电层量产制程选择ASM的Pulsar 原子层沉积技术(ALD)工具。
2009-04-29 思源科技与联华电子提供65奈米PDK支持客制芯片设计
近日,思源科技与联华电子共同宣布,将提供已通过晶圆专工验证的LakerTM制程设计套件(PDK)予联华电子65奈米制程技术使用。这项由双方共同合作发展的PDK,是为了满足双方共同客户在特殊设计与尖端制程上的需求。
2009-04-22 晶圆代工景气回温 28纳米投入增加
半导体市场景气回温,台积电、联电、特许等晶圆代工厂今年将投入数亿美元资本支出,投入28奈米高介电金属闸极(high-k/metalgate,HKMG)技术竞赛。而在台积电及联电去年相继宣布32及28奈米HKMG制程完成良率验证后,以IBM为首的通用平台(CommonPlatform)也宣布明年下旬提供28奈米HKMG制程量产服务。
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2000亿元永远收不回的投资,换来一张五年就停止发展的TD-SCDMA网,而所谓自主知识产权比例饱受争议。蛮力改写科技产业路线,失败作结。[详细]


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