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分立封装
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2011-11-29 Vishay发布业内首款用于调制红外遥控信号的解调IC:VSOP383和VSOP584
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,发布业内首款用于调制由分立光敏二极管接收的红外遥控信号的解调IC--- VSOP383..和VSOP584..,扩大其光电子产品组合。VSOP383..和VSOP584..系列产品采用小尺寸的2mm x 2mm x 0.76mm QFN封装,能够处理连续的数据传输,具有宽电源电压和低供电电流的特点。
2011-08-05 Altium 解决访问或调用3D模型的问题
Altium Designer6.8版本及后续版本,可以不再使用分立3D模型库。3D模型将被直接关联到.PcbLib的封装,同时Altium Designer6.8之前版本内创建的.PCB3DLib 模型库仍然支持。
2010-11-29 RF/微波产品系列新增用于宽带通信设计的高集成度解调器
?与使用多个芯片的分立解决方案不同,ADI 公司的单芯片解调器ADRF 6850将一个60dB VGA(可变增益放大器)、一个小数N分频 PLL (锁相环)频率合成器、一个 VCO (压控振荡器)和两个基带 ADC 驱动器全部集成于一个8 mm x 8 mm LFCSP 封装中,从而显著节省电路板空间,降低成本,并且简化开发工作。
2010-11-19 CMMF深度挖掘手机制造系统价值提升
手机关键元器件的封装技术已经经历了插装到贴装、分立到集成两次革命,现在又从2D封装开始向3D封装进发,裸芯片和WLCSP得到了大量应用,被动元件和PCB技术也出现了微型化和柔性化的趋势。与之对应的,手机等移动互联终端的组装工艺也经历了多次改革。
2010-10-19 用于HSPA和LTE等高数据速率无线协议的LNA
Maxim先进的SiGe BiCMOS工艺使得这两款宽带LNA同时具有优异的性能和极为紧凑的封装。器件提供15dB增益,1.0dB的低噪声系数可实现优于分立或CMOS方案的接收灵敏度,工作在I、IV、V、VI、VII和X UMTS频段。
2010-06-02 0.65mm行业最低高度的2x2 mm无铅分立封装
恩智浦半导体(NXP Semiconductors)今天宣布推出两种拥有0.65 mm的行业最低高度新2 mm x 2 mm小信号分立无铅封装。
2009-02-27 混合集成电路的电磁兼容设计
混合集成电路是在基片上用成膜方法制作厚膜或薄膜元件及其互连线,并在同一基片上将分立的半导体芯片、单片集成电路或微型元件混合组装,再外加封装而成。
2008-10-20 ST倒装片封装提高滤波和保护功能的集成度,支持10条高速数据线
意法半导体在一个1.98 x 2.08 mm的倒装片封装内整合了10条高速信号线EMI滤波和ESD保护电路。与等效的分立网络相比,新产品 EMIF10-LCD03F3节省电路板空间高达80%,节省49个元器件,阻带衰减度更高。
2008-07-11 探索中国特色半导体行业发展新模式
从半导体产业发展的历史看,早期的企业都采取融设计、制造、封装为一体的垂直生产(IDM)模式。随着市场需求的变化和科学技术的进步,一部分企业为满足多品种、小批量产品的需求,开始寻求生产模式的改变,出现了设计、制造、封装三业分立的局面。对企业而言,发展模式并不是一成不变的,而是应该根据市场环境、技术水平的变化而调整。
2008-07-03 中国电子报:探索中国特色IC业发展新模式
从半导体产业发展的历史看,早期的企业都采取融设计、制造、封装为一体的垂直生产(IDM)模式。随着市场需求的变化和科学技术的进步,一部分企业为满足多品种、小批量产品的需求,开始寻求生产模式的改变,出现了设计、制造、封装三业分立的局面。对企业而言,发展模式并不是一成不变的,而是应该根据市场环境、技术水平的变化而调整。
2006-04-26 安森美半导体持续分立元件封装的小型化
安森美半导体推出封装仅为1.4mm x 0.6mm x 0.5mm SOD-723的三种新型肖特基二极管和三种新型ESD二极管,满足持续应对便携式产品业对分立元件封装的进一步小型化的需求。
2006-04-03 工作频率达1MHz的高速转换器
Vishay Intertechnology推出两款新型高速转换器解决方案,这两款器件将控制MOSFET、同步MOSFET及驱动电路整合到了一个超薄的高性能 PowerPAK MLF封装中。这两款新型产品简化了单相及多相直流到直流设计流程,并且提供了比分立解决方案高 3% 的效率。
2006-02-14 VISHAY高速转换器工作频率达1MHZ 效率比分立解决方案高3
Vishay Intertechnology宣布推出两款新型高速转换器解决方案,这两款器件将控制 MOSFET、同步 MOSFET 及驱动电路整合到了一个超薄的高性能 PowerPAK MLF 10x10 封装中。
2005-11-09 (多图) 以锂离子、锂金属和锂聚合物电池组及其它保护系统为导向的MOSFET
在本文所给的实例中研究了两个N沟道MOSFET晶体管,它们是组装在同一个TSSOP8封装内的两个分立的芯片,产品主要电特性是:30V漏源击穿电压,12V MOSFET氧化层击穿电压,极低的阈压和通态电阻
2004-03-29 (多图) Smart SIPMOS功率开关:用硅代替散热片
耗能且需要降温的半导体电力开关已过时。使用低阻“垂直”Smart SIPMOS开关,设计者可以按需要降低功耗。由于硅工艺和封装技术的发展,扁平P-DSO封装Smart SIPMOS 四路高端开关可以替代在带有散热片的TO-220封装中的四个分立开关,后者是隔热结构,装配起来比较复杂。而且,自我诊断功能和短路保护功能都内置在前者中。系统成本的降低是半导体行业“由硅代替散热片”策略所带来的主要好处。
2003-12-12 无引线封装的分立器件种类繁多
飞利浦电子公司正在供应采用新型无引线SOD882 和SOT883封装的多种多样分立半导体器件,其中包括MOSFET、通用晶体管、装有电阻器的晶体管、低VCEsat BISS 晶体管、宽带晶体管、开关二极管、齐纳二极管、肖特基势垒二极管、变容二极管、波段开关二极管和PIN二极管。
2003-10-12 元器件
符合InfiniBand 1.1规范的新型开关芯片;重负载金属化薄膜电力电容器;具有良好过载能力的大功率芯片状电阻器;分立半导体器件新一代无引线QFN封装;MEMS流量传感器;精度为0.5℃的数字输出温度传感器
2003-08-27 飞利浦推出分立半导体的新一代无引线封装
皇家飞利浦电子集团推出采用无引线四方扁平(QFN)技术的新一代小型分立无引线封装。该新型SOT88x 封装系列是小体积应用设计师的最佳选择,可减少系统PCB面积和高度,同时在真正大批量生产的封装中增加"分立"功能。SOT88x 系列产品的高性能和极小的体积非常适用于 LCD 背光相关设备、DC/DC转换、静电放电(ESD)保护设备及小信号开关晶体管等应用。
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