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低压沟道
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2009-08-22 (多图) 一种高速低压用增益增强型运算跨导放大器设计
在高性能模拟集成电路,诸如开关电容滤波器、∑-△调制器和流水线A/D转换器中,常常需要高直流增益、高单位增益带宽的运放来同时满足系统对精度与速度的要求。高增益要求运放采用多级、长沟道器件,小的工作电流;而高速则要求运放采用单级、短沟道器件,大的工作电流。增益增强技术的提出解决了这对矛盾,提高了运放的直流增益而又不影响其高频性能。
2009-07-24 Vishay发布两款新型microBuck集成同步降压稳压器
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出两款新的microBuck系列集成同步降压稳压器 --- SiC413、SiC417。输出电流分别达4A和10A的SiC413和SiC417是DC-DC转换器解决方案,具有具有自带栅极驱动器的先进控制器IC、两个对PWM优化的N沟道MOSFET(高压侧和低压侧),以及在独立降压稳压器配置中的自举二极管。
2009-07-22 Vishay推出新款DrMOS器件,可用于CPU系统中的电压稳压器
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出一款在一个PowerPAK MLF6x6封装内集成DrMOS解决方案的器件 --- SiC769,该器件同时提供了高压侧和低压侧的N沟道MOSFET,外加全功能的MOSFET驱动器IC。
2009-06-22 (多图) 基于ARM的CAN总线电缆沟道监测系统的设计
城市高低压输电电缆人地率已成为城市管理水平的标志之一。城市输配电电缆近年正逐渐从架空线改为电力电缆,电缆沟道作为电缆线路的通道,其建设速度逐年加快,建设里程逐年递增,以后更会大规模展开。
2008-04-04 (多图) 简单的、输出锁定的过流故障检测器,具有快速的响应时间
本文介绍了一个简单、具有快速响应时间的过流故障检测器,用于低压系统的电路保护。该方案与专用的热插拔控制器不同,专用的热插拔控制器跳出欠压状态后往往具有较长的启动延时,而本文介绍的电路在输入电压超过2.7V后仅150?s后就可提供保护。此外,在上电过程中,该电路会通过限制外部p沟道开关的栅极电压来限制浪涌电流。
2007-02-01 小封装的P沟道MOSFET器件
飞兆半导体公司推出小封装的P沟道MOSFET器件FDZ191P,可为各种低压 (<20V) 便携式电子产品提供功率转换、充电和负载管理所需的最佳热性能和电气性能。FDZ191P器件的性能优于市场上大部分专为低压应用而设计的功率MOSFET。
2006-12-06 飞兆半导体推出封装最小的P沟道MOSFET器件
飞兆半导体公司推出业界封装最小的P沟道MOSFET器件FDZ191P,可为各种低压便携式电子产品提供功率转换、充电和负载管理所需的最佳热性能和电气性能。特别适合这个器件的应用对象包括:移动电话、数码相机、MP3播放器、医疗设备,以及其它智能化,小型化的便携式产品。
2005-02-03 安森美半导体推出新型低压沟道MOSFET
安森美半导体(ON Semiconductor)推出八款新型N沟道和P沟道低压沟道MOSFET,进一步丰富了其业内领先的沟道技术器件系列。
2003-09-12 飞兆半导体推出SC75 FLMP封装的低压MOSFET
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出新型P沟道MOSFET器件FDJ129P,为便携设备电源管理带来综合的性能和节省空间优势,这些设备包括移动电话、PDA、便携音乐播放机、GPS接收装置、低压/低功率DC-DC转换器及数码相机等。
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