EDN China首页 > 高级搜索 > 体二极管

体二极管 体二极管 搜索结果

体二极管
本专题为EDN China电子技术设计网的体二极管专题,内容全部来自电子技术设计网精心选择与体二极管相关的资讯。EDN China 是第一家关注中国电子设计领域的媒体。在过去的20年,针对中国设计经理人和工程师的不同需要,不断提供最先进和有深度的设计技术和应用。
共搜索到18篇文章
2015-06-05 智能优化死区时间:实现钛金级电源不是梦!
德州仪器具有智能数字控制和体二极管感测功能的电源管理芯片组——UCD3138A和UCD7138,可优化AC/DC电源中的次级侧同步整流并改善系统效率,从而以低成本加快80 PLUS钛金牌认证电源的上市时间。
2014-12-19 Vishay发布首颗用于软开关拓扑的双片600V快速体二极管N沟道MOSFET
2014年12月4日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,发布600V EF系列快速体二极管N沟道功率MOSFET的两款器件。Vishay Siliconix SiHx28N60EF和SiHx33N60EF具有低向恢复电荷和导通电阻,能够在工业、电信、计算和可再生能源应用中提高可靠性,节约能源。
2013-05-07 (多图) 第2代FS SA T IGBT可显着减少单端谐振逆变器总损耗
本文将介绍飞兆半导体的第2代1400V场截止Shorted Anode沟道(FS-SA T)IGBT(具有不同于一般IGBT的固有体二极管)在感应加热(IH)系统中的应用,并注重介绍它在单端(SE)谐振逆变器中的效率等特性。
2012-12-18 飞兆推出600V N沟道SuperFET II MOSFET
飞兆半导体的高压MOSFET针对AC-DC电源应用提供业界领先的高可靠性体二极管性能. SuperFET II MOSFET的效率更高、稳定性更佳,同时还能节省系统成本和电路板空间
2012-04-13 英飞凌搭载集成式快速体二极管车用650V CoolMOS CFDA树立行业能效新标杆
近日,英飞凌科技推出全新650V CoolMOS CFDA,壮大其车用功率半导体产品阵容。
2011-05-27 英飞凌推出市场领先的高压晶体管:650V CoolMOS CFD2产品
英飞凌展出了全新推出的650V CoolMOS CFD2,它是世界上第一款漏源击穿电压为650V并且集成了快速体二极管的高压晶体管。
2011-03-17 (多图) 用于谐振转换器的UniFET II优化功率MOSFET
????? 谐振转换器是最令人振奋的电源拓扑之一。相比以往的电源拓扑,这种转换器的功效性能更高、元件数目更少、EMI更低,因此在许多应用中都非常流行。谐振转换器最具代表性的特性是软开关,但谐振转换器中体二极管(body diode)的使用有时会导致系统失效。
2011-02-15 英飞凌推出集成快速体二极管的650V MOSFET
英飞凌位于奥地利菲拉赫工厂生产的第35亿颗CoolMOS 高压MOSFET顺利下线。这使英飞凌成为全球最成功的500V至900V晶体管供应商。通过不断改进芯片架构,使得CoolMOS 晶体管技术不断优化,这为取得成功奠定了坚实基础。
2011-01-26 飞兆半导体推出经优化的功率MOSFET产品
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)凭借精深的MOSFET技术知识,开发出经优化的功率MOSFET产品UniFET II MOSFET,新产品具有更佳的体二极管和更低的开关损耗,并可在二极管恢复dv/dt模式下耐受双倍电流应力。
2011-01-01 崭新即插即用器件提升负载点转换器效率
DIOFET的典型RDS(ON) 值较低,能确保传导损耗保持在最低水平,而其正向电压 (VSD) 比同类MOSFET/肖特基解决方案低25%,因此在脉宽调制(PWM)死区时,通过体二极管把传导损耗减至最低。此外,DMS3017SSD和DMS3019SSD内的高侧MOSFET具有低栅极电荷和快速开关功能,能把高侧开关损耗减至最低。
2010-12-10 崭新即插即用器件提升负载点转换器效率
DIOFET的典型RDS(ON) 值较低,能确保传导损耗保持在最低水平,而其正向电压 (VSD) 比同类MOSFET/肖特基解决方案低25%,因此在脉宽调制(PWM)死区时,通过体二极管把传导损耗减至最低。此外,DMS3017SSD和DMS3019SSD内的高侧MOSFET具有低栅极电荷和快速开关功能,能把高侧开关损耗减至最低。
2010-10-13 提升负载点转换器效率及可靠性的DIOFET器件
在10V 的VGS电压下,DMS3014SSS 和 DMS3015SSS的RDS(ON)分别仅为10m? 及8.5m?。这些器件能把通常情况下与低侧MOSFET相关的导通损耗降至最低。与此同时,DIOFET集成的肖特基二极管正向电压比同类MOSFET或肖特基二极管低25%,比典型MOSFET的本征体二极管低48%,从而最大限度地降低了开关损耗,提高了效率。
2010-07-02 650V CoolMOS C6/E6高压功率晶体管
英飞凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。该产品系列将现代超级结(SJ)器件的优势(如低导通电阻和低容性开关损耗)与轻松控制的开关行为、及体二极管高牢固性融合在一起。
2009-10-31 (多图) 零电压开关全桥转换器设计降低元器件电压应力
很多电源管理应用文章都介绍过采用 ZVS(零电压开关)技术实现无损转换的优势。为了实现 ZVT(零电压转换),漏-源电容与FET的体二极管等寄生电路元件被用于实现谐振转换,而不是任由其在缓冲电路中耗散。谐振电路在启动前对开关器件施加的电压为零,这就避免了每次转换时因开关电流与电压同时叠加而造成的功率损耗。
2009-07-31 新一代CoolMOS C6和第三代SiC二极管提高综合性能
英飞凌日前推出下一代MOSFET 600V CoolMOS C6系列,可以将PFC或PWM电源转换产品的电源效率大幅提升。全新C6技术融合了超结结构及包括超低单位面积导通电阻在内的补偿器件的优势,同时具有更低的电容开关损耗、更简单的开关特性控制特性和更结实耐用的增强型体二极管
2006-08-06 (多图) 用于嵌入式功率系统的先进100V MOSFET器件
高效的AC/DC SMPS与DC/DC转换器是现代功率架构的主干,用于驱动电信或计算机等系统。为了满足市场对这些转换器的需求,英飞凌科技推出了全新的100V MOSFET系列器件。该系列器件以电荷平衡为基础,可大幅度降低导通电阻。通过组合应用低栅电荷、高开关速度、卓越的抗雪崩能力及改进的体二极管(body-diode)特性,使这些器件适用于多种不同的应用。
2006-02-10 IR推出30V功率MOSFET 将两相同步降压转换器效率提升2%
国际整流器公司近日推出两款新型30V HEXFET?功率 MOSFET,可将30V/45A两相同步降压转换器MOSFET解决方案的轻负载效率提升2%,用来驱动笔记本电脑及其他高性能计算应用中的Intel和AMD最新型处理器。这两款新型无铅器件分别是IRF7823PbF和IRF7832ZPbF,通过优化传导、开关和体二极管损耗,可实现最佳的效率和功率密度。两款器件可用作每相需要一个控制和2个同步MOSFET的两相同步降压转换器电路芯片组。这组新型SO-8 MOSFET 还适用于其他采用PWM控制的DC-DC降压转换器应用。
2003-06-12 具备快速本体二极管特性的全新MOSFET
国际整流器公司(IR)推出全新600V HEXFET功率MOSFET系列,新器件具备快速本体二极管特性,专为零电压开关(ZVS)电路等软开关应用量身订造。ZVS技术能在开关式电源(SMPS)电路中实现最大效率,并能提高功率输出,适用于当今效率和可靠性极为重要的高速、宽带电信及数据通信系统。
今日焦点
说说TD-SCDMA的经验和教训

说说TD-SCDMA的经验和教训

2000亿元永远收不回的投资,换来一张五年就停止发展的TD-SCDMA网,而所谓自主知识产权比例饱受争议。蛮力改写科技产业路线,失败作结。[详细]


打开微信“扫一扫”,打开网页后点击屏幕右上角分享按钮

1.扫描左侧二维码
2.点击右上角的分享按钮
3.选择分享给朋友
数据手册相关热门搜索

每月定期向您递送电子元器件规格书网中的最新元器件数据手册下载、库存信息及技术参数更新。请点击订阅:

《微波及射频》

5G网络在提供1Gbps至10Gbps吞吐量方面具有很好的前途, 并且功耗要求比今天的网络和手机都要低,同时还能为关键应用提供严格的延时性能。
热门小组
有问题请反馈