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2015-06-04 半导体业掀并购热潮,TI、ADI或遭收购
半导体业掀起购并热潮,砷化镓 RF 元件供应商安华高等纷纷出手,不少分析师认为,这波买气还没结束,点名德州仪器、类比 IC 厂Analog Devices 可能遭并。
2014-10-23 RF元件走向高整合/MIPI设计
射频前端天线开关(Switch)、低杂讯放大器(LNA)模组整合度跃升。载波聚合(CA)已成新一代LTE系统不可或缺的重要技术,而为达到同时聚合二到四组不同频段的目的,并兼顾成本、效能及元件尺寸考量,高整合度且采行动产业处理器介面(MIPI)的天线开关、低杂讯放大器模组重要性已与日俱增。
2014-06-20 射频(RF)前端元件的春天
LTE-A频段复杂度提升,芯片商猛攻RF前端方案。射频(RF)前端元件重要性遽增。先进长程演进计划(LTE-A)采用载波聚合(Carrier Aggregation)与多重输入多重输出(MIMO)技术,实现高达300Mbit/s的传输速度,但也同时提高射频子系统设计复杂度,因此晶片商已积极开发能覆盖更多频段的射频前端方案,以降低客户开发门槛。
2013-09-18 TSV制程技术使模拟芯片迈向3D堆叠架构
类比积体电路设计也将进入三维晶片(3D IC)时代。在数位晶片开发商成功量产3D IC方案后,类比晶片公司也积极建置类比3D IC生产线,期透过矽穿孔(TSV)与立体堆叠技术,在单一封装内整合采用不同制程生产的异质类比元件,以提升包括电源晶片、感测器与无线射频(RF)等各种类比方案效能。
2013-07-08 手机射频技术和手机射频模块基础
基本的手机射频部分中的关键元件主要包括RF收发器,功率放大器,天线开关模块,前端模块,双工器,RF SAW滤波器及合成器等,本文着重从RF收发器,功率放大器,前端模块进行介绍。
2012-05-15 揭秘3G手机射频屏蔽方案
蜂窝发射模块对手机内的任何元件来说都将产生最大的辐射功率,从而可能诱发EMI和RFI.类似这样的问题可以采用RF屏蔽技术来降低与EMI及射频干扰(RFI)相关的辐射,并可将对外部磁场的敏感度降至最低。
2011-02-10 Maxim推出用于Icera E400/E450平台的单芯片PMIC
Maxim推出用于Icera E400/E450平台的LTE/WCDMA/GSM/GPRS/EDGE数据卡的电源管理IC (PMIC) MAX8982A/MAX8982X。器件集成四路高效、降压型转换器和九路低压差线性稳压器(LDO),为所有RF和基带电路供电。这种集成特性省去了GSM功率放大器(PA)模块中常用的外部转换器等外部元件,可将方案尺寸减小60%、BOM成本降低超过$1.50。
2011-01-04 大规模RF集成可减少手机线路板面积和功耗
如今的无线设备中,线路板上一半以上的元件都是模拟RF器件,因此要缩小线路板面积和功耗一个有效方法就是进行更大规模RF集成,并向系统级芯片方向发展。本文介绍RF集成发展现状,并对其中一些问题提出应对方法和解决方案。
2010-12-23 (多图) 网络分析的基本原理
网络分析仪是一种功能强大的仪器,正确使用时,可以达到极高的精度。它的应用也十分广泛,在很多行业都不可或缺,尤其在测量无线射频(RF元件和设备的线性特性方面非常有用。现代网络分析仪还可以应用于更具体的场合,例如,信号完整性和材料的测量。
2010-09-27 (多图) 针对能量收集型无线远程传感器网络的实用电源管理设计考虑
在考虑使用能量收集技术来为远程无线传感器网络中的电池提供补充和替代电源时,平均负载功率是关键的变量。至于采用何种类型的能量收集换能器合适,工作环境将始终是限定因素,而平均负载功率将进一步缩小选择范围。如今已经有了可填补低功率级换能器与超低功率微控制器、传感器和 RF 链路之间空缺的电源管理解决方案。由于所有必要的元件均已就绪,因此半自主型或全自主型远程传感器网络已经脱离了纯理论研究的阶段,而且将随时进入主流。
2009-09-04 RF电路及其音频电路的PCB设计技巧
先述布局总原则:元器件应尽可能同一方向排列,通过选择PCB进入熔锡系统的方向来减少甚至避免焊接不良的现象;由实践所知,元器件间最少要有 0.5mm的间距才能满足元器件的熔锡要求,若PCB板的空间允许,元器件的间距应尽可能宽。对于双面板一般应设计一面为SMD及SMC元件,另一面则为分立元件。
2009-07-20 LT5578 : 高动态范围有源上变频混频器支持400MHz至2.7GHz所有LTE/蜂窝频段
新型宽带有源上变频混频器 LT5578在 400MHz 至 2.7GHz 的频段内提供了高动态范围性能,并支持所有的分配型 LTE (长期演进) 宽带无线业务。在 900MHz 时,该混频器提供了 27dBm 的输出 IP3 线性度和同类最佳的 -160.5dBm/Hz 噪声层 (在 -5dBm 的输出电平条件下),从而实现了绝佳的发送器动态范围。此外,该混频器还具有 1.4dB 的转换增益和用于提供一个单端 RF 输出和 LO (本机振荡器) 输入的集成 RF 平衡-不平衡变换器,旨在简化设计并减少外部元件的数目。而且,该器件的 LO 输入在内部进行缓冲,因而仅需 -1dBm 的驱动电平。这实现了 -43dBm 的出色 LO 至 RF 泄漏性能。
2009-05-23 (多图) 用ADS实现一个2.38GHz全集成化低噪声放大器设计
目前,在高达数GHz的RF频段范围内,广泛使用的是GaAs MESFET LNAs,其优点是能够在功率增益高达20 dB的同时,使噪声系数低至大约1 dB。但随着CMOS电路技术的成熟,近来对RF CMOS电路元件的研究成果越来越多,在无线通信系统上也已经实现了SoC化。如果CMOS制造技术能克服噪声大,功率损耗大等缺点,凭借其低廉的价格,CMOS LNAs将有可能在数GHz的RF频段范围内,逐渐取代GaAs MESFET LNAs。
2009-03-27 RF模块带来了严峻的测试挑战
无线通信设备的激增创造了对这些设备所用RF元件与模块的惊人需求。当然,元件必须足够小,能舒服地装入采用它们的移动无线消费产品中,而且不会挤占MP3播放器和数码相机等辅助功能。由于消费产品不断支持多种通信标准,微型器件本身必须集成一些必需的功能,以实现WiFi、WiMAX、蓝牙、GPS、DVB-H、UWB,以及各种多频段蜂窝技术。
2009-02-11 RF模块带来了严峻的测试挑战
德国慕尼黑 – 无线通信设备的激增创造了对这些设备所用RF元件与模块的惊人需求。当然,元件必须足够小,能舒服地装入采用它们的移动无线消费产品中,而且不会挤占MP3播放器和数码相机等辅助功能。由于消费产品不断支持多种通信标准,微型器件本身必须集成一些必需的功能,以实现WiFi、WiMAX、蓝牙、GPS、DVB-H、UWB,以及各种多频段蜂窝技术。
2008-12-10 (多图) 采用DC/DC转换器提高RF PA系统效率
从功率预算的角度而言,直接由电池供电的射频功率放大器(RF PA)是需要重点考虑的元件。传统上,CDMA/WCDMA蜂窝标准中使用的射频功率放大器都直接由电池供电,这种供电方式使系统很容易设计,但是,这种标准中使用的线性功率放大器在整个发射功率范围内的实际效率很低。本文讲述一种通过DC/DC转换器提供高效RF PA系统电源管理的方案。
2008-08-18 3G基地台势弱 拖累RF功率IC市场
由于蜂巢式/3G基地台的建置日益减少,因此研究机构预估未来五年内,相关的RF功率半导体元件市场将继续萎缩。
2008-04-21 RF开发的精彩内容与问答
RF设计进阶”活动是面向EDN所有注册会员,针对电子设计爱好者的一项免费赠送活动。EDN负责提供免费的PCB和代购整套元件,并邀请专家坐阵为大家解决开发问题,让您在完成制作的同时能学习到焊接,调试,电路分析,程序设计等一些和制作相关的技能,并且较好的提高了大家学习电子制作的水平和积极性,当然还有成就感。
2008-04-14 (多图) 采用RF芯片组的下一代RFID阅读器
UHF RFID 1W 阅读器的RF部分通常包含大量的不同半导体制造工艺的RF元件。本文讨论下一代RFID(射频识别)阅读器如何采用新的集成元件来简化RFID阅读器的设计。
2008-03-24 (多图) 快速进行RF传输路径测试
麻萨诸塞州Lowell是美国东北部一个小城,曾以制造纺织品而闻名。现在,它是Tyco Electronics公司的总部所在地。该公司是一家国防和航天RF元件和子系统制造商。
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说说TD-SCDMA的经验和教训

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2000亿元永远收不回的投资,换来一张五年就停止发展的TD-SCDMA网,而所谓自主知识产权比例饱受争议。蛮力改写科技产业路线,失败作结。[详细]


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