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50纳米
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共搜索到18篇文章
2015-11-13 摩尔定律为电源系统设计带来什么启示?
在摩尔定律(Moore’s Law)50周年纪念的时刻,来自IBM突破性的7纳米(nm)测试芯片的急切宣示,该公司击败了创建先驱者英特尔(Intel)在一个原子等级中不断增加密度的最新圣杯。
2012-12-17 ST将投产28纳米FD-SOI制程技术
意法半导体(ST)宣布位于法国Crolles的晶圆厂即将投产28纳米FD-SOI制程技术,经过硅验证的制程将提高30%的生产速度,并降低50%的功耗.
2010-12-15 2011年DRAM位元成长率上看50
2011年DRAM产业中,虽然三星电子(SamsungElectronics)已揭露大扩产计划,包括兴建12寸晶圆厂Line-16,以及将现有Line-15升级至35纳米制程,但综观整个DRAM产业的位元成长率,仍都是来自于制程微缩为主,包括三星35纳米制程将在2011年下半超过50%,以及海力士(Hynix)、尔必达(Elpida)和美光(Micron)的30纳米制程也都将在第2季大量产出,集邦科技预估2011年全球DRAM产业位元成长率(BitGrowth)将增加50%。
2010-07-29 新型内存支持基于英特尔处理器的平板电脑和上网本
美光科技 (Micron Technology, Inc.) 今日宣布推出新型2Gb 50纳米的DDR2内存,支持英特尔即将对平板电脑和上网本推出基于Intel 凌动 的Oak Trail平台。尺寸和电池寿命对于平板电脑市场十分重要,因此,小尺寸、高容量、低功耗的50纳米的2Gb DDR2内存将成为该市场的 理想存储解决方案。
2010-07-15 DRAM厂制程转换不顺新产能变数多
近期DRAM市场供需杂音多,由于终端需求前景不明,7月合约价不见起色,仍持续往下修正,加上随著40和50纳米制程微缩导致产能增加,进而压抑价格走势,然值得注意的是,目前各家DRAM厂在40和50纳米世代转换不顺消息频传,新产能是否能如期出笼仍存变量,因此,第3季DRAM价格还有多少修正空间,目前仍处于混沌状态。
2010-02-03 40纳米成DRAM厂流行口号
期DRAM厂掀起一股40纳米热潮,这一切都要从尔必达(Elpida)说起。因为尔必达2009年没钱转进50纳米技术制程后,最后决定跳过50纳米,直接转进45纳米,这下刺激了美光(Micron)阵营,南亚科和华亚科近期宣布42纳米制程提前1季导入,让整个DRAM产业在50纳米都还没看到影子时,又冒出一堆40纳米的话题,但40纳米能为DRAM产业贡献多少?
2010-01-25 美光、尔必达提前导入40纳米 4大DRAM阵营火药味浓
2010年4大DRAM阵营三星电子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、尔必达(Elpida)和美光(Micron)战场直接拉到40纳米世代!继尔必达跳过50纳米制程,大举转换至45纳米后,美光阵营也不甘示弱宣布年中将同步转42纳米。
2009-08-10 DRAM厂40纳米开战 50纳米恐昙花一现
台系DRAM厂身陷财务泥淖且制程停留在70纳米制程,然国际大厂却提前引爆40纳米制程大战!三星电子(Samsung Electronics)40纳米制程产品已开始送样,美光(Micron)产品亦趋近成熟,2010年将加入战局,尔必达(Elpida)这次虽没赶上50纳米世代,差点出现世代交替断层危机,公司内部已研拟2010年将略过50纳米世代,直接跳到40纳米,50纳米恐成短命制程,未来真正决战点会是40纳米制程技术。
2009-07-22 三星电子率先量产40纳米DDR3 Dram
日前,三星电子宣布已经开始量产40纳米2Gb DDR3 Dram。这是该级别产品全世界首次进入量产。同时该产品比去年九月量产的50纳米产品拥有更高的量产性。
2009-03-02 AMD对CPU超频不设限 拟开放至所有产品线
2月27日下午,AMD在北京正式发布45纳米羿龙II桌面处理器,与上一代65纳米羿龙处理器相比,其性能提高达20%,运行时功耗降低40%,空载时功耗降低达50%。
2006-11-24 联电明年试生产45纳米SRAM芯片
台湾地区晶圆代工厂联电已突破关键的45纳米工艺障碍,生产出了单元尺寸小于0.25平方微米的SRAM芯片。联电计划明年试生产45纳米芯片。该公司表示,与其65纳米工艺相比,新式45纳米工艺的6晶体管SRAM单元尺寸缩小了50%,性能提高了30%。
2006-08-17 美光欲在两年内将NAND市场份额提高3倍
据美光科技公司NAND开发副总裁弗朗基F.鲁帕瓦称,由于美光科技公司的50纳米制程NAND闪存芯片计划在2007年年初投产,它打算在市场上展开更为积极的进攻,计划到2008年-2009年之间的时候将其市场占有率提高到10%以上。
2006-02-22 杰尔系统推出业界最低功耗的90纳米读取通道
杰尔系统宣布针对 PC 与消费类电子产品推出业界功耗最低的存储读取通道。最新的杰尔系统技术比同类竞争解决方案的功耗降低了 50%,从而使硬盘驱动器 (HDD) 制造商能在各种海量存储应用中采用统一的高性能设计。
2004-05-11 Spansion公司Fab25工厂致力于满足无线市场对110纳米技术不断增长的需求
Spansion公司宣布,在其位于美国奥斯丁的Fab 25 "百万级工厂 (MegaFab)"批量生产的110纳米浮门技术产品在该工厂的总产量中已经超过50%。
2004-04-12 存储器
微型USB2.0闪存系列产品;采用90纳米制造工艺生产的NOR闪存;总线频率50MHz的16和32兆位串行闪存
2003-12-22 德州仪器推出首款采用90纳米技术开发的OMAP应用处理器
德州仪器推出了用于手机及移动设备的最新型应用处理器OMAP1710。该器件是业界第一款采用 TI 先进 90 纳米工艺技术开发的多媒体应用处理器,其功耗仅为当前 TI 应用处理器的50%,但性能提高了 40%。
2003-06-12 Xilinx推出90纳米Spartan-3平台FPGA
Xilinx公司日前已开始提供新一代90纳米Spartan解决方案--Spartan-3平台FPGA。该产品密度范围从5万到500万系统门,最低价格仅售3.50美元,可满足客户对低成本解决方案的需求,并极大地扩展了Spartan系列器件所适用的市场范围。
2003-04-18 Cadence最新的Incisive验证平台将设计验证时间缩短50
Cadence正式发布了最新的Incisive验证平台,这是为纳米尺寸设计而推出的单内核验证平台,它是嵌入式软件、控制、数据通道和模拟/混合信号/RF设计的统一平台,这种通用统一的设计方法学可以使测试平台的开发时间、验证运行时间和调试时间大大缩短,从而使整个的设计验证时间缩短50%以上。
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2000亿元永远收不回的投资,换来一张五年就停止发展的TD-SCDMA网,而所谓自主知识产权比例饱受争议。蛮力改写科技产业路线,失败作结。[详细]


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