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宜普公司
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2014-06-27 电源转换公司的氮化镓技术荣获电子技术设计杂志十周年创新技术优秀奖
作为硅MOSFET器件的替代技术,电源转换公司的增强型氮化镓(eGaN)功率晶体管技术荣获业界著名杂志颁发创新技术优秀奖.
2014-06-18 电源转换公司推出全新DrGaNPLUS 开发板
近日,宁波墨西科技有限公司(以下简称“宁波墨西科技”)在全球规模最大、年产300吨的石墨烯生产线投产半年后,举行首次新品发布会。
2014-03-14 电源参与业界研讨会展示氮化镓技术的最新发展
电源转换公司专家于亚太区业界功率研讨会展示采用氮化镓场效应晶体管可提高无线电源传送应用的效率达20%。
2013-04-11 内含增强型氮化镓场场效应晶体管的开发板
公司推出升级版的开发板,内含增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管及德州仪器公司专为驱动氮化镓器件而设的栅极驱动器.
2013-03-04 向前迈进 eGaN FET全新市场及应用分析
他们尝试利用具备更高击穿电压及更高效电源转换性能的氮化镓晶体管来替代硅MOSFET器件,其目标是开发出可以在严峻环境下工作并具备更高性能的电子器件。电源转换公司(EPC)于2010年为电源转换市场开发出了第一代增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)。
2012-09-14 发布氮化镓场效应晶体管
电源转换公司的氮化镓场效应晶体管(eGaNFET)在安全工作区域具备优异性能。
2012-08-23 宣布WiTricity采用其eGaN场效应晶体管
电源转换公司宣布著名无线电源技术公司WiTricity的展示系统采用高频氮化镓(eGaN)场效应晶体管.该氮化镓场效应晶体管具卓越开关速度,为具非常高的共振频率的无线电源传送提高功率电子的效率.
2012-05-28 推出氮化镓场效应晶体管的电源转换器演示板
电源转换公司宣布推出EPC9102演示板,这是一个全功能的八分之一砖转换器演示板。
2011-09-23 EPC宣布推出全新开发板:EPC9006
电源转换公司(EPC)宣布推出EPC9006开发板,这种开发板能使用户更方便地使用宜普100V增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管设计产品。
2011-09-23 EPC宣布推出全新开发板:EPC9005
电源转换公司(EPC)宣布推出EPC9005开发板,这种开发板能使用户更方便地使用宜普40V增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管设计产品。
2011-08-30 EPC推出第二代eGaN FET的最新成员:EPC2014
电源转换公司(www.epc-co.com)宣布推出第二代增强性能氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)系列中的最新成员——EPC2014。
2011-08-16 EPC推出第二代200V功率晶体管:EPC2012
电源转换公司(www.epc-co.com)宣布推出第二代增强性能氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)系列中的最新成员——EPC2012。
2011-08-16 EPC宣布推出EPC9004开发板
电源转换公司(EPC)宣布推出EPC9004开发板,这种开发板能使用户更方便地使用宜普200V增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管设计产品,其应用范围广泛,如太阳能微型逆变器、D类音频放大器、以太网供电(PoE)系统和同步整流器。
2011-07-31 EPC的eGaN FET实现更高的功率密度水平
美国国家半导体(NS)近日推出了业界首款针对高压电源转换器的增强型氮化镓(eGaN)功率场效应晶体管(FET)而优化的100V半桥栅极驱动器LM5113,电源转换公司(Efficient Power Conversion,EPC)创始人之一兼首席执行官Alex Lidow表示:“NS的LM5113桥式驱动器与我们的eGaN FETs配合使用,可以大幅缩小PCB面积,实现更高的功率密度水平,而基于等效MOSFET的设计是做不到这一点的。”
2011-06-10 推出第二代200V增强型氮化镓功率晶体管:EPC2010
电源转换公司宣布推出了第二代eGaN场效应晶体管(FET)系列产品中的最新成员EPC2010,具更卓越性能,不仅环保、不含铅,而且符合RoHS(有害物质限制)指令。
2011-06-09 公司推出新款开发板:EPC9003
随着EPC9003开发板的推出,用户可以更加容易在许多应用中开始利用宜普200V增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管(FET)进行设计,例如太阳能微型逆变器、D类音频放大器、以太网供电和同步整流等应用。
2011-03-17 电源转换公司(EPC)发布两款无铅且符合RoHS要求的 eGaN FET
电源转换公司(www.epc-co.com)宣布推出EPC2001和EPC2015两种无铅且符合RoHS(有害物质限制条例)要求的增强型氮化镓 (eGaN) FET。
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