EDN China首页 > 高级搜索 > 芯片合资

芯片合资 芯片合资 搜索结果

芯片合资
本专题为EDN China电子技术设计网的芯片合资专题,内容全部来自电子技术设计网精心选择与芯片合资相关的资讯。EDN China 是第一家关注中国电子设计领域的媒体。在过去的20年,针对中国设计经理人和工程师的不同需要,不断提供最先进和有深度的设计技术和应用。
  • 文章
    (14)
  • 论坛
    (0)
  • 博客
    (0)
共搜索到14篇文章
2012-03-08 应用材料联合IME设立3D芯片封装研发实验室
该中心由应用材料和 IME 合资超过 1 亿美元设立,拥有14,000 平方英尺的10级无尘室,配有一条完整的十二吋制造系统生产线,能支持 3D 芯片封装研发。
2011-05-13 中芯国际与武汉新芯12英寸线项目实施合资经营
中芯国际集成电路制造有限公司与湖北省科技投资集团公司在武汉市东湖宾馆正式签订合资合同,对武汉新芯集成电路制造有限公司12英寸芯片生产线项目实施合资经营。至此,中芯国际与武汉政府方的继续合作在互利共赢的基础上跨入了一个崭新的阶段。
2009-09-01 传中移动与联发科建合资公司 移动占7成股权
消息人士透露,中国移动将与联发科在内地合资成立新公司,研发TD-SCDMA关键零组件,合资公司将由中移动出资七成以上股权,一旦做大TD市场,中移动采购的3G及2G手机,都会以联发科芯片为主要来源。
2008-11-07 尔必达50亿美元苏州芯片合资项目搁浅
全球第三大DRAM(动态随机存储器,即内存颗粒)生产商——日本尔必达(Elpida)宣布,将暂停其于今年8月设立的总值高达50亿美元的苏州合资项目,即与苏州创业投资集团有限公司成立合资公司生产12英寸晶圆 (圆形硅晶片)。
2008-10-21 东芝拟斥10亿美元收购SanDisk芯片制造工厂
据国外媒体报道,东芝计划以10亿美元收购SanDisk在日本三重县的合资芯片制造工厂中的一半设备,目前双方公司正在进行积极的谈判。业界分析,此举是东芝针对上个月三星宣布收购SanDisk计划儿做出的回应。
2008-08-11 三大芯片巨头合资开发NAND 英特尔拥有45%股权
据国外媒体报道,近日,全球第二大电脑记忆体晶片制造商Hynix表示,已与意法半导体(STMicroelectronics NV)和英特尔的合资公司Numonyx BV签署了一项为期五年的协议,拓展其在快速增长的NAND闪存领域的共同开发项目。
2008-07-07 太阳能仍然是中国硅片市场发展主引擎
2007年在无锡尚德等国内太阳能电池生产企业产量提升的带动下,中国太阳能电池产业依旧高速增长。由于生产1MW的太阳能电池对硅片消耗量很大,太阳能电池产业的快速发展拉动太阳能用硅片市场需求。在半导体领域,受到海力士和ST合资兴建的12生产线投产、中芯国际在北京12生产线产能提升的有利带动以及国内芯片生产线产能维持在良好水平的影响下,半导体用硅片市场需求也保持了良好的增长态势。
2008-04-13 重庆将建中英合资大功率LED芯片厂
日前,记者从重庆市信息产业局获悉,重庆天海医疗设备公司与英国威尔士恩菲斯签署《中英科技产业合作协议》,双方将在色温连续可调大功率led芯片手术无影灯产品上,成立技术研究中心并联合投资建厂。
2007-07-30 东芝富士通NEC拟合资开发32纳米芯片
东芝、富士通、NEC三家公司宣布,为了更好地跟上业界潮流,正进行联合开发32纳米工艺芯片的谈判。
2007-07-26 意法半导体Q2亏损7.58亿 皆因资产注销及重组
欧洲最大的芯片制造商意法半导体发表第二季度财报,由于注销了转移到与英特尔合资闪存部门的资产及重组费用,季度亏损达到7.58亿美元,合-84美分/股。去年同期为盈利1.68亿美元合18美分/股。
2006-10-11 海力士与ST为在中国的合资存储器芯片制造厂举行落成典礼
意法半导体公司和另一家大型半导体厂商海力士半导体为在中国江苏省无锡市合资建立的存储器芯片前端制造厂举行了正式的开业典礼。中国地方及国家领导参加了开业典礼。
2005-06-01 ST与Hynix在无锡合建DRAM和NAND生产线
意法半导体(ST)与海力士半导体(Hynix)在无锡的存储器芯片前端制造合资工厂破土动工,项目计划总投资20亿美元。该工厂将拥有8英寸和12英寸两条生产线,主要提供DRAM内存和NAND闪存产品。首批DRAM和NAND产品的容量分别为512Mb和4Gb~8Gb,2007年将能够供应1Gb的DRAM和8Gb~16Gb的NAND产品。
2004-09-01 意法半导体称与Hynix合资在中国建芯片厂
布鲁塞尔和巴黎6月29日消息,芯片制造商意法半导体(STMicroelectronics)当地时间周二证实,它就双方在中国组建一个合资制造企业正在同韩国Hynix Semiconductor公司举行谈判。
2003-09-29 FASL LLC推出采用130/110纳米MirrorBit工艺的Spansion512M NOR闪存芯片
AMD与富士通公司合资经营的FASL LLC宣布推出全球首款 512 Mb 的 NOR 闪存芯片 Spansion S29GL512N。这是第一款采用 130/110 纳米第二代 MirrorBit 工艺技术制造的 Spansion 快闪芯片
今日焦点
说说TD-SCDMA的经验和教训

说说TD-SCDMA的经验和教训

2000亿元永远收不回的投资,换来一张五年就停止发展的TD-SCDMA网,而所谓自主知识产权比例饱受争议。蛮力改写科技产业路线,失败作结。[详细]


打开微信“扫一扫”,打开网页后点击屏幕右上角分享按钮

1.扫描左侧二维码
2.点击右上角的分享按钮
3.选择分享给朋友
数据手册相关热门搜索

每月定期向您递送电子元器件规格书网中的最新元器件数据手册下载、库存信息及技术参数更新。请点击订阅:

《微波及射频》

5G网络在提供1Gbps至10Gbps吞吐量方面具有很好的前途, 并且功耗要求比今天的网络和手机都要低,同时还能为关键应用提供严格的延时性能。
热门小组
有问题请反馈