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射频开关
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2015-04-17 业界第一个真正的直流射频开关问市
Peregrine 半导体公司宣布业界第一个真正的直流射频开关上市,UltraCMOS PE42020在一块单片裸片上集成了射频、数字和模拟功能,在直流至8GHz的频带上保持信号健全。
2014-07-14 (多图) 一种0.1-1.2GHz的CMOS射频收发开关芯片设计
本文设计了一种低插入损耗、高隔离度的全集成超宽带CMOS射频收发开关芯片。该电路采用深N阱体悬浮技术,在1.8V电压供电下,该射频开关收发两路在0.1-1.2GHz内的测试结果具有0.7dB的插入损耗、优于-20dB的回波损耗以及-37dB以下的隔离度。
2012-10-15 基于射频开关模块功能电路PCB板的设计
利用虚拟仪器思想,将硬件电路以软件的方式实现,以下设计的射频开关可以由计算机直接控制,可以很方便地与VXI总线测试系统集成,最大限度的发挥计算机和微电子技术在当今测试领域中的应用。
2012-08-20 全新NI PXI射频开关为规模化测试系统延寿提速
NI PXI/PXIe-2543固态开关模块能够以更加快速的开关以及无限的机械寿命周期,对高达6.6 GHz的射频信号进行路由。
2010-08-18 (多图) 利用单个功率放大器实现GSM/DCS双频段RF前端模块设计
本文提出一种新颖的射频功率放大器电路结构,使用一个射频功率放大器实现GSM/DCS双频段功率放大功能。同时将此结构射频功率放大器及输出匹配网络与CMOS控制器、射频开关集成至一个芯片模块,组成GSM/DCS 双频段射频前端模块,其中射频开关采用高隔离开关设计,使得谐波满足通信系统要求。
2010-03-01 (多图) 多通道射频接收机测量噪声系数的新方法
本文解决了射频接收机多路信道噪声系数比较以及接收机不同模块的噪声系数测量。独创性地利用接收机前端的低噪声放大器提供冷热噪声源优化Y因子测量方法,并以MRI射频接收机为例设计出性能优越的多路射频开关实现信道切换,实践证明该方法是适用而有效的。
2008-02-29 英飞凌交付业界首款具有砷化镓性能的CMOS射频开关
英飞凌科技宣布,该公司正在批量供应全球第一款采用CMOS工艺在硅晶圆上制成的射频开关,这种射频开关具有与采用砷化镓(GaAs)工艺制成的射频开关相同的性能——这是一项前所未有的技术突破。
2006-11-09 讯宝首款射频开关RFS7000支持多种无线传输标准
美国讯宝科技公司(Symbol Technologies, Inc.,)近日宣布推出首款射频(RF)无线开关,该产品填补了Wi-Fi、RFID和其他重要射频技术之间的空白。RFS7000射频开关利用了讯宝的Wi-NG(Wireless Next Generation)架构,是为支持和加强Wi-Fi和RFID、802.11n、mesh、VoWLAN(Voice over Wireless LAN)和WiMAX等新兴技术而设计的。
2006-06-29 阻抗为75Ω的宽带用高性能射频开关
射频CMOS集成电路供应商Peregrine半导体公司宣布,PE42742宽带用高性能射频开关正式上市。该器件阻抗为75Ω,设计标准比严格的FCC第15.115段规定更为严苛,其隔离水平当属业内最高,为88dB @ 216MHz及78dB @ 806MHz。
2005-11-30 ANADIGIC宣布推新款射频开关 额定功率达到10W
ANADIGICS日前宣布推出新款射频开关——AWS5532。这款射频开关的额定功率达到10W,令人印象深刻,可应用于汽车电子通信、GSM、CDMA以及WLAN移动平台等应用。
2003-08-08 双动作射频-微机电系统开关适合片上系统集成
世界知名的半导体供应商意法半导体日前公布了一项有关使用微机电系统(MEMS)技术在采用标准互补MOS半导体技术制造的电路内集成高性能射频(RF)开关的创新技术的细节。新的射频开关可望提高移动电话及类似终端的性能,因为这类应用需要高效的射频开关,以最大限度地降低功耗,提高电池的使用寿命。
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2000亿元永远收不回的投资,换来一张五年就停止发展的TD-SCDMA网,而所谓自主知识产权比例饱受争议。蛮力改写科技产业路线,失败作结。[详细]


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