EDN China首页 > 高级搜索 > 片内闪存

片内闪存 片内闪存 搜索结果

片内闪存
本专题为EDN China电子技术设计网的片内闪存专题,内容全部来自电子技术设计网精心选择与片内闪存相关的资讯。EDN China 是第一家关注中国电子设计领域的媒体。在过去的20年,针对中国设计经理人和工程师的不同需要,不断提供最先进和有深度的设计技术和应用。
  • 文章
    (3)
  • 论坛
    (0)
  • 博客
    (0)
共搜索到3篇文章
2014-11-10 Altera非易失FPGA如何在多领域提升系统价值
与传统FPGA相比,MAX 10进行了系统级别的集成,使其在整个系统中的价值得以最大化。通过集成片内闪存,MAX 10 FPGA在不到10 ms内就可完成配置。对于系统管理应用,瞬时接通特性使得MAX 10 FPGA成为系统电路板上最先工作的器件,控制其他电路板元器件的启动。在数据通路应用中,瞬时接通特性支持MAX 10 FPGA在上电时提供积极的用户交互功能。
2008-04-15 ST推出存储密度高的ARM9标准微控制器
意法半导体扩大其基于ARM966E-S内核的STR91xFA系列微控制器的片内闪存容量,推出两款闪存容量为1.1MB和2.1MB的新产品,在目前基于ARM9,或ARM7-TDMI内核的标准微控制器市场上创下存储密度的最高记录。
2003-10-20 瑞萨科技发布大容量片内闪存32位CISC微控制器H8SX/1657F [英]
Renesas Technology Corp. announced the H8SX/1657F 32-bit CISC (Complex Instruction Set Computer) microcontroller incorporating 768 Kbytes of on-chip flash memory for use in optical storage devices and similar PC peripherals, OA devices, and consumer products. Sample shipments will begin in December 2003 in Japan.
今日焦点
说说TD-SCDMA的经验和教训

说说TD-SCDMA的经验和教训

2000亿元永远收不回的投资,换来一张五年就停止发展的TD-SCDMA网,而所谓自主知识产权比例饱受争议。蛮力改写科技产业路线,失败作结。[详细]


打开微信“扫一扫”,打开网页后点击屏幕右上角分享按钮

1.扫描左侧二维码
2.点击右上角的分享按钮
3.选择分享给朋友
数据手册相关热门搜索

每月定期向您递送电子元器件规格书网中的最新元器件数据手册下载、库存信息及技术参数更新。请点击订阅:

《微波及射频》

5G网络在提供1Gbps至10Gbps吞吐量方面具有很好的前途, 并且功耗要求比今天的网络和手机都要低,同时还能为关键应用提供严格的延时性能。
热门小组
有问题请反馈