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纳米控制
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共搜索到8篇文章
2014-12-18 弹性晶体管问世,未来用智能机就能控制电子贴布温度
KAUST的纳米技术整合实验室改造CMOS技术,在ACS Nano发表一篇相关论文,展示了一个弹性的电晶体架构,具备了0.5公厘的弯曲半径。未来可应用在电子贴布,透过手机就能遥控贴布温度。
2011-05-11 咱的纳米有几 安(A)、伏(V)?(下)
在对纳米器件进行电流-电压(I-V)脉冲特征分析时通常需要测量非常小的电压或电流,因为其中需要分别加载很小的电流或电压去控制功耗或者减少焦耳热效应。这里,低电平测量技术不仅对于器件的I-V特征分析而且对于高电导率材料的电阻测量都非常重要。利于研究人员和电子行业测试工程师而言,这一功耗限制对当前的器件与材料以及今后器件的特征分析提出了巨大的挑战。
2010-07-05 半导体“混血”纳米设备可控制量子比特自旋
美国科学家使用其研发的独特的金属—半导体“混血”纳米设备,演示了一种新的光和物质的相互作用,且在仅为几纳米的胶体纳米结构中首次实现了对量子比特自旋进行完全的量子控制,这些新进展朝着制造出量子计算机迈开了更加关键的一步
2010-05-24 半导体导入纳米级 面临考验
计量技术与半导体技术创新。半导体技术进入纳米等级之量测需求,面临相当多的挑战。28纳米线宽量测重复性要求控制在0.2纳米内,超出目前量测仪器能力。
2008-06-10 KLA-Tencor 针对 32 纳米光刻控制推出叠对测量系统
KLA-Tencor 推出最新型叠对测量系统 Archer 200,它包含一个能够改善性能的增强型光学系统,在 32 纳米设计规格节点达到双次成图光刻。客户还可以选择在 Archer 200 上增加 KLA-Tencor 先进的散射测量技术,以在达到其特定的 32 纳米及更小线距测量要求中提供更大的灵活性。
2007-04-26 应用材料公司推出关键性45纳米光掩膜刻蚀技术设备
应用材料公司宣布推出先进的Applied Centura TetraTMIII掩膜刻蚀设备,它是目前唯一可以提供45纳米光掩膜刻蚀所需要的至关重要的纳米制造技术系统。Tetra III通过控制石英掩膜把刻槽深度控制在10 ?以内,同时把临界尺寸损失减小到10nm以下。
2006-01-10 微型化器件实现量产,松下电工布局中国高端市场
微型化是电子产品发展的趋势。近年来各种微型化技术,如MEMS技术、MID技术、纳米加工技术等备受关注。其中,MEMS技术的出现已经有很多年的历史,但发展并不像人们预期的那么好,松下电工株式会社执行官、控制技术应用研究所所长荒谷悦司解释说:“MEMS技术虽然很早就出现,但是由于大家都在实验室研究阶段,都有基础的工业问题和量产问题,很难商品化。虽然开发也是很难的工作,但相比之下量产技术更难,很多厂家都在开发,但多数都只是做成一两个样品,做成批量难度很大,所以这些年发展并不是很好。”
2003-04-18 Cadence最新的Incisive验证平台将设计验证时间缩短50%
Cadence正式发布了最新的Incisive验证平台,这是为纳米尺寸设计而推出的单内核验证平台,它是嵌入式软件、控制、数据通道和模拟/混合信号/RF设计的统一平台,这种通用统一的设计方法学可以使测试平台的开发时间、验证运行时间和调试时间大大缩短,从而使整个的设计验证时间缩短50%以上。
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