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开关损耗
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2016-04-06 英飞凌新一代CoolMOS?可减少50%的开关损耗
英飞凌科技股份公司推出全新的CoolMOS? C7系列超结(SJ)MOSFET家族。该600 V系列相比CoolMOS? CP可减少50%的开关损耗,在PFC、TTF和其他硬切换拓扑结构中可实现和GaN类似的性能水平。
2015-06-17 Fairchild 大幅降低其第四代650V和1200V IGBT损耗
Fairchild大幅降低IGBT损耗,助力工业和汽车应用中效率的提升.Fairchild将在PCIM Asia上介绍如何通过打破硅“理论上”的限制来将IGBT 开关损耗降低30%.
2014-12-19 Vishay Trench PT和FS IGBT平台降低传导损耗和高频开关损耗
Vishay Trench PT和FS IGBT平台降低传导损耗和高频开关损耗,600V和650V IGBT具有低 VCE(ON) 、快速和软开关特性,可用于电机驱动、UPS、太阳能电池和焊接逆变器.
2014-11-07 为FPGA供电的挑战和应对
Enpirion的电源SoC,能将大部分外围器件集成到芯片内部,允许器件在更高的频率工作,并降低开关损耗。其主要得益于三个核心技术:基于高频开关IC技术,Enpirion可以允许器件工作在更高的频率。
2014-05-20 英飞凌扩展其逆导软开关IGBT 产品组合
英飞凌扩展其逆导软开关IGBT 产品组合,新增 650V RC-H5器件,新器件可降低高达 30% 的开关损耗,使系统更加节能高效.
2013-10-08 大功率AC/DC开关电源之无源钳位移相全桥电路
在工程设计中,开关频率fs也不断地提升,由于功率器件的开关损耗与开关频率成正比,这使得在大功率应用中硬开关全桥电路越来越难于胜任了为了解决高频下桥臂功率器件的开关损耗,出现了多种ZVS、ZCS等软开关拓扑,移相全桥电路即是其中之一。本文主要介绍无源钳位移相全桥电路
2013-08-20 Microsemi推出新一代大功率、高性能650V NPT IGBT
美高森美为工业应用推出了新一代大功率、高性能650V NPT IGBT,快速高效的40A、70A和95A晶体管提供业界最佳的开关损耗性能.
2013-06-07 Vishay推出10款可焊的快恢复整流器
Vishay的新款FRED Pt 超快恢复整流器减少消费类产品和电子镇流器照明中的开关损耗,采用SMA、SMB和SMC封装的3A~5A整流器提高了功率密度.
2013-04-07 (多图) 控制开关频率,优化完整负载及线路电压范围内的能效
计算开关损耗是一个棘手的过程。介绍一种预测降低开关频率时DCM损耗与CrM损耗相关性趋势的方法。本文将阐释如何管理开关频率以提供最优能效性能。文中将简述电流控制频率反走(CCFF)技术的原理。这种新方案在控制开关频率方面极为有用,提供最优的平均能效及轻载能效等级。
2012-12-11 (多图) 杂散电感对高效IGBT4逆变器设计的影响
当工作在相同条件下,IGBT针对提高软度需求的设计优化将会付出开关损耗提高的代价。除开关损耗外,开通和关断速度、电流突变和振荡(EMI)的发生也越来越受到重视。寄生杂散电感对直流母线谐振频率和二极管电流突变起到了重要作用。
2012-07-19 Vicor集成零电压开关技術的负载点器件,推出Picor Cool-Power ZVS降压稳压器
Vicor集成零电压开关技術的负载点器件,推出新的Picor Cool-Power ZVS降压稳压器,降低了开关损耗,实现高达98%的峰值效率和高频工作, 最高输入电压高36V。
2012-01-06 准谐振反激式电源架构及应用
低成本和高可靠性是离线电源设计中两个最重要的目标。准谐振 (Quasi resonant) 设计为设计人员提供了可行的方法,以实现这两个目标。准谐振技术降低了MOSFET的开关损耗,从而提高可靠性。
2011-11-14 高频LLC转换器提升电源效率
在高压电源转换电路设计中,诸如电源噪声、开关频率、开关损耗、电源体积、可靠性等问题一直是关键所在。与其它的高压拓扑结构相比,LLC转换器因效率高且设计的电源体积小,在高压电源适用领域一直受到设计师的青睐,不过其设计难度也非常大。
2011-10-24 高频LLC转换器提升电源效率减少PCB面积
在高压电源转换电路设计中,诸如电源噪声、开关频率、开关损耗、电源体积、可靠性等问题一直是关键所在。与其它的高压拓扑结构相比,LLC转换器因效率高且设计的电源体积小,在高压电源适用领域一直受到设计师的青睐,不过其设计难度也非常大。
2011-08-31 (多图) 如何选择最优的190 W纤薄PFC电源段方案?
大多数功率因数校正(PFC)电源段采用临界导电模式(CrM)工作,这种模式控制电感电流从零跃升至期望的峰值电平,然后又降至零。由于这种模式依赖于电流周期的时长,故开关频率以交流线路电流需求的函数形式变化。不利的是,功率需求较低时,从交流线路流入的电流较小,开关频率“飙升”。这样一来,采用大电感就是将开关损耗和干扰降到可接受水平的唯一方式。
2011-05-30 (多图) 解决准方波谐振电源的谷底跳频问题
准方波谐振转换器也称作准谐振(QR)转换器,使反激式开关电源(SMPS)设计的信号电磁干扰(EMI)更低及满载能效更高。然而,由于负载下降时开关频率升高,必须限制频率漂移,避免额外的开关损耗。传统准谐振控制器采用频率钳位技术来限制频率漂移。当系统开关频率到达频率钳位限制值时,就发生谷底跳频:控制器在两种可能的谷底频率选择中来回跳动,导致变压器工作不稳定及产生噪声。克服这个问题的一种新技术是在负载降低时改变谷底频率,从而逐步降低开关频率。一旦控制器选择某个谷底,它就保持锁定这个谷底频率,直到输出功率大幅变化:这就是安森美半导体新近引入的谷底锁定技术。
2011-05-27 IR推出高集成智能电源开关:AUIR3330S
国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 现推出具备主动 di/dt 控制功能的 AUIR3330S 智能电源开关 (IPS) , 可大大减少传导电磁干扰和开关损耗,从而简化汽车电机驱动应用中的设计并降低整体系统成本。
2011-05-17 飞兆半导体推出N沟道PowerTrench MOSFET器件:FDMS86500L
DC-DC电源、马达控制、热插拔和负载开关应用,以及服务器的次级同步整流应用的设计人员,需要使用具有更低传导损耗和开关损耗的MOSFET器件以期提高设计的效率。
2011-03-31 (多图) 整流器空间矢量调制算法的比较研究
简单介绍了整流器空间矢量PWM(SVPWM)控制的原理,就几种SVPWM波的谐波含量、开关损耗进行了比较,同时给出了集成DSP电机控制器TMS320F240实时产生SVPWM的实现算法。
2011-03-28 Diodes推出高电流闸驱动器:ZXGD3005E6
Diodes公司推出ZXGD3005E6 10A栅极驱动器,在电源、太阳能逆变器和马达驱动电路中,实现超快速的功率MOSFET及 IGBT负载切换。这款非逆转的闸驱动器具有完善的射极跟随器配置,可提供少于10ns的传递延迟时间,和少于20ns的升降时间,从而减少开关损耗、简化电路设计和改善系统的整体可靠性。
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