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负载开关
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2015-07-07 什么是负载开关,为什么需要负载开关?
集成负载开关是可用于开启和关闭电源轨的集成电子继电器。大部分基本负载开关包含四个引脚:输入电压引脚、输出电压引脚、使能引脚和接地引脚。当通过ON 引脚使能器件时,导通FET 接通,从而使电流从输入引脚流向输出引脚,并且电能传递到下游电路。
2014-03-18 麦瑞半导体推出新一代微型高边负载开关
麦瑞半导体推出采用1毫米x1.5毫米封装、提供高达3A电流的新一代微型高边负载开关
2013-11-05 NXP首款采用1.1-mm2无铅塑料封装的3 A晶体管
恩智浦推出首款采用1.1-mm2无铅塑料封装的3 A晶体管,高Ptot MOSFET和双极性晶体管具有很低的RDson和VCesat基准值,适用于空间受限应用中的电源管理和负载开关
2013-05-08 Vishay新款P沟道高边负载开关
Vishay发布采用小尺寸WCSP6封装的新款斜率控制的P沟道高边负载开关,器件可在1.5V~5.5V电压范围内工作,具有低至20m?的导通电阻、低静态电流,导通电压上升斜率为3ms.
2013-03-25 恩智浦推出业内首款低VCEsat双晶体管
恩智浦推出全球首款采用2 mm x 2 mm无引脚封装的低VCEsat双晶体管,用于电源管理和负载开关的空间节约型器件丰富了恩智浦具有低饱和电压以及高Ptot晶体管的高效产品组合.
2013-01-05 麦瑞新推四款Ripple Blocker系列大电流器件
麦瑞半导体为其获奖的Ripple Blocker系列低压降线性稳压器和负载开关产品添加四款大电流器件,新产品为需要高达500mA输出电流负载的应用提供了无与伦比的电源电压抑制比(PSRR).
2012-10-25 TI推出微型高侧负载开关
德州仪器推出支持电平位移与压摆率控制的最灵活PFET高侧负载开关,电源开关提供最大电压范围,可替代分立式 FET 开关
2012-08-22 飞兆20V单P通道PowerTrench MOSFET改善便携设备电池充电
帮助蜂窝手机及其他便携式应用设计人员改善电池充电和负载开关,飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 经扩大了其 P 通道 PowerTrench MOSFET 产品线 。
2012-07-26 飞兆半导体负载开关为移动和消费应用提供高功效和保护
目前,越来越多的企业用户面临着系统连接的种种问题。无论企业使用的是可编程控制器、伺服、条码扫描仪或者带串行输出的传感器,凡是需要通过协议来连接系统的都会遇到这种连接问题。
2012-04-24 IR推出采用TSOP-6封装的HEXFET MOSFET系列产品
国际整流器公司推出一系列采用TSOP-6封装、搭载IR最新低压HEXFET MOSFET硅技术的器件,适用于电池保护与逆变器开关中的负载开关、充电和放电开关等低功率应用。
2012-04-11 用智能MOSFET提升医疗设计可靠性及性能
下文将介绍负载开关的技术和其存在于当前电源架构中的塬因。它的应用案例将在实验室範围呈现。我们将讨论小于6V的应用,可充电的可携式医疗应用应该可以从中受益。
2011-12-15 Diodes公司推出单信道限流负载开关AP2331
Diodes公司推出AP2331单信道限流负载开关。该产品专为高清晰度多媒体接口 (HDMI) 的标准及其它监视器接口的保护功能而优化设计,适合于3V至5V的热插拔连接以及其它承受高电容性负载和可能受短路影响的应用。
2011-07-28 集成负载开关:一款可简化无线应用子系统负载管理的简单、快速解决方案
本文将讨论在无线应用中对负载进行开关操作时您需要考虑的一些重要规范。我们还会介绍一些传统的解决方案,并表明如何使用集成负载开关来创建一种经过优化且易于实施的解决方案。
2011-05-17 飞兆半导体推出N沟道PowerTrench MOSFET器件:FDMS86500L
DC-DC电源、马达控制、热插拔和负载开关应用,以及服务器的次级同步整流应用的设计人员,需要使用具有更低传导损耗和开关损耗的MOSFET器件以期提高设计的效率。
2011-04-14 Vishay推出单双通道负载开关:SiP32411、SiP32413和SiP32414
Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出三款新的可在1.1V~5.5V电压下工作的单通道和双通道2A负载开关--- SiP32411、 SiP32413和SiP32414,器件在1.2V下的低开关导通电阻能够提高效率,150μs的典型受控软启动斜率能够限制涌入电流,使受控的启动过程更加平滑,从而将开关噪声降至最小。
2010-11-12 业界首款2.8V至36V集成负载开关系列
AccuPower系列负载开关包括FPF2700、FPF2701和FPF2702三款器件,它们与需要分立MOSFET加外部保护电路的现有解决方案不同,具有内置保护功能,可以省去多达四个附加器件,节省超过70%的电路板空间
2010-07-22 SOT-23功率MOSFET系列支持-30V至100V的电压
国际整流器公司 (International Rectifier) 推出全新HEXFET功率MOSFET系列。该器件采用业界标准SOT-23封装,具有超低导通电阻 (RDS(on)) ,适用于电池充电及放电开关、系统和负载开关、轻载电机驱动,以及电信设备等应用。
2010-07-20 负载开关简化复杂功率设计难题
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出先进负载管理开关产品FPF1038 / FPF1039,这两款单一芯片解决方案在开关用于断开具有高输出电容(>100?F)的负载时,能够帮助设计人员应对降低浪涌电流或高di/dt的挑战。
2010-02-08 (多图) NexFETTM:新一代功率MOSFET
功率 MOSFET 可作为高频率脉冲宽度调变 (PWM) 应用中的电气开关,例如稳压器及/或控制电源应用之中负载电流的开关。作为负载开关使用时,由于切换时间通常较长,因此装置的成本、尺寸及导通电阻 (on-resistance) 是设计时考虑的重点。
2010-01-27 新型负载开关满足家用和诊断计量应用需求
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)与消费电子和移动应用领域的设计和系统工程师合作,开发新型负载开关产品,满足便携医疗设备、数码相机、GPS装置、笔记本电脑和蜂窝电话等应用对更低功耗、增强保护功能及减小封装占位面积器件的强烈需求。
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说说TD-SCDMA的经验和教训

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2000亿元永远收不回的投资,换来一张五年就停止发展的TD-SCDMA网,而所谓自主知识产权比例饱受争议。蛮力改写科技产业路线,失败作结。[详细]


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