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导通电阻
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2016-05-05 用TrenchFET? IV功率MOSFET系列设计更绿色、更小的电源
TrenchFET? IV是TrenchFET功率MOSFET家族中的最新一代产品。与TrenchFET III相比,TrenchFET IV的导通电阻(RDS(ON))和栅极电荷(QG, QGD)数值都有所减小,降低了同步DC/DC转换器中的损耗。
2015-07-22 ROHM量产采用沟槽结构的SiC-MOSFET,导通电阻大大降低
ROHM开始量产采用沟槽结构的SiC-MOSFET,导通电阻大大降低,有助于工业设备等大功率设备的小型化与低功耗化.
2015-07-15 采用沟槽结构的SiC-MOSFET,导通电阻大大降低
ROHM开始量产采用沟槽结构的SiC-MOSFET,导通电阻大大降低,有助于工业设备等大功率设备的小型化与低功耗化。
2015-07-15 昔日的特斯拉线圈与今日的无线充电
ROHM开始量产采用沟槽结构的SiC-MOSFET,导通电阻大大降低,有助于工业设备等大功率设备的小型化与低功耗化。
2015-05-12 (多图)基于电荷泵改进型CMOS模拟开关电路
提出了一种基于电荷泵的模拟开关结构。该结构使用电荷泵抬升MOS 管的栅电压,从而大大改善开关的导通能力、线性度和动态传输范围。通过仿真验证了开关电路性能,结果表明设计的开关电路在电压0-5V 范围内,导通电阻很小且信号损耗很小无失真。因而特别适用于低压系统。
2014-12-19 Vishay发布首颗用于软开关拓扑的双片600V快速体二极管N沟道MOSFET
2014年12月4日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,发布600V EF系列快速体二极管N沟道功率MOSFET的两款器件。Vishay Siliconix SiHx28N60EF和SiHx33N60EF具有低向恢复电荷和导通电阻,能够在工业、电信、计算和可再生能源应用中提高可靠性,节约能源。
2014-10-29 IR针对工业应用推出具有超低导通电阻的75V MOSFET
IR针对工业应用推出具有超低导通电阻的75V MOSFET,以扩充StrongIRFET系列.
2014-06-27 Diodes推出世界最小60V功率MOSFET提升功率密度
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出导通电阻小于100mΩ的全球最小60V .NMOS ─ DMN6070SFCL。新器件的占位面积为1.6mm x 1.6mm,高度则是一般的0.5mm,并采用了DFN1616封装,有助于在手机、超薄液晶电视及掌上游戏机等受空间限制的产品内实现更高的功率密度。
2014-04-30 Vishay推出具有业内最低导通电阻的新款MOSFET
Vishay推出应用在便携电子产品中的,且具有业内最低导通电阻的新款MOSFET.采用PowerPAK SC-70封装,2mm x 2mm占位面积可显著节省空间.
2014-04-02 (多图) ROHM开发出世界最小晶体管"VML0604"
ROHM开发出比以往产品小50%的世界最小晶体管“VML0604”,不仅实现更低导通电阻,还非常有助于智能手机和可穿戴式设备的小型化与高性能化.
2014-04-01 TI推出14款采用TO-220及SON封装的功率MOSFET
德州仪器面向大电流电机控制及电源设计推出 40V 至 100V NexFET MOSFET,最新中压功率MOSFET采用 TO-220 封装包括最低导通电阻 80V 及 100V 器件。
2014-01-24 具有业内最低RDS(on)的P沟道MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET---Si7157DP,扩充其TrenchFET? P沟道Gen III功率MOSFET。
2013-12-03 Vishay P沟道Gen III MOSFET具有业内最低导通电阻
Vishay P沟道Gen III MOSFET具有业内最低导通电阻,-12V和-20V器件采用PowerPAK ChipFET和PowerPAK 1212-8S封装,3.0mm x 1.9mm x 3.3mm的占位体积。
2013-11-29 TI推出业界最小型低导通电阻 MOSFET
德州仪器超小型 FemtoFET MOSFET 支持最低导通电阻,小信号 MOSFET 晶体管为移动设备节省电源,延长电池使用寿命。
2013-11-06 Vishay推出采用新工艺的高性能CMOS模拟开关
Vishay发布采用新工艺的高性能CMOS模拟开关,器件导通电阻低至1.5?,具有11pF的CS(OFF)的低寄生电容、100ns的开关时间和0.033μW的功耗。
2013-09-10 东芝推出高压MOSFET “πMOS VIII”系列
东芝推出高压MOSFET “πMOS VIII”系列,可将导通电阻降低约24%.
2013-09-10 东芝推出650V系统超结MOSFET “DTMOS Ⅳ”系列
东芝推出650V系统超结MOSFET “DTMOS Ⅳ”系列.实现顶级[1]低导通电阻性能.
2013-09-09 超小外形尺寸的TrenchFET Gen III P沟道功率MOSFET
Vishay的新款超小外形尺寸的TrenchFET Gen III P沟道功率MOSFET具有极低导通电阻.器件采用2mm x 2mm PowerPAK SC-70封装.
2013-09-05 东芝扩充低压N通道MOSFET阵容
东芝扩充低压N通道MOSFET阵容,低导通电阻可减少移动设备的传导损失.
2013-08-08 东芝为基站和服务器推出30V电压功率MOSFET
东芝为基站和服务器推出30V电压功率MOSFET,实现最高级别[注1] 低导通电阻性能和高速转换.
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2000亿元永远收不回的投资,换来一张五年就停止发展的TD-SCDMA网,而所谓自主知识产权比例饱受争议。蛮力改写科技产业路线,失败作结。[详细]


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