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存储单元
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共搜索到28篇文章
2015-06-12 软错误是如何损坏存储器中的重要信息的?
本文旨在解释软错误是如何发生,以及如何破坏半导体存储器中存储的重要数据的。为此,本文将阐述软错误的来源以及它们的发生概率。此外,本文还将解释软错误是如何影响存储单元(每个单元存储一个位)并导致它们改变状态的。本文还将探究软错误的不同来源,以及用于消减其影响的技术-包括工艺和系统层面上的技术。最后,本文将简要描述存储器中的片上纠错码(ECC)是如何消减软错误影响的。
2015-03-04 SDRAM电路设计详解
SDRAM内部是一个存储阵列,可以把它想象成一个表格,和表格的检索原理一样,先指定行,再指定列,就可以准确找到所需要的存储单元,这是内存芯片寻址的基本原理,这个表格称为逻辑Bank。由于技术、成本等原因,不可能只做一个全容量的Bank,而且由于SDRAM工作原理限制,单一的Bank会造成非常严重的寻址冲突,大幅降低内存效率,所以在SDRAM内部分割成多个Bank,目前的SDRAM基本都是4个Bank。
2012-08-24 基于FPGA技术高频疲劳试验机控制器
本系统的FPGA采用Altera公司的Flex10k系列芯片。芯片利用开发软件Max+plusII将各个模块用VHDL语言描述并输入,由软件自动编译、综合、布局和布线,生成编程用的数据文件,加载到FPGA的配置存储单元
2011-09-10 (多图) 一种应用于深亚微米存储器的电荷泵设计
因只读存储器的基本存储单元只进行一次编程,编程后的数据能长时间保存,且在编程时需要流过mA级以上的电流,所以只读存储器编程时通常采用外加编程高压,内部的电荷泵。在设计此类电荷泵时,击穿电压和体效应的影响成为严重的问题。我们设计了一款电荷泵用以在存储器中传递外部编程高压。这种电荷泵利用高压NMOS器件提高了耐压特性并保证了正常工作,且增加了衬底偏置以缩短电荷泵的稳定时间。
2010-10-09 (多图) 开关电流电路延迟线的设计
本文详细分析了第二代开关电流存储单元存在的问题,提出了改进方法,并设计了延迟线电路。此电路可以精确地对信号进行采样并延迟任意时钟周期。解决了第二代开关电流存储单元产生的误差,利用此电路可以方便地构造各种离散时间系统函数。
2010-08-19 美光和英特尔推出25纳米硅工艺NAND闪存
由双方合资组建的 NAND 闪存公司IM Flash Technologies(简称 IMFT) 所开发的这项 64Gb(或8GB)25nm 光刻技术,可提供每单位3比特的信息容量,而传统技术只能提供1比特(单层存储单元)或2比特(多层存储单元)。业内也将3bpc称为三层存储单元(triple-level cell, 简称 TLC)。
2010-02-23 英特尔实验室开发出纳米材料的储能器
Intel的研究员正在开发一种纳米材料,可能用来制造比今天锂电池存储更多电能密度的超级电容器。如果能够获得成功,新材料可被大量生产供给发电厂,并使用在电动汽车,一直到智能电网中的电能存储单元
2010-01-04 (多图) 基于MCF51QE128的SD卡接口设计
SD卡是目前广泛应用的可擦除的大容量存储设备,其接口设计可作为各类嵌入式系统中存储单元的一般解决方案。本文结合SD卡标准的相关技术,基于 MCF51QE128微控制器完成了硬件接口和底层通信软件的设计。在此基础上,可进一步构建文件系统,实现对存储数据更有效的管理。
2009-11-20 恒忆M系列(适于高端移动设备)
针对高端移动设备的 恒忆M系列处于世界NOR闪存产品的领先地位。第六代65nm 光刻多层存储单元(MLC) 技术帮助蜂窝技术开发者实现更多的价值及更强的性能,并且使更可靠、更高效益的蜂窝解决方案成为可能。
2009-11-20 恒忆L系列(适于主流移动设备)
1.8 V 的针对主流移动设备的恒忆L系列存储器实现了无线性能与当前无线手机开发需求的恒忆StrataFlash 存储价值的融合。L系列乃世界上第一款1.8 V 多层存储单元(MLC) 器件,它为无线设计者提供如今丰富的无线应用所需的独有存储器功能组合——高性能、高密度及低功耗。借助于第四代MLC 技术及130nm 光刻技术,L 系列实现了高可靠、高性能、高效益的无线解决方案。 L系列使得无线产品具有低功耗多任务的能力。
2009-08-04 世界首个22纳米节点静态存储单元研制成功
日前,美国IBM公司、AMD以及纽约州立大学Albany分校的纳米科学与工程学院(CNSE)等机构共同宣布,世界上首个22纳米节点静态存储单元(SRAM)研制成功。这也是全世界首次宣布在300毫米研究设备环境下,制造出有效存储单元
2009-07-10 (多图) 改进型CIC抽取滤波器设计与FPGA实现
为了改善级联积分梳状(CIC)滤波器通带不平和阻带衰减不足的缺点,给出一种改进型CIC滤波器。该滤波器在采用 COSINE滤波器提高阻带特性的基础上,级联了一个SINE滤波器,补偿了其通带衰减。硬件实现时,采用新的多相分解方法结合非递归结构,不仅大大减少了存储单元数量,还使电路结构更加规则。经仿真和FPGA验证,改进型CIC滤波器使用较少硬件,实现了阻带衰减100.3 dB,通带衰减仅为0.0001 dB 。
2009-05-25 存储器技术:用创新积极应对产业风暴
Semiconductor Insights最新分析报告指出,储存市场已经开始进行创新以应对这场经济风暴。报告中提到了 Hynix、 SanDisk和 Toshiba开发的3-bit和4-bit存储单元
2008-11-17 家庭网络视频监控技术的应用前景
常用的家庭监控系统一般包括一组摄像头、监视器和中央存储单元(DVR),DVR在存储之前对视频输入进行多路复用。
2008-11-13 基于0.13微米CMOS工艺下平台式FPGA中可重构RAM模块的一种设计方法
本文所设计的存储器采用了一种新颖的三端口存储单元,同时在外围电路采用了可配置的列选择器,从而可以通过不同的配置信息把存储器配置到多种工作模式,该存储器具备了良好的可重构性能。
2008-06-03 内存市场不断进化 潜力有待充分挖掘
利用目前的制程工艺,DRAM电容器与闪存存储单元的尺寸已接近物理极限,难以进一步缩小。因此,内存制造商投入更多的精力开发DRAM和闪存以外的另类内存解决方案。面向特定用途的几种不同的专用内存目前已经可供使用。虽然这些新产品近期都不太可能挑战批量产品,但至少都有提供以下特点的可能性:以低功耗快速读写;非易失性,具有较长的数据保持时间与循环寿命;较小的单元尺寸。
2008-05-08 乒乓操作及串并转换设计篇
输入数据流通过“输入数据选择单元”将数据流等时分配到两个数据缓冲区,数据缓冲模块可以为任何存储模块,比较常用的存储单元为双口RAM(DPRAM) 、单口RAM(SPRAM) 、FIFO等。
2008-04-23 Teridian推出第三代电能表集成电路
Teridian半导体公司(TeridianSemiconductorCorp.)今天宣布其下一代电计量解决方案已开始量产供货。新推出的71M653x产品系列包括民用单相、商用与工业三相集成电路,提供具有10MIPS处理能力的256KB存储单元、先进电能管理功能、LCD对比度调节功能和仅消耗0.5uA的0.5秒/天的硬件实时时钟(RTC)。
2007-12-11 Spansion:通过差异化的技术和运营实现创新
Spansion推出的MirrorBit技术与传统的浮动门(Floating Gate)NOR技术相比,具有更简单的存储单元,因而减少了所需的关键制造步骤,可以以较低的晶圆总成本进行生产。
2007-12-11 PIC单片机A/D转换数据存储及串口效率
PIC 单片机A/D 转换后的数据通常需要占用两个8 位宽的RAM 单元, 而PIC 单片机的存储单元有限,因此造成了单片机的存储单元不能被有效利用, 同时通过串口向上位机传送数据时也需要花费较多的时间。
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2000亿元永远收不回的投资,换来一张五年就停止发展的TD-SCDMA网,而所谓自主知识产权比例饱受争议。蛮力改写科技产业路线,失败作结。[详细]


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