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2016-02-19 完全开启固态硬盘潜能的十大绝招
伴随3D TLC NAND的大面积应用,SSD普及前的最后一道屏障也被攻克,2016年势必成为SSD全面普及的元年。于是乎越来越多的用户用上了心仪已久的SSD固态硬盘,但受到HDD长久以来的使用习惯影响,便会产生不少误区,对于SSD的性能发挥以及寿命均会产生影响。
2015-09-14 传感器创新难:技术、开发谁拖了谁的后腿?
由于消费类电子产品(手机、平板、NB、存储卡和U盘等)对闪存的需求激增,全球NAND闪存市场预估由2010年200亿美元增长到2015年350亿美元。随着闪存工艺微缩,先进工艺生产的闪存性能越来越差,闪存控制芯片的技术门槛则越来越高。
2015-09-07 eMMC闪存控制器即将被UFS所取代
由于消费类电子产品(手机、平板、NB、存储卡和U盘等)对闪存的需求激增,全球NAND闪存市场预估由2010年200亿美元增长到2015年350亿美元。随着闪存工艺微缩,先进工艺生产的闪存性能越来越差,闪存控制芯片的技术门槛则越来越高。
2015-08-21 盘点英特尔(Intel)的那些酷炫黑科技
在开幕的IDF会议上,Intel公开了基于黑科技3D XPoint闪存的Octane硬盘技术,现场演示的是PCI-E接口的Octane硬盘,性能达到了当前顶级PCI-E硬盘的5-7倍。但是PCI-E硬盘只是Intel Octane计划的一部分而已,别忘了3D XPoint闪存本身很特殊,既可以做NAND闪存也可以做DRAM内存,Intel还准备了DIMM内存型的Octane,号称成本只有DDR内存的一半,但容量是DDR的4倍,更关键的是它还是非易失性的,断电不丢失数据。
2015-07-30 NAND快1000倍的3D Xpoint储存器技术是如何实现的?
英特尔和美光科技透露了3D Xpoint记忆芯片,称它比Flash记忆芯片更快(速度提升1000倍),能比DRAM芯片储存更多数据(但没DRAM快),功耗比两者都低。3D Xpoint被认为是记忆芯片领域的一大突破,但也有研究人员质疑它们是在炒作。Flash芯片对现有的智能手机和PC已足够用了,但大数据、云计算以及高清视频游戏将会受益于更快的3D Xpoint芯片。
2015-07-03 Altera开发了基于其Altera FPGA的存储参考设计,NAND闪存使用寿命加倍
采用基于Altera FPGA的存储参考设计,NAND闪存使用寿命加倍,具有嵌入式CPU体系结构的FPGA为云计算和高性能计算系统存储实施提供了创新方法.
2015-06-23 DRAM和NAND Flash微缩制程逼近极限 MRAM、ReRAM接班?
DRAM和NAND Flash微缩制程逼近极限,业界认为下一代存储器“磁电阻式随机存取存储器”(MRAM)、“可变电阻式存储器”(ReRAM)可能即将现身,要以更快的存取速度横扫市场。
2015-05-04 2016年3D V-NAND市场扩大10倍 企业竞争激烈
在存储器芯片市场上,垂直堆叠结构的3D V-NAND Flash比重正迅速扩大,全球企业间的竞争也将渐趋激烈。
2014-12-31 业界首款车载IVI级单封装SSD方案
2014年12月23日,在设计及推广用于固态存储设备的NAND闪存控制器方面处于全球领导地位的慧荣科技近日宣布推出其专为车载信息娱乐(IVI)系统设计的汽车级PATA及SATA FerriSSD解决方案。
2014-12-18 内存数据库系统,NVDIMM和数据持久性
非易失性双列直插式内存模块或NVDIMM的出现增加了针对内存数据库持久性的一种新工具。NVDIMM采用标准记忆棒的形式,可插入现有的DIMM插座,因此简化了到现成平台的集成。通常它们包含标准DRAM、NAND闪存和超级电容电源。
2014-12-04 Spansion:e.MMC缘何完胜SLC NAND成为嵌入式闪存新选择?
继SLC NAND之后,Spansion为什么要推出e.MMC产品?二者究竟有何区别?Spansion 半导体公司NAND闪存产品营销及业务拓展总监Touhid Raza表示,首先,SLC NAND是NAND固件产品,而e.MMC是NAND解决方案,它在NAND闪存的基础上增加了一个控制器,最后再以统一的JEDEC标准进行BGA封装。
2014-10-20 NAND Flash厂 Q4产能大火拼
NAND Flash明年将是杀戮战场?由于全球最大NAND Flash厂三星电子西安厂正式投产,并宣布开始量产128Gb 3D V-NAND晶片,东芝及新帝(SanDisk)联军为了维持市占率,已决定加快日本Fab5第2期量产,而SK海力士、美光、英特尔等也开始拉高产能因应激烈竞争。NAND Flash厂军备竞赛在第4季全面开打,业界对明年市况感到忧心,供过于求问题恐导致跌价幅度大于今年。
2014-10-20 4大阵营军备战火 烧到3D NAND
NAND Flash由平面2D制程走向3D制程的军备竞赛,随着三星10月9日正式宣布量产32奈米32层的128Gb 3D V-NAND晶片后,正式揭开序幕,包括东芝/新帝、SK海力士、美光/英特尔等均将在2015年开始投产3D NAND。业者指出,3D NAND单颗晶片容量快速拉高且价格便宜,明年NAND Flash价格跌势难止。
2014-09-29 中芯国际进军闪存,自主研发38nm NAND
虽然规模和技术远远不如TSMC台积电、UMC台联电等代工巨头,不过中芯国际(SMIC)这两年发展的还不错,28nm工艺年初也正式量产了,还从 TSMC手中抢到了部分高通处理器订单,现在他们准备进军新的市场领域了——向客户推出38nm工艺的NAND闪存,而且是中芯国际自主研发的技术。
2014-09-12 旺宏存储器涵盖全系列规格,在汽车电子有很大提升空间
日前,在IIC-China 2014展会上,旺宏(香港)有限公司总经理谢浩纬于汽车电子论坛指出,在非易失性存储器(NVM)技术中,浮置栅极技术在演进到3xnm、2xnm时会遇到物理极限,这就需要新的技术来替代。旺宏目前在研发的用于未来NVM的技术有三种:垂直栅极(VG) 3D NAND、PCM(相变存储器)和ReRAM(可变电阻式存储器)。
2014-08-29 移动存储器的发展迎春天
JEDEC固态技术协会(Solid State Technology Association)日前公布新一代行动记忆体规格 JESD209-4 LPDDR4,号称其速度是前一代LPDDR3的两倍。由于智能型手机、平板计算机等行动装置需求稳健成长,固态硬盘在笔记本电脑以及服务器与数据中心的需求增加,而物联网应用也将逐渐导入NAND Flash,2015年NAND Flash整体产业规模将提升至266亿美元,年成长9%。NAND与DRAM朝3D发展。
2014-08-08 10nm级MLC NAND SAS固态硬盘问世
全球存储器领军者三星电子8月7日宣布,已开始量产基于10纳米级MLC NAND闪存的全新高性能SAS固态硬盘。
2014-07-29 为日新月异的移动通信生态系统提供相匹配的内存产品
作为全球领先的专业存储产品解决方案供应商之一, 美光科技有限公司( Micron)所提供的DRAM、SSD固态硬盘、NAND、NOR闪存以及PCM相变存储器产品被广泛应用于计算机、服务器、网络通信、移动电话、消费电子、汽车和工业等众多领域。在2014亚洲移动通信博览会期间,美光科技移动通信业务副总裁Reynette Au女士接受了本刊的专访,介绍了美光在中国的最新布局态势,并且分享了针对移动通信生态系统的前瞻性思考以及内存产品未来的发展趋势。
2014-06-10 嵌入式高速固态存储器的组成原理与设计实现
本文从NAND FLASH出发,对嵌入式高速固态存储器进行了系统的设计和实现,并对其数据存储速度和容量进行了分析计算,为相应的设计提供了参考依据。而随着科学技术的不断发展,数据存储技术也会不断进步,存储器的性能也会不断得到提高,需要相关技术人员的努力,推动数据存储技术的发展。
2014-06-09 (多图) 浅谈eMMC与最新市场动态
存储器件作为智能手机、平板电脑等终端产品的关键组件,直接关系到整机成本和方案设计。纵观NAND Flash发展,每次工艺变化均会带来新的应用商机和挑战。围绕着NAND Flash 为主体的存储器件正在围绕性能、价格、制程封装、产业链……发生着激烈的变化。
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2000亿元永远收不回的投资,换来一张五年就停止发展的TD-SCDMA网,而所谓自主知识产权比例饱受争议。蛮力改写科技产业路线,失败作结。[详细]


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