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2011-05-03 单片型3D芯片集成技术与TSV的意义与区别简述
尽管晶体管的延迟时间会随着晶体管沟道长度尺寸的缩小而缩短,但与此同时互联电路部分的延迟则会提升。举例而言,90nm制程晶体管的延迟时间大约在 1.6ps左右,而此时互联电路中每1mm长度尺寸的互联线路,其延迟时间会增加500ps左右;根据ITRS技术发展路线图的预计,到22nm制程节点,晶体管的延迟时间会达到0.4ps水平,而互联线路的延迟则会增加到1万ps水平。
2011-01-19 ITRS的工序路线图与新一代嵌入式多核SoC设计
在网络无处不在、IP无处不在和无缝移动连接的总趋势下,国际半导体技术路线图(ITRS)项目组在他们的15年半导体技术发展预测中认为,随着技术和体系结构推进“摩尔定律”和生产力极限的发展,将出现若干新的半导体技术,在芯片之上或者在芯片之外不断扩展新的功能。
2006-11-08 SoC处理器的定标原则
半导体器件定标(scaling)在量上的不断进展蕴育着系统级芯片(SoC)器件在设计和结构上质的深刻变化。IC器件定标可以加强功率效率、增加带宽和显著改进功能集成性,而要挖掘出硅的全部性能潜力,还须在设计复杂性管理和改进设计可重用性方面做同样的努力。代表ITRS对半导体定标的一致观点的一个简易技术模型示出了芯片设计上一系列重大变化。
2006-06-08 原料的变化
在一年两次的国际半导体技术蓝图(ITRS)会议上,半导体产业协会提出了一些大胆的预言。尽管文件主要针对的是元件级的生产和测试,但是其结论却提出了很多板级和系统级的革新。
2006-03-20 眺望下一代半导体技术
按国际半导体工艺路线图ITRS的要求,半导体工艺技术在2004年进入90nm,似乎工艺技术的进展并没有拖工业进步的后腿。
2006-02-18 不可或缺的射频测试
最近主要的半导体制造商承认:研发和生产先进的IC芯片非常需要晶圆级的射频(RF)测试。在一定程度上,这公然与2003年ITRS技术工作组对于建模与仿真的建议不符,该建议表明:“对于RF精简模型的参数提取,更应该尽力压缩RF测试。 如果需要,应该通过支持仿真的标准I-V和C-V测试来提取这些参数。”
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