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2016-02-17 高通RF由CMOS转向砷化镓之后,都影响了谁?
高通成功的低成本射频元件方案“RF360”,是采用半导体CMOS制程的PA,与其他PA制造商Skyworks、Avago、RFMD等PA供应商采用砷化镓(GaAs)制程不同。但据EDN之前的报道,该产品并非标准CMOS制程,而是绝缘层覆硅(SOI)CMOS,该技术想要整合到AB或BP,存在一定的技术挑战。
2015-05-28 ADI推出SPDT开关为测试测量应用提供快速建立时间
Analog Devices, Inc.(ADI)日前推出了一款专门用于9 KHz至13 GHz频段的吸收式单刀双掷(SPDT)开关HMC1118LP3DE,它具有48dB的高隔离度,在8 GHz条件下运行时仅有0.6dB的低插入损耗。 HMC1118LP3DE是ADI公司的新型RF和微波控制产品组合中的第一款产品,展现了硅工艺技术的固有优势,与传统的GaAs(砷化镓)RF 开关相比具有重大明显优势。
2014-11-10 CMOS射频前端解决GaAs器件产能和成本问题
硅是上帝送给人类的礼物。电路板中绝大多数器件都采用体硅CMOS工艺(硅的原材料是沙子)制造,但有一个部分却难以实现,那就是射频前端。目前射频前端主要采用GaAs或SiGe工艺制造,但由于材料的稀缺性和工艺的复杂性,射频前端芯片(RFeIC)良率不高,成本太贵。这阻碍了物联网(IoT)传感器节点(单价应低于1美元)的普及。
2012-10-22 完整经济高效Ka波段砷化镓射频芯片组
TriQuint新型GaAs MMIC为KA波段VSAT地面站提供经济高效的解决方案,新型集成功能射频芯片组包括高线性放大器、上变频器和下变频器
2012-09-06 TriQuint推出新型GaAs射频驱动放大器
TriQuint推出新型高性能GaAs射频驱动放大器,采用新型封装、具备先进功能并支持50-1500 MHz带宽.
2012-08-28 设计一款超低噪声的S频段放大器
工程师们一般都把RF低噪声放大器设计视为畏途。要在稳定高增益情况下获得低噪声系数可能极具挑战性,甚至使人畏惧。不过,采用最新的GaAs(砷化镓)异质结FET,可以设计出有高稳定增益和低于1dB噪声系数的放大器(参考文献1)。本设计就讲述了一个有0.77dB噪声系数的低噪声放大器。
2012-08-08 TriQuint推出降低设计复杂性和总体成本的高性能低噪声放大器
TriQuint推出降低设计复杂性和总体成本的高性能低噪声放大器,采用新封装的砷化镓(GaAs)低噪声放大器在400至2700 MHz应用中提供一流性能。
2012-05-18 RFSW6131 SP3T 对称开关
RFMD 最新推出的RFSW6131是一款 GaAs pHEMT 单极三掷 (SP3T) 开关,专门用于移动电话、3G、LTE 和其他高性能通信系统。
2012-04-13 RFMD将推出具有集成分频器的RFVC183x和RFVC184x窄频带MMIC压控振荡器
RFMD新推出的 GaAs InGaP RFVC183x 和 RFVC184x 系列 MMIC 压控振荡器 (VCO) 可提供卓越的低相位噪声性能,具有 Fo/2 与 Fo/4 输出频率的集成分频器以及集成的 RF 输出缓冲放大器。
2011-09-13 (多图) 低噪声、高线性度的3.5GHz LNA设计
本文的目的是要表明,从性能和成本角度考虑,单级GaAs PHEMT微波单片集成电路(MMIC)是实现无线基础设施使用的3.5GHz LNA的最佳解决方案。
2011-06-30 针对SMPS设备进行优化的全新CDMA/WCDMA/LTE功率放大器
成立于1985年的ANADIGICS公司在高性能射频集成电路(RFIC)设计领域拥有自己的“独门绝技”,这就是可提供基于砷化镓(GaAs)工艺技术的高线性高效率射频放大器。日前,该公司又推出采用其第三代低功耗高效率 (HELP) 技术的全新功率放大器 (PA) 系列产品。新的HELP3DC? AWT663x系列功率放大器是专门针对CDMA、WCDMA/HSPA和LTE设备中包含开关模式电源 (SMPS) 、DC/DC转换器或包络跟踪IC进行优化,以便对功率放大器的工作电压进行控制。
2011-05-01 超低噪声、高增益TriAccess放大器满足三网融合应用
TriQuint半导体公司在不久前举办的中国国际广播电视信息网络展览会 (CCBN) 上展出该公司最新推出三款创新的TriAccess CATV / FTTH(光纤到户)放大器(TAT6254B、TAT7457、TAT8857),TriQuint公司产品经理Brian Bauer告诉记者,这些器件能够取代现有有线电视系统中的多个器件,均采用已通过市场测试的砷化镓 (GaAs) 技术,具有更高的效率,并能够做到在多个应用中只使用单个产品。目前这三款器件均已被中国有线电视制造商成功用于众多系统部署。
2010-12-27 基于GaN晶体管技术的EMC测试放大器
新产品放大器采用了第三代宽带隙GaN晶体管技术,与现有的来自IFI、TESEQ、AR、PRANA和BONN的放大器相比,在同一封装内,功率可比上一代Si LDMOS、GaAs技术高10倍?20倍,可靠性提高20倍,寿命达到100万小时;采用CSA拓扑结构的该放大器具有250W、400W及750W 三种不同的P1dB输出功率,可用在3U、7U和15U机箱中,并支持从250W到750W的升级。
2010-12-22 两款可控范围达40GHz的5位数字衰减器
HMC939/941 5位数字衰减器,是基于GaAs的宽带MMIC,最低可工作在0.1GHz,最高分别是40/30GHz,插入损耗分别低至3.5/2.5dB,可通过编程以1/0.5dB为步进,最大可达31/15.5dB。
2010-11-24 GaAs MMIC SP4T开关覆盖频率到达30GHz
HMC944LC4

是工作在23 to 30 GHz频率范围内的MMIC SP4T开关。这个紧凑的Ka波段开关拥有2.8 dB插损和35dB隔离度,快速转换速率仅需要53 ns。

2010-11-10 调谐范围达20GHz可输出倍频程的新型宽带压控振荡器
HMC732LC4B

和HMC733LC4B是宽带GaAs/InGaP异质结双极晶体管(HBT),集谐振器、负阻器件、变容二极管于一体,这两款高集成度MMIC压控振荡器提供的输出调谐范围分别是6~12GHz、10~20GHz。

2010-08-29 扭转困局 ANADIGICS积极抢进4G
得益于3G和4G无线市场以及宽带市场的发展,全球GaAs产品市场规模将从2008年的39亿美元上升到2011年的50亿美元。Mario认为这将为ANADIGICS公司下一轮增长奠定基础。 2010-08-26 18 GHz移动通讯回程应用需要高效1W GaAs MMIC放大器
回程取决于光纤、微波和毫米波的单独或全部的链接,近来的无线方案都要求射频功率器件和放大器具有极好的性能。TriQuint半导体的TGA4532-SM 1-W GaAs MMIC功率放大器正是为满足17.7-19.7GHz带宽的无线回路的需求所设计。 2010-07-12 GaAs MMIC I/Q下变频器系列
射频微波MMIC厂商Hittite公司日前推出3款新型的I/Q下变频器,适用于雷达、卫星通信、点对点通信、点对多点通信应用,支持频率从9GHz到24GHz。 2010-06-02 GaN(氮化镓)射频器件市场分析
氮化镓并非革命性的晶体管技术,这种新兴技术逐渐用于替代横向扩散金属氧化物硅半导体(Si LDMOS)和砷化镓(GaAs)晶体管技术以及某些特定应用中的真空管。
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