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2015-12-02 忘记64GB RAM内存条吧,三星128GB已席卷而来
忘记64GB RAM内存条吧,128GB已经在来的路上了。去年8月份,三星发布了第一款64GB 3D TSV DDR4 DRAM。现在,三星宣布,128GB内存芯片正式开始量产,容量比去年翻了一倍。这款芯片将主要面向数据中心和企业服务器。
2015-08-28 浅谈闪存控制器架构
分析闪存控制器的架构,首先得了解SSD。一般来说SSD的存储介质分为两种,一种是采用闪存(Flash芯片)作为存储介质,另外一种是采用DRAM作为存储介质。我们通常所说的SSD就是基于闪存的固态硬盘,其采用FLASH芯片作为存储介质。SSD的基本组成结构包括Flash颗粒和Flash控制器,Flash控制器中有芯片,负责Flash的读写、磨损均衡、寿命监控等等。
2015-08-21 盘点英特尔(Intel)的那些酷炫黑科技
在开幕的IDF会议上,Intel公开了基于黑科技3D XPoint闪存的Octane硬盘技术,现场演示的是PCI-E接口的Octane硬盘,性能达到了当前顶级PCI-E硬盘的5-7倍。但是PCI-E硬盘只是Intel Octane计划的一部分而已,别忘了3D XPoint闪存本身很特殊,既可以做NAND闪存也可以做DRAM内存,Intel还准备了DIMM内存型的Octane,号称成本只有DDR内存的一半,但容量是DDR的4倍,更关键的是它还是非易失性的,断电不丢失数据。
2015-07-30 比NAND快1000倍的3D Xpoint储存器技术是如何实现的?
英特尔和美光科技透露了3D Xpoint记忆芯片,称它比Flash记忆芯片更快(速度提升1000倍),能比DRAM芯片储存更多数据(但没DRAM快),功耗比两者都低。3D Xpoint被认为是记忆芯片领域的一大突破,但也有研究人员质疑它们是在炒作。Flash芯片对现有的智能手机和PC已足够用了,但大数据、云计算以及高清视频游戏将会受益于更快的3D Xpoint芯片。
2015-06-23 DRAM和NAND Flash微缩制程逼近极限 MRAM、ReRAM接班?
DRAM和NAND Flash微缩制程逼近极限,业界认为下一代存储器“磁电阻式随机存取存储器”(MRAM)、“可变电阻式存储器”(ReRAM)可能即将现身,要以更快的存取速度横扫市场。
2015-05-22 FRAM迈向主流存储器的路还很长
铁电存储器(FRAM,或FeRAM)在1990年代中期被认为将成为主流技术,但至今仍与其他众多新存储器技术一样,并没有如预期般迅速崛起。FRAM 的内部运作原理类似DRAM,有媲美SRAM的高速度以及如同快闪存储器的非挥发性。
2015-04-29 中国有钱也不任性 不玩主流DRAM
中国国家积体电路产业投资基金宣告投入 1,200 亿人民币(约合 6,080 亿新台币),今年 3 月中国武岳峰资本等公司资本联合买下 ISSI (Integrated Silicon Solution),宣告中国半导体布局伸向 DRAM 产业,ISSI 主要发展利基型 DRAM 与 SRAM,外界预估对主流存储器市场的影响并不大。
2015-04-22 (多图)亚马逊Fire TV Stick,近乎完美
Fire TV Stick现在的价格为39美元,而常规的Fire电视则是99美元。除了价格(与上述扩充的连接功能),其间有什么差别?更昂贵的产品系列包含了两倍马力的CPU(四核,而不是二核)和两倍的DRAM(2 GB,而不是1 GB),还有(我怀疑)更先进的GPU。它还一起搭配了一先进的遥控衍生产品,它整合了麦克风,所以具有语音识别的功能...但Fire TV Stick也可藉由免费、可在Android和iOS环境之下使用的Fire电视机遥控器应用程序来支持语音启动搜寻的功能。
2015-03-17 Marvell欲颠覆SoC和DRAM架构
Marvell欲颠覆SoC和DRAM架构,由Marvell首席执行官亲自领导的两项研发计划项目在ISSCC上得到披露,旧金山——“工程师需要新的互连和内存架构来降低下一代芯片和系统的成本与复杂度。” Marvell首席执行官Dr. Sehat Sutardja日前在旧金山举行的国际固态电路会议(ISSCC)上发表主题演讲时表示。Dr. Sutardja承诺在今年年底之前推出基于他亲自参与设计的MoChi互连和高速缓存的原型芯片。
2015-02-04 DDR4或将引领新一轮存储变革
动态随机存取内存(Dynamic Random-Access Memory,DRAM)是常见的内存组件。在处理器相关运作中,DRAM经常被用来当作数据与程序的主要暂存空间。相对于硬盘或是闪存(Flash Memory),DRAM具有访问速度快、体积小、密度高等综合优点,因此广泛的使用在各式各样现代的科技产品中,例如计算机、手机、游戏机、影音播放器等等。
2015-01-22 20纳米GDDR5问世并量产
存储器又上一个新台阶。三星(Samsung)宣布将以该公司20奈米(nm)先进制程,量产业界首款8Gb第五代绘图双倍资料率(GDDR5)动态随机存取记忆体(DRAM)。GDDR5为目前市场上被广泛采用的独立型(Discrete)绘图记忆体。
2014-12-18 内存数据库系统,NVDIMM和数据持久性
非易失性双列直插式内存模块或NVDIMM的出现增加了针对内存数据库持久性的一种新工具。NVDIMM采用标准记忆棒的形式,可插入现有的DIMM插座,因此简化了到现成平台的集成。通常它们包含标准DRAM、NAND闪存和超级电容电源。
2014-12-11 2015年DRAM产业五大趋势
2014年是 DRAM 产业获利颇为丰收的一年。受惠于全球智能手机持续热销,一线DRAM大厂纷纷转进行动式记忆体; TrendForce 旗下记忆体储存事业处 DRAMeXchange 预估, 2014年行动式记忆体将占整体DRAM产出的36%,2015年更有机会突破40%大关。
2014-11-21 英特尔新技术:存储器耗电至少降低25倍
英特尔在台举办亚洲区创新高峰会,展示和工研院合作开发的新记忆体技术,较现有DDR DRAM记忆体更省电,耗电降低至少25倍,未来可望为行动运算装置延长电池使用时间。
2014-08-29 移动存储器的发展迎春天
JEDEC固态技术协会(Solid State Technology Association)日前公布新一代行动记忆体规格 JESD209-4 LPDDR4,号称其速度是前一代LPDDR3的两倍。由于智能型手机、平板计算机等行动装置需求稳健成长,固态硬盘在笔记本电脑以及服务器与数据中心的需求增加,而物联网应用也将逐渐导入NAND Flash,2015年NAND Flash整体产业规模将提升至266亿美元,年成长9%。NAND与DRAM朝3D发展。
2014-08-26 (多图) 宇瞻科技携多款高规格创新SSD和DRAM亮相嵌入式系统展
日前,在工业计算机及嵌入式系统展(IPC & EMBEDDED EXPO 2014)上,工业用SSD(固态硬盘)制造商宇瞻科技(Apacer)展示了多款创新产品,包括全球首创结合移动设备的实时监控软件SSDWidget、仅5mm厚度的超薄型工业用固态硬盘、可浸泡于水中的无缝式防水SSD、Boot Protect安全指令,以及通过UrKey双头U盘钥匙即可启动安全机制的创新技术,以及首款结合DRAM与SSD的Combo SDIMM。
2014-08-14 (多图) 详述DRAM、SDRAM及DDR SDRAM的概念
DRAM (动态随机访问存储器)对设计人员特别具有吸引力,因为它提供了广泛的性能,用于各种计算机和嵌入式系统的存储系统设计中。本文概括阐述了DRAM 的概念,及介绍了SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DDR4 SDRAM、LPDDR、GDDR。
2014-07-29 为日新月异的移动通信生态系统提供相匹配的内存产品
作为全球领先的专业存储产品解决方案供应商之一, 美光科技有限公司( Micron)所提供的DRAM、SSD固态硬盘、NAND、NOR闪存以及PCM相变存储器产品被广泛应用于计算机、服务器、网络通信、移动电话、消费电子、汽车和工业等众多领域。在2014亚洲移动通信博览会期间,美光科技移动通信业务副总裁Reynette Au女士接受了本刊的专访,介绍了美光在中国的最新布局态势,并且分享了针对移动通信生态系统的前瞻性思考以及内存产品未来的发展趋势。
2014-07-24 宇瞻首度参展深圳嵌入式展会 高规格创新SSD & DRAM齐亮相
第三届工业计算机及嵌入式系统展会(IPC & EMBEDDED EXPO 2014)为嵌入式领域最具影响力的技术盛会,将于8月6日至8月8日至深圳会展中心隆重举行。
2014-06-24 高速存储器的调试和评估——不要仅仅停留在一致性测试上
DDR 存储器的测试项目涵盖了电气特性和时序关系,由JEDEC明确定义,JEDEC 规范并不涉及具体的测量方法,但提供了存储设备、DRAM应遵守的一组测试参数规范,目的是保证计算机系统、服务器和移动设备等存储系统的一致性与互操作性。
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说说TD-SCDMA的经验和教训

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2000亿元永远收不回的投资,换来一张五年就停止发展的TD-SCDMA网,而所谓自主知识产权比例饱受争议。蛮力改写科技产业路线,失败作结。[详细]


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