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2015-10-16 内存条数越多越好? 看一看内存条数对电脑性能的影响
从今年年初开始,电脑内存的价格就一再降低,尤其是老平台的DDR3内存更是达到的这几年的新低。看到内存这么便宜,最后还是忍不住要买买买了。既然内存也不贵,就直接买4条,反正主板是Z97的,扩展性还不错,索性就直接上四条。
2015-08-25 内存大讨论:DDR4,DDR3,DDR2,DDR1及SDRAM各有何不同?
本文详细介绍了DDR4,DDR3,DDR2,DDR1及SDRAM,他们的不同之处一目了然。
2015-03-12 (多图) 基于FPGA的DDR3多端口读写存储管理系统设计
为了解决视频图形显示系统中多个端口访问DDR3的数据存储冲突,设计并实现了基于FPGA的DDR3存储管理系统。DDR3存储器控制模块使用MIG生成DDR3控制器,只需通过用户接口信号就能完成DDR3读写操作。DDR3用户接口仲裁控制模块将中断请求分成多个子请求,实现视频中断和图形中断的并行处理。帧地址控制模块确保当前输出帧输出的是最新写满的帧。结果表明,设计的DDR3存储管理系统简化了多端口读写DDR3的复杂度,提高并行处理的速度。
2014-10-21 (多图) 基于FPGA的机载视频图形显示系统架构设计与优化
本文对基于FPGA的机载视频图形显示系统架构进行设计和优化。从实时性、BRAM资源占用和DDR3吞吐量三方面进行分析,改进帧速率提升算法来提高实时性;改进视频旋转算法来降低BRAM资源占用;改变不同模块的顺序来减少DDR3的吞吐量。
2014-08-29 浪潮选择美光为其服务器产品组合的主要内存供应商
Inspur(浪潮)选择Micron(美光)作为其服务器产品组合的主要内存供应商,Micron的8Gb DDR3 SDRAM向多种不同的Inspur 高性能和云计算产品提供了低功耗、高密度的内存解决方案.
2014-08-14 (多图) 详述DRAM、SDRAM及DDR SDRAM的概念
DRAM (动态随机访问存储器)对设计人员特别具有吸引力,因为它提供了广泛的性能,用于各种计算机和嵌入式系统的存储系统设计中。本文概括阐述了DRAM 的概念,及介绍了SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DDR4 SDRAM、LPDDR、GDDR。
2014-06-25 (多图) DDR3内存的PCB仿真与设计
随着计算机技术的发展,存储器设计在整个系统中占有重要地位,目前DDR5内存已成为主流应用。本文针对DDR5技术特点结合相关仿真技术总结出PCB设计规则,并通过验证DDR5信号完整性和时序关系,缩短设计周期,提升了整个研发水平。
2014-05-23 索尼欲退出PC市场?
全球电子设计创新领先企业Cadence设计系统公司宣布,立即推出基于台积电16纳米FinFET制程的DDR4 PHY IP(知识产权)。16纳米技术与Cadence创新的架构相结合,可帮助客户达到DDR4标准的最高性能,亦即达到3200Mbps的级别,相比之下,目前无论DDR3还是DDR4技术,最高也只能达到2133Mbps的性能。
2014-05-23 Mouser恭贺董荷斌:首位华裔获邀试车Formula E电动方程式
全球电子设计创新领先企业Cadence设计系统公司宣布,立即推出基于台积电16纳米FinFET制程的DDR4 PHY IP(知识产权)。16纳米技术与Cadence创新的架构相结合,可帮助客户达到DDR4标准的最高性能,亦即达到3200Mbps的级别,相比之下,目前无论DDR3还是DDR4技术,最高也只能达到2133Mbps的性能。
2014-05-22 Cadence推出基于台积电16纳米FinFET制程DDR4 PHY IP
全球电子设计创新领先企业Cadence设计系统公司宣布,立即推出基于台积电16纳米FinFET制程的DDR4 PHY IP(知识产权)。16纳米技术与Cadence创新的架构相结合,可帮助客户达到DDR4标准的最高性能,亦即达到3200Mbps的级别,相比之下,目前无论DDR3还是DDR4技术,最高也只能达到2133Mbps的性能。
2014-05-22 德国开发出可耐高温的新型微芯片
全球电子设计创新领先企业Cadence设计系统公司宣布,立即推出基于台积电16纳米FinFET制程的DDR4 PHY IP(知识产权)。16纳米技术与Cadence创新的架构相结合,可帮助客户达到DDR4标准的最高性能,亦即达到3200Mbps的级别,相比之下,目前无论DDR3还是DDR4技术,最高也只能达到2133Mbps的性能。
2014-03-17 业界最尖端20纳米4Gb DDR3实现量产
三星电子量产业界最尖端20纳米4Gb DDR3,作为尖端半导体解决方案的全球领先企业,三星电子今日宣布已从本月起开始正式量产采用20纳米制程技术的世界最小型4Gb DDR3 DRAM。
2013-10-25 泰克推出内存的实时一致性分析仪
泰克公司推出面向DDR4、DDR3和DDR3L内存的实时一致性分析仪,MCA4000提供长分析运行时间内的内存接口即时可视性,帮助深入洞悉内存总线活动.
2013-09-25 (多图) 关于DDR3的对比研究
DDR内存的性能优势主要体现在其预取架构和突发式操作上。当内存访问存储体的一个特定行时,预取缓冲区就会获得一组相邻的数据字,并随后在内存时钟各个沿的I/O管脚上突发,无需单独的列地址。
2013-05-21 Molex下一代高性能超低功率存储器技术
Molex推出下一代高性能超低功率存储器技术,DDR3 DIMM存储器模块插座满足不断增长的严苛高密度应用需求.
2013-05-17 Molex推出下一代高性能超低功率存储器技术
Molex公司宣布推出空气动力型DDR3 DIMM插座和超低侧高DDR3 DIMM 存储器模块插座产品组合,两个产品系列均适用于电信、网络和存储系统、先进计算平台、工业控制和医疗设备中要求严苛的存储器应用。
2012-12-19 研华MIO-5290高性能3.5 MIO嵌入式单板电脑
日前,研华科技推出了MIO-5290嵌入式单板电脑。该主板采用传统3.5寸主板尺寸 (146 x 102 mm),搭载了带有QM77芯片组的 Intel 第三代Core i3/i7 处理器,可支持1600MHz DDR3或低功耗1333MHz DDR3L、USB 3.0、SATA III (600 MB/s)、AMT 8.0、以及支持3个独立显示 (2个DisplayPorts端口可连接任何显示设备)。
2012-11-13 IDT推出业界最低功率内存缓冲芯片
IDT 推出业界最低功率 DDR3 - 1866 内存缓冲芯片,用于高性能 LRDIMM 应用,通过提升最高数据传输速率并使系统制造商获益于更高速度的内存容量,IDT 彰显其内存接口解决方案的领导者地位
2012-07-03 赛灵思推出符合PCI- E 3.0标准的集成模块
赛灵思公司宣布推出针对采用Virtex-7 FPGA 集成模块设计的全新解决方案, 该集成模块可支持PCI Express 3.0 x8标准和 DDR3 外部存储器,能为开发人员提供立即启动基于PCI-E 3.0的设计所需的全部构建模块。
2012-05-07 凌华科技发布电信与网络设备专用的高端ATCA刀片服务器
凌华科技发布新一代AdvancedTCA高端电信运算架构刀片服务器aTCA-6200,搭载2颗1.8 GHz八核Intel Xeon E5-2648L处理器、Intel C604芯片组,并支持8个DDR3-1600内存插槽,容量最大可达128GB。
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2000亿元永远收不回的投资,换来一张五年就停止发展的TD-SCDMA网,而所谓自主知识产权比例饱受争议。蛮力改写科技产业路线,失败作结。[详细]


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