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90nm
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2016-04-18 华虹宏力:在最合适的节点布局最合适的产品
华虹宏力现在在上海的三座200mm晶圆厂月产能总计约146,000片,2015年全年平均产能利用率达90%以上。在工艺节点方面,华虹宏力与友商差异化竞争,战略性地专注于0.13μm、0.11μm及90nm的先进技术节点。
2014-09-09 格科微成功研发TSI技术
GalaxyCore Inc. (格科电子有限公司,“格科微”),中国内地规模最大、技术最先进的CMOS图像传感器设计公司,今日宣布其在台湾积体电路制造股份有限公司(“TSMC”)的12吋90nm(奈米)逻辑平台上研发的“透硅成像”(Through Silicon Illumination, 简称“TSI”)图像传感器制造技术取得成功,并即将进入量产阶段。
2011-11-22 65nm是用来解决问题的
半导体工业的最主要特征是工艺不断进步,平均每隔几年就要升级一次,带动功耗和成本不断下降,性能不断提升。从180nm到130nm,再到90nm、65nm和45nm,这些略显枯燥的数字使我们的生活正在加速进入充斥各种电子器件的数字时代。
2011-05-03 单片型3D芯片集成技术与TSV的意义与区别简述
尽管晶体管的延迟时间会随着晶体管沟道长度尺寸的缩小而缩短,但与此同时互联电路部分的延迟则会提升。举例而言,90nm制程晶体管的延迟时间大约在 1.6ps左右,而此时互联电路中每1mm长度尺寸的互联线路,其延迟时间会增加500ps左右;根据ITRS技术发展路线图的预计,到22nm制程节点,晶体管的延迟时间会达到0.4ps水平,而互联线路的延迟则会增加到1万ps水平。
2011-01-27 M3内核MCU支持从独立总线同时访问存储器(图)
意法半导体(STMicroelectronics)推出全新STM32 F-2微控制器(MCU)产品系列。STM32 F-2系列整合意法半导体先进的90nm制程与创新的自适应实时存储器加速器(ART Accelerator),成功发挥Cortex-M3架构的优异性能,实现处理器与存储器之间的互动优化以及闪存代码执行零等待状态。
2011-01-01 北斗导航芯片着手产业化
目前宇芯科技采用TSMC 90nm工艺的样片已出,按照计划,采用65nm工艺的Virgo移动终端SoC芯片在2010年6月出样,当年底前量产。2011年,宇芯科技计划研发出2款~3款专用SoC,并在2012年初步形成包括北斗导航基带处理芯片、2D/3D加速芯片、P2P网络视频芯片在内的产品线。
2010-12-29 富士通新型低成本MPEG-2机顶盒芯片H20D出货突破百万
H20D芯片基于高性能ARC架构实现,定位于有线、国标地面基本型机顶盒或家庭第二台机顶盒市场,采用先进的90nm制程生产,超低功耗,专为低成本MPEG-2基本型机顶盒设计。它能够支持串行Flash及SDRAM或DDR内存,用户可根据内存尺寸和实际市场价格,自由选择内存类型,以降低机顶盒整机成本。
2010-04-06 90nm 256Mb MirrorBit SPI Multi-I/O样品
Spansion公司发布了90nm 256Mb MirrorBit Multi-I/O 串行外设接口(SPI)闪存产品样品,该产品是针对机顶盒、数字电视和工业设计客户以及芯片制造商的需求而推出的。
2009-12-14 移动高清编码器IP可实现5mW超低功耗
目前,全球知名的一些移动设备视频IP供应商的720P H.264编码器ASIC IP运行在 180MHZ实现1280x720P 实时视频压缩功能时,采用普通的90nm工艺功耗接近100mW,65nm工艺的功耗接近50mW。
2009-11-13 Jointwave的H.264 HD编码器IP可实现5mW超低功耗
目前,全球知名的移动设备视频IP供应商的720P H.264 编码器ASIC IP运行在 180MHZ实现实时视频压缩功能时,采用普通的90nm工艺功耗接近100mW,65nm工艺的功耗接近50mW。
2009-10-29 业内首款采用90nm技术嵌入式闪存的微控制器
日前,意法半导体(ST)宣布在基于ARM Cortex-M系列处理器内核的微控制器研发项目上取得突破,推出全球业内首款采用90nm技术嵌入式闪存的微控制器。
2009-08-31 (多图) 分析泄漏功率攻击采用90nm CMOS技术的加密器件
泄漏电流可能被用于攻击加密系统。
2009-08-18 Atmel推出用于低成本客户定义SoC开发的SiliconCity柔性架构
爱特梅尔公司 (Atmel Corporation)日前宣布推出用于90nm SiliconCity ASIC开发的全新定制架构,可为客户提供最高每平方毫米350,000门电路数目,达到标准单元ASIC的门密度范围。
2009-05-13 CEVA提供用于DSP内核的全功能硅产品
近日,全球领先的硅产品知识产权 (SIP) 平台解决方案和数字信号处理器 (DSP) 内核授权厂商CEVA公司宣布,提供适用于32位CEVA-TeakLite-III DSP内核的全功能硅产品。首批芯片使用中芯国际 (SMIC) 的90nm工艺技术制造,运作速度超过600MHz。
2009-04-09 用户可定制的处理器
随着130nm90nm工艺的成熟,每平方毫米的硅片面积上可以集成大约100K~200K的逻辑门,一颗面积大约50mm2的低成本芯片可以容纳5M~10M逻辑门。越来越多的SoC设计者正在试图将整个系统集成在一颗芯片上,但是他们也面临着严峻的挑战,因为传统的基于RTL的SoC硬件设计方法的缺点正日益显现出来。
2009-04-03 未来市场:功能级SoC加可编程DSP
90nm,到65nm、45nm,再到32nm,制造工艺的进步使DSP的处理性能按照摩尔定律在飞速提高,双核乃至六核使DSP的性能轻松实现翻番,这种性能提高使DSP在一些应用中陷入MIPS处理能力过剩的尴尬局面。与此同时,MCU和FPGA也同样受益于工艺的进步,在某些应用中已经可以部分甚至全部取代DSP。
2009-02-01 未来市场:功能级SoC加可编程DSP
90nm,到65nm、45nm,再到32nm,制造工艺的进步使DSP的处理性能按照摩尔定律在飞速提高,双核乃至六核使DSP的性能轻松实现翻番,这种性能提高使DSP在一些应用中陷入MIPS处理能力过剩的尴尬局面。
2009-01-12 晶诠科技获得MIPS公司IP内核多项授权开发USB 2.0 OTG
MIPS 科技公司宣布, 晶诠科技(Gateway Silicon,GSI)获得 MIPS 公司多项授权,用于其 USB2.0 OTG PHY IP 内核。晶诠科技获得授权的IP可用于特许半导体(Chartered Semiconductor)的 0.18?m、0.13?m、90nm G 和 90nm LP 工艺。作为一家设计服务公司,晶诠科技将在用于客户下一代便携式设备的平台中使用这些 IP 内核。
2008-12-23 晶诠科技获得MIPS公司IP内核多项授权开发USB 2.0 OTG
MIPS 科技公司(MIPS Technologies Inc.,)日前宣布, 晶诠科技(Gateway Silicon,GSI)获得 MIPS 公司多项授权,用于其 USB2.0 OTG PHY IP 内核。晶诠科技获得授权的IP可用于特许半导体(Chartered Semiconductor)的 0.18mm、0.13mm、90nm G 和 90nm LP 工艺。
2008-11-10 凌讯科技90nm芯片采用Cadence低功耗解决方案一次成功
Cadence宣布,凌讯科技(Legend Silicon)利用Cadence?的低功耗解决方案,已成功完成一款数百万门级90纳米DTV芯片设计,并获投片一次成功。凌讯选择Cadence作为其65纳米及45纳米设计的首选EDA供应商,还将采用整套Cadence Low-Power Solution。
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说说TD-SCDMA的经验和教训

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2000亿元永远收不回的投资,换来一张五年就停止发展的TD-SCDMA网,而所谓自主知识产权比例饱受争议。蛮力改写科技产业路线,失败作结。[详细]


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