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65纳米
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共搜索到176篇文章
2016-04-21 东芝推出基于ARM? Cortex?-M3的微控制器,适用于电机控制和消费设备
东芝公司旗下半导体与存储产品公司今日宣布推出TXZ?系列的第一组产品—基于ARM? Cortex?-M3内核的“M3H族”微控制器,这一新系列产品采用基于65纳米逻辑工艺的嵌入式闪存工艺制造。
2013-08-20 明导:条状过孔成大势所趋
过孔故障一直是影响良率的重大因素。过孔冗余(双过孔)被引入65纳米版图设计中,帮助减少制造过程的变动所引起的过孔故障。对于28纳米节点,明导添加了一种矩形过孔(有时也称条状过孔)。以矩形过孔而非双过孔代替单过孔可以预防过孔故障,同时减少过孔总数。
2013-05-10 首款65纳米ARM Cortex安全微控制器投入量产
日前,德州仪器 (TI) 与国际汽车供应商 Continental 愉悦宣布,双方合作推出首款支持闪存技术的 65 纳米 ARM Cortex 安全微控制器已投入量产。
2013-01-31 Kilopass非易失性存储器IP通过中芯国际先进工艺JEDEC认证
Kilopass安全非易失性存储器IP用于中芯国际 65/55/40 纳米低漏电CMOS 逻辑工艺的手机和电子消费品系统级芯片可实现 10 年使用寿命.
2012-06-08 u-blox 65纳米LPe RF制程技术推出GPS/GNSS SoC方案
瑞士定位及无线模块和芯片供应商u-blox和GLOBALFOUNDRIES今天共同宣布:基于GLOBALFOUNDRIES 先进的65纳米低功耗强化型(LPe)RF制程技术平台的u-blox 7全球定位系统/全球导航卫星系统片上系统(GPS/GNSS SoC)已经开始供货。
2011-11-30 ChipEstimate.com和中芯国际推出SMIC专属兼容内核IP门户网站
ChipEstimate.com,与中国内地最大最先进的集成电路晶圆代工企业中芯国际集成电路制造有限公司(“中芯国际”),日前宣布,推出一个新的中芯国际专属知识产权(IP)门户网站,这个门户网站汇集了与中芯国际工艺兼容的第三方 IP 内核。此门户网站包含来自20多个 IP 供应商提供的超过500件、并在不断增加的 IP 列表,包括新思科技、Kilopass 公司、Dolphin 集成、芯原等 -- 所有设计均可用于中芯国际0.25微米到65/55纳米及45/40纳米工艺制造。该网站使 IP 供应商和系统集成商皆可有效利用中芯国际的 IP 生态系统。
2011-11-18 英飞凌推出首款面向芯片卡和安全应用的65纳米eFlash微控制器
英飞凌科技股份公司近日宣布推出首款面向芯片卡和安全应用的65纳米嵌入式闪存(eFlash)微控制器(MCU)样品。这是英飞凌和台积电(TSMC)于2009年开始共同开发及生产65 纳米 eFlash MCU的结果。
2011-08-15 Spansion推出业内首款4Gb NOR闪存:Spansion GL-S
?Spansion公司日前发布了业内首款基于65纳米生产技术的单芯片4Gb(千兆比特)NOR闪存产品——4Gb Spansion GL-S。
2011-06-14 微捷码宣布其Titan Analog Design Kit正式面市
微捷码(Magma)设计自动化有限公司日前宣布,支持台积电(TSMC)180纳米/65纳米工艺的Titan Analog Design Kit正式面市,它以与工艺和规格无关且可重复利用的模块化模拟电路模块——Titan FlexCell实现了Titan基于模型的设计方法。
2011-05-16 Spansion 与中芯国际扩展代工协议
NOR 闪存记忆体的领先供应商 Spansion,以及晶圆代工企业中芯国际集成电路制造有限公司(“中芯国际“),日前宣布双方将延伸目前的代工协议以扩展中芯目前的65纳米代工产能,并将为 Spansion 制造其45纳米闪存记忆体。
2011-04-21 Synopsys数据转换器IP已被应用于中芯国际低漏电工艺技术
新思科技有限公司(Synopsys, Inc.)日前宣布:该公司所提供经芯片生产验证的DesignWare数据转换器IP,已被应用于中芯国际广受欢迎的65纳米低漏电(Low Leakage)工艺技术。
2011-02-25 赛普拉斯与Innopower签署协议
赛普拉斯半导体公司日前宣布将130纳米65纳米SONOS(氧化硅氮氧化硅)嵌入式非易失性技术的知识产权授权给Innopower技术公司。
2011-02-18 中芯国际截至2010年12月31日止三个月业绩公布
中芯国际在2010年实现了盈利,65纳米制程成功起量迄今,运营和客户关系亦得到改善。从长期来看,中芯国际将继续致力于可持续性的盈利。从近期来讲,65/55纳米技术将会继续上量,并在2011年底前实现45/40纳米技术的量产。
2011-01-25 利用高集成度的RF调谐器应对移动电视技术的挑战
在研究移动电视技术发展趋势时需要区分产品功能组合、封装、性能、采用的半导体工艺和最重要的射频接收器性能。目前大多数单制式解调器都采用130纳米65纳米CMOS工艺制造。多数情况下,它们与射频接收器一同封装在系统级封装内(SiP),构成移动电视前端组件。
2010-09-26 65纳米以下制程产能仍短缺 晶圆双雄仍扩产
虽然绘图芯片、网通及手机芯片等市场已进入库存修正阶段,除了 65/55纳米以下先进制程产能仍短缺,40纳米及28纳米产能更是供不应求,晶圆双雄台积电及联电仍然扩产不停歇。
2010-09-16 中芯国际65-40纳米设计采用Cadence硅实现端对端产品线
中芯国际在极短的时间内认可Cadence硅实现方法在质量与效益方面的优势,因而在65到40纳米的设计包含验证以及实现各个方面采用了Cadence的产品。
2010-09-01 微捷码发布Quartz iPOP计划 实现更快速、更高容量的物理验证
微捷码Quartz产品是首款真正线性的物理验证解决方案,可在不牺牲精度且无需增加额外硬件的前提下处理较大型设计,验证周期比传统解决方案快上一个数量级。这些独特的功能在不增加物理验证预算的前提下提供了应对65纳米及更小尺寸设计更高验证压力所需的更高生产力与性能。
2010-08-06 联电上修资本支出至18亿美元
联电(UMC)日前宣布,由于产能需求仍旺,及满足客户未来对高阶技术的需求,上修资本支出至18亿美元。其中,新加坡Fab12i厂将大幅建置65/55纳米产能;南科Fab12A厂第三期无尘室,也于7月提前竣工,预计年底前开始产出。
2010-07-22 中国芯核心技术研发成功 依赖进口已成历史
记者昨天(7月21日)获悉,由中芯国际集成电路公司承担的国家重大科技项目取得最新进展,成功研发出了“65纳米产品工艺”,并开始批量生产,芯片制造依赖进口已成为历史。
2010-05-31 中芯国际和Virage Logic合作65纳米低漏电工艺
Virage Logic 公司和中芯国际集成电路有限公司宣布其长期合作伙伴关系扩展到包括65纳米(nanometer)的低漏电(low-leakage)工艺技术。
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说说TD-SCDMA的经验和教训

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2000亿元永远收不回的投资,换来一张五年就停止发展的TD-SCDMA网,而所谓自主知识产权比例饱受争议。蛮力改写科技产业路线,失败作结。[详细]


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