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55纳米
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2014-09-03 赛普拉斯和华力微电子展示可工作的采用55纳米嵌入式闪存IP的硅光电池
赛普拉斯和华力微电子展示可工作的采用55纳米嵌入式闪存IP的硅光电池,高性价比的SONOS嵌入式非易失性存储器为下一代智能卡和物联网应用带来高良率和具有可扩展性的工艺.
2014-07-22 赛普拉斯向UMC授权55纳米嵌入式闪存技术
高性价比的SONOS嵌入式非易失性存储器能为下一代智能卡、微控制器和物联网应用带来更高的良率及可扩充产能的工艺技术
2014-06-20 55纳米高性能车载视频监控芯片问世
近日,深圳艾科创新微电子有限公司与上海灵动微电子有限公司共同设计开发的55纳米高性能车载视频监控芯片一举测试成功,这是汽车电子芯片国产化非常重要的一个里程碑.高性能车载视频监控芯片的研发成功,为建立完全自主知识产权的国产车联网平台迈出了坚实的一步,此举标志着艾科创新成为国内首家成功开发出基于55纳米工艺的高性能车载视频监控芯片,填补了国内空白。
2014-06-19 IC产业八大热点事件
2013年12月,宁波时代全芯科技有限公司正式发布了中国自主研发的第一款具有自主知识产权的55纳米相变存储技术(PCM)。相变存储技术以高性能著称,具有替代传统存储甚至闪存的能力。
2013-12-11 相变存储真让中国芯片告别进口?
日前,宁波时代全芯科技有限公司发布了自主研发的55纳米相变存储芯片,成为继韩国三星、美国美光之后,世界上第三家、中国第一家拥有相变存储技术自主知识产权的企业。
2013-12-04 中国"芯"时代,打破韩美相变存储垄断
以“‘芯’时代、‘存’世界”为主题的“2013宁波时代全芯科技产品发布会”在宁波举行。现场发布了55纳米相变存储技术,宁波时代全芯科技有限公司成为继韩国三星、美国美光之后,第三家拥有这项技术的企业,打破了存储器芯片生产技术长期被国外垄断的局面,据悉该企业2014年投入量产,产业化前景可观。
2013-08-19 华力微开发出55纳米平台的参考设计流程
华力微电子基于Cadence公司Encounter 数字技术开发55纳米平台的参考设计流程
2013-04-16 Altera与台积合作55纳米嵌入式闪存工艺技术
Altera公司与台积公司在55纳米嵌入式闪存工艺技术领域展开合作,Altera计划生产面向大批量应用的下一代非易失可编程器件
2013-01-31 Kilopass非易失性存储器IP通过中芯国际先进工艺JEDEC认证
Kilopass安全非易失性存储器IP用于中芯国际 65/55/40 纳米低漏电CMOS 逻辑工艺的手机和电子消费品系统级芯片可实现 10 年使用寿命.
2011-11-30 ChipEstimate.com和中芯国际推出SMIC专属兼容内核IP门户网站
ChipEstimate.com,与中国内地最大最先进的集成电路晶圆代工企业中芯国际集成电路制造有限公司(“中芯国际”),日前宣布,推出一个新的中芯国际专属知识产权(IP)门户网站,这个门户网站汇集了与中芯国际工艺兼容的第三方 IP 内核。此门户网站包含来自20多个 IP 供应商提供的超过500件、并在不断增加的 IP 列表,包括新思科技、Kilopass 公司、Dolphin 集成、芯原等 -- 所有设计均可用于中芯国际0.25微米到65/55纳米及45/40纳米工艺制造。该网站使 IP 供应商和系统集成商皆可有效利用中芯国际的 IP 生态系统。
2011-03-10 锐迪科微电子与中芯国际达成高端55nm量产里程碑
锐迪科微电子,中国最领先的射频 IC 公司,与中芯国际集成电路制造有限公司(“中芯国际”)日前共同宣布锐迪科 RDA5802N 调频接收器(RF Receiver)芯片,一个采用中芯国际的55纳米低漏电(LL)工艺平台以及寅通科技 IP 解决方案的产品已于日前开始量产。
2011-02-18 中芯国际截至2010年12月31日止三个月业绩公布
中芯国际在2010年实现了盈利,65纳米制程成功起量迄今,运营和客户关系亦得到改善。从长期来看,中芯国际将继续致力于可持续性的盈利。从近期来讲,65/55纳米技术将会继续上量,并在2011年底前实现45/40纳米技术的量产。
2010-11-10 面向汽车应用的多功能32位微控制器
飞思卡尔Qorivva微控制器基于Power Architecture内核,其配置可满足汽车环境的严格要求。 新的55纳米Qorivva MCU系列解决了汽车市场面临的主要挑战,包括提高性能、满足新的安全要求和增强安全功能等。
2010-09-26 65纳米以下制程产能仍短缺 晶圆双雄仍扩产
虽然绘图芯片、网通及手机芯片等市场已进入库存修正阶段,除了 65/55纳米以下先进制程产能仍短缺,40纳米及28纳米产能更是供不应求,晶圆双雄台积电及联电仍然扩产不停歇。
2010-08-06 联电上修资本支出至18亿美元
联电(UMC)日前宣布,由于产能需求仍旺,及满足客户未来对高阶技术的需求,上修资本支出至18亿美元。其中,新加坡Fab12i厂将大幅建置65/55纳米产能;南科Fab12A厂第三期无尘室,也于7月提前竣工,预计年底前开始产出。
2010-04-01 汽车微控制器用55nm嵌入式闪存制程
意法半导体发布55纳米(nm)嵌入式闪存(eFlash)制造工艺。意法半导体的新一代车用微控制器(MCU)芯片将采用这项先进技术。目前,意法半导体正在位于法国Crolles的世界一流的300mm晶圆厂进行这项技术的升级换代工作。?
2009-10-15 中芯国际将45纳米工艺延伸至40纳米55纳米
中芯国际(NYSE:SMI)日前宣布其45纳米的互补型金属氧化物半导体(CMOS)技术将延伸至40纳米以及55纳米。
2008-07-28 应材推出存储芯片铜阻挡层技术
应用材料公司推出Applied Endura? Extensa? PVD(物理气相沉积)系统,这是业界唯一在亚55纳米存储芯片铜互联的关键阻挡层薄膜沉积工艺中具有量产价值的系统。Extensa系统独特的Ti/TiN工艺技术使扩散阻挡薄膜具有高水准的阶梯覆盖率,整块硅片上薄膜厚度的不均匀性<3%。同其他同级别竞争对手的系统相比,它具有最少的缺陷和更低的耗材成本。
2008-01-24 图形芯片双雄大战再度升温
AMD自前年并购图形芯片商ATI后,至今仍然未能完成合并整合,以致老对手Nvidia去年在几乎完全没对手的情况下坐享DX10显卡先机半年之久,市场占有率得以大幅提升。正当人们担心Nvidia会一家独大的时候,AMD抢先切入55纳米制程,推出的最新图形芯片RV670不单核心面积大幅缩小,而且销售畅旺。
2007-03-29 台积电55纳米工艺提前量产
台积电55纳米半世代工艺提前约一个季度进入量产!从2007年5月起,每隔2个月开启55纳米工艺共乘列车服务,提供多家客户量产服务。
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2000亿元永远收不回的投资,换来一张五年就停止发展的TD-SCDMA网,而所谓自主知识产权比例饱受争议。蛮力改写科技产业路线,失败作结。[详细]


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