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28纳米
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2015-10-19 TSMC准确数据:中国已有10家公司采用16nm Finfet
大陆消费者追求高、大、上终端产品规格的需求,反映在半导体产品开发的企图心上,台积电大陆区业务发展副总罗镇球强烈感受,不但第二波28纳米制程客户蓄势待发,大陆IC设计公司的蓬勃朝气,更反映在16纳米FinFET制程产品的规划上。需求涵盖移动运算、网通、比特币(Bitcoin)、FPGA等应用领域,有接近10家大陆IC设计公司的16纳米产品已经开案,呈现百花齐放的态势。
2014-12-22 28纳米工艺哪家强?
如今,28纳米工艺技术已成为很多公司追捧的对象,并以此工艺来设计自己的芯片,因此28纳米工艺成为当前芯片设计的主流工艺。下面就让我们盘点一下哪些公司的28纳米制程技术更出色呢?
2014-12-19 华力微电子与联发科技合作开发28纳米工艺技术
12月15日,中国最先进的晶圆代工企业之一—上海华力微电子有限公司(以下简称“华力微电子”)与全球领先的IC设计厂商—联发科技股份有限公司(以下简称“联发科技”)共同宣布,华力微电子将与联发科技在28纳米工艺技术和晶圆制造服务方面紧密合作,部分联发科技移动通信处理器的代工将交由华力微电子完成。
2014-04-03 Marvell全新28纳米万兆和千兆以太网分组处理器
Marvell发布全新28纳米万兆以太网和千兆以太网分组处理器产品,助力打造安全节能的卓越接入网解决方案,Marvell的全新高级Prestera DX分组处理器系列解决了园区(campus)和中小企业网络BYOD的安全挑战。
2014-03-19 Marvell推出突破性10G Alaska X设备
Marvell推出突破性10G Alaska X设备,采用标准双绞线带来超快数据速度,高级28纳米制程技术带来极低功耗和卓越性能,为促进IEEE 10GBASE-T标准的广泛采用奠定坚实基础.
2014-03-06 瑞萨研发出28nm微控制器的嵌入式闪存工艺
瑞萨电子研发出业内首创的28nm微控制器的嵌入式闪存工艺,创立了可扩充车用微控制器的片上闪存容量的28nm制程工艺.半导体及解决方案供应商瑞萨电子株式会社宣布其已研发出业内首项应用于28 nm制程工艺的微控制器(MCU)的 28纳米(nm)闪存知识产权(IP)。
2014-02-10 ARM与中芯国际针对移动与消费应用扩展28纳米制程工艺IP合作
ARM与中芯国际针对移动与消费应用扩展工艺IP合作为高性能系统级芯片设计提供创新IP支持.
2013-08-20 明导:条状过孔成大势所趋
过孔故障一直是影响良率的重大因素。过孔冗余(双过孔)被引入65纳米版图设计中,帮助减少制造过程的变动所引起的过孔故障。对于28纳米节点,明导添加了一种矩形过孔(有时也称条状过孔)。以矩形过孔而非双过孔代替单过孔可以预防过孔故障,同时减少过孔总数。
2013-07-19 联华电子28纳米节点采用Cadence物理和电学制造性设计签收
联华电子 (UMC) 28纳米节点采用Cadence物理和电学制造性设计签收解决方案.Cadence加速联华电子客户在可制造性设计流程中的光刻、CMP和LDE分析.
2013-06-03 Silicon Labs为云计算推出高性能振荡器
台积电在先进制程技术加紧脚步,扩充产能不遗余力,中科Fab15厂房的28纳米新一期厂房本月投产,负责20纳米的南科Fab14第五、六期陆续装机,第3季12寸月产能将突破40万片,与英特尔并驾齐驱。
2013-06-03 台积电12寸产能 Q3与Intel并驾齐驱
台积电在先进制程技术加紧脚步,扩充产能不遗余力,中科Fab15厂房的28纳米新一期厂房本月投产,负责20纳米的南科Fab14第五、六期陆续装机,第3季12寸月产能将突破40万片,与英特尔并驾齐驱。
2013-05-21 中芯国际采用概伦电子NanoYield高良率解决方案
中芯国际采用概伦电子NanoYield高良率解决方案,用于28纳米工艺开发中的SRAM良率优化.
2013-05-14 TD-LTE产业链逐渐扩大 28纳米或成主流
当智能手机和平板电脑等移动终端日渐流行之时,4月2日,展讯宣布其两款双核智能手机平台实现商用并通过中国移动入库测试,但是公司市场方面工作人员在对外宣传上,显得相当谨慎。
2013-03-12 ST 28纳米FD-SOI技术运行速度达到3GHz
意法半导体(ST)28纳米FD-SOI技术运行速度达到3GHz.快速简单且高能效得到证明,新技术不断取得更大成功.
2013-01-05 传台积电提前试产苹果芯片 或应用于iPad 5
据台湾媒体报道,台积电已于本季开始提前试产苹果28纳米版本A6X应用处理器。原先市场预期,苹果今年下半年才会将新一代A7应用处理器交给台积电代工。
2012-12-21 配角变主角:FPGA的时代到了
28纳米到3D堆叠,FPGA身价突然翻涨,不再是过去那个扮演配角的被支配角色,反而由于其功能大跃进、重要性大增,目前在许多应用中,已经逐渐成为支配系统运作的主角。而现阶段FPGA的三大发展方向:28纳米、3D堆叠,以及SoC系统化,也成为FPGA制霸市场的决胜关键。
2012-12-17 ST将投产28纳米FD-SOI制程技术
意法半导体(ST)宣布位于法国Crolles的晶圆厂即将投产28纳米FD-SOI制程技术,经过硅验证的制程将提高30%的生产速度,并降低50%的功耗.
2012-11-27 2012年中国通信芯片十大事件
芯片设计业的目标是先进设计能力达到22纳米,开发一批具有自主知识产权的核心芯片,国内重点整机应用自主开发集成电路产品的比例达到30%以上。芯片制造业的目标是大生产技术达到12英寸、32纳米的成套工艺,逐步导入28纳米工艺。着力发展芯片设计业。
2012-10-23 28纳米FD-SOI CMOS制程
意法半导体与Soitec携手通过CMP提供28纳米FD-SOI CMOS制程,半导体技术领先企业意法半导体、 Soitec与CMP携手为大学院校、研究实验室和工业企业设计下一代系统级芯片并提供工程流片服务
2012-09-21 Synopsys28纳米DesignWare IP赢得第100项设计
28纳米DesignWare IP的完整产品线包括USB、PCI Express、SATA、HDMI、DDR、MIPI的数模混合设计,以及数据转换器、音频编解码器、嵌入式存储器和逻辑库
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2000亿元永远收不回的投资,换来一张五年就停止发展的TD-SCDMA网,而所谓自主知识产权比例饱受争议。蛮力改写科技产业路线,失败作结。[详细]


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